О компании International Rectifier

International Rectifier — разработчик и производитель компонентов для управлением энергопотреблением со штаб-квартирой в США. История International Rectifier началась в 1947 году, в Лос Анджелесе, США. За свою более чем полувековую историю International Rectifier достигла огромных успехов в производстве мощных полупроводниковых компонентов для автомобильной, бытовой, компьютерной, осветительной, военной и аэрокосмической техники. Продукция компании International Rectifier сертифицирована по стандартам ISO 9901 и QS 9000.

Кроме того, International Rectifier является обладателем уникальных МОП-технологий, позволяющих значительно сократить габаритные размеры компонентов, улучшить теплоотдачу, повысить эффективность и производительность. Многие технологические и инженерные решения, разработанные компанией International Rectifier превратились в действующие промышленные стандарты в силовой электронике.

Продукция IR используется везде, где требуется увеличить производительность и надежность конечного электрооборудования: в бытовой технике, промышленных электроприводах, автомобильных системах и устройствах передачи данных. IR является единственной компанией в мире, которая производит и поставляет самый полный спектр компонентов для всего цикла преобразования энергии, от входных каскадов до схем подачи напряжения в нагрузку.

Основные исторические вехи в развитии компании:

• 1947 - основано производство селеновых выпрямителей, именем которых и названа компания
• 1954 - стала одним из первых в мире промышленных производителей германиевых полупроводниковых приборов
• 1958 - начато промышленное производство полупроводниковых стабилитронов и фотоэлементов
• 1959 - выпуск первого в мире тиристора (SCR)
• 1962 - разработка эпитаксиального технологического процесса производства силовых тиристоров
• 1974 - выпуск первых в мире силовых транзисторов с пассивацией стеклом
• 1979 - выпуск первых в мире силовых МДП-транзисторов с сотовой топологией под торговой маркой HEXFET
• 1983 - патентуется IGBT транзистор. Выпускается первая в мире микросхема управления высоковольтным стабилизатором
• 1996 - выпуск первого в мире МДП-транзистора с обратным диодом Шоттки под торговой маркой FETKY
• 2003 - выпуск семейства компонентов для импульсных преобразователей DirectFET с исключительно высокой плотностью упаковки

Линейка продуктов International Rectifier включает MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors), высоковольтные/низковольтные интегральные микросхемы для обработки аналоговых и смешанных сигналов (High-Voltage/Low-Voltage Analog and Mixed Signal Integrated Circuits, HVIC/LVIC), транзисторы IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors), DC/DC-преобразователи, в т.ч. для т.н. «ответственных» применений.

В числе наиболее интересных для российского рынка применений полупроводниковых компонентов International Rectifier – системы управления питанием (Power Management Devices, PMD), для которых предлагаются мощные MOSFETs и системы на основе энергосберегающих технологий (Energy-Saving Products, ESP). Системы на основе энергосберегающих технологий (ESP) используют высоковольтные интегральные микросхемы для обработки аналоговых и смешанных сигналов (HVIC), интегральные микросхемы цифрового управления, электронные реле, модули управления двигателями, высоковольтные DirectFET и IGBT. В качестве целевых приложений для ESP-компонентов компании International Rectifier рассматриваются стиральные машины, холодильники, системы кондиционирования и вентиляции, светотехнические приборы (лампы флуоресцентного свечения, светодиоды), системы управления для автомобильных двигателей, телевизионная и аудио техника.

После продажи своего подразделения, в которое входили продукты, выполненные по морально устаревшим на сегодняшний день технологиям, компания International Rectifier усилила свои позиции, сфокусировав акцент на создании инновационных высокотехнологичных продуктов и решений, в частности, на создании новых MOSFETs с эталонными характеристиками (Benchmark) в своем классе.

Сегодня компания International Rectifier сфокусирована на следующих секторах и группах продуктов:

—Развитие номенклатуры MOSFETs поставлено на первое место;
—Задача – вводить не менее 30 новых транзисторов в квартал;
—IR завершила разработку и объявила готовность к серийному производству с конца 2010 г. транзисторов на базе революционной платформы GaN On Si с перспективой значительного снижения Rds(on) и потерь мощности;
—Пересмотр ценовой политики – снижение цен на большую часть продуктов;
—Новые IR MOSFETs способны заменить порядка 30-ти различных типономиналов конкурентов и большое число аналогичных приборов предыдущих поколений IR.