Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 198187200

CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия

3 шт

20500.00	/шт от 1 шт
18700.00	/шт от 3 шт

Код: 127777096 лучшая цена

Mitsubishi

CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия

11 шт

2600.00	/шт от 1 шт
2000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015776915

Mitsubishi

CM800DU-12H, IGBT модуль 800А 600В

2 шт

31400.00	/шт от 1 шт
29900.00	/шт от 2 шт

Код: 741355632

Mitsubishi

CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В

5 шт

4600.00	/шт от 1 шт
4290.00	/шт от 2 шт

Код: 2015677299

LGE

LG200HF060T1VH, E2A IGBT модуль замена Semikron = SKM195GB066D

6 шт

7100.00	/шт от 1 шт
6560.00	/шт от 2 шт

Код: 186681723

Mitsubishi

PS21A7A, IGBT модуль 4 версия 600В 75А

3 шт

6200.00	/шт от 1 шт
5860.00	/шт от 2 шт

Код: 2015891410

Xiner

XNS50S12E6, Интеллектуальный силовой модуль IPM, 600V 50A DIP29

20 шт

3000.00	/шт от 1 шт
2750.00	/шт от 6 шт

Код: 2011489276

Mitsubishi

CM600DY-12NF, Module

4 шт 5 раб. дней

15089.40	/шт от 1 шт
14950.64	/шт от 2 шт

Код: 2015956752

HUAJING

HFGM195A 600V

8 шт 5 раб. дней

4077.05	/шт от 1 шт
3871.72	/шт от 2 шт

Код: 2010026148

STM

STGIPN3H60, NDIP26

11 шт 5 раб. дней

2221.59	/шт от 1 шт
2102.37	/шт от 2 шт

Код: 2010026059

STM

STGIPN3H60A, NDIP26

24 шт 5 раб. дней

1131.51	/шт от 1 шт
1065.99	/шт от 3 шт

Код: 2010026150

STM

STGIPS30C60-H, SDIP25

3 шт 5 раб. дней

3109.01	/шт от 1 шт
2948.19	/шт от 2 шт

Код: 938596759

FUJITSU

2MBI200NK-060-01, IGBT модуль

под заказ

28300.00	/шт от 1 шт
23800.00	/шт от 2 шт

Код: 596758934

Mitsubishi

CM100DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия

под заказ

7300.00	/шт от 1 шт
6820.00	/шт от 5 шт

Код: 900082399

Mitsubishi

CM100DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 100A 3 поколение U серия

под заказ

7300.00	/шт от 1 шт
6270.00	/шт от 5 шт

Код: 203161717

Mitsubishi

CM100DUS-12F, модуль 2 IGBT 600В 100A 50кГц NFH серия

под заказ

6100.00	/шт от 1 шт
5720.00	/шт от 2 шт

Код: 75777459

Mitsubishi

CM100E3U-12F, IGBT модуль RTC 600В 100A 4 поколение F серия

под заказ

7900.00	/шт от 1 шт
6830.00	/шт от 7 шт

Код: 917251089

Mitsubishi

CM100E3U-12H, IGBT модуль 600В 100A 3 поколение U серия

под заказ

6200.00	/шт от 1 шт
5350.00	/шт от 7 шт

Код: 35798212

Mitsubishi

CM100MX-12A, IGBT модуль 3 100A 600В NX5

под заказ

17600.00	/шт от 1 шт
15300.00	/шт от 5 шт

Код: 35584582

Mitsubishi

CM100RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 100A 5 поколение NF серия

под заказ

16400.00	/шт от 1 шт
14200.00	/шт от 5 шт

Код: 249214148

Mitsubishi

CM100TJ-12F, модуль 6 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия

под заказ

15500.00	/шт от 1 шт
13500.00	/шт от 5 шт

Код: 184179204

Mitsubishi

CM100TL-12NF, модуль 6 IGBT 600В 100A 5 поколение NF серия

под заказ

14400.00	/шт от 1 шт
12600.00	/шт от 5 шт

Код: 192785424

Mitsubishi

CM100TU-12F, модуль 6 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия

под заказ

15400.00	/шт от 1 шт
13400.00	/шт от 4 шт

Код: 24903103

Mitsubishi

CM10YE13-12H, IGBT модуль 3 10A 600В

под заказ

8600.00	/шт от 1 шт
7440.00	/шт от 5 шт

Код: 586230048

Mitsubishi

CM110YE4-12F, IGBT модуль 3 110A 600В

под заказ

9900.00	/шт от 1 шт
8620.00	/шт от 5 шт

Код: 347514267

Mitsubishi

CM150DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 150A 4 поколение F серия

под заказ

8100.00	/шт от 1 шт
7010.00	/шт от 5 шт

Код: 210852381

Mitsubishi

CM150DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 150A 3 поколение U серия

под заказ

7300.00	/шт от 1 шт
6270.00	/шт от 4 шт

Код: 619525742

Mitsubishi

CM150DUS-12F, модуль 2 IGBT 600В 150A 50кГц NFH серия

под заказ

8400.00	/шт от 1 шт
7230.00	/шт от 5 шт

Код: 107821893

Mitsubishi

CM150DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 150A 5 поколение NF серия

под заказ

7100.00	/шт от 1 шт
6130.00	/шт от 5 шт

Код: 575304422

Mitsubishi

CM150RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 150A 5 поколение NF серия

под заказ

21900.00	/шт от 1 шт
19000.00	/шт от 4 шт

Код: 346842860

Mitsubishi

CM150TL-12NF, модуль 6 IGBT 600В 150A 5 поколение NF серия

под заказ

17100.00	/шт от 1 шт
14900.00	/шт от 4 шт

Код: 84322641

Mitsubishi

CM150TU-12F, модуль 6 IGBT RTC 600В 150A 4 поколение F серия

под заказ

21300.00	/шт от 1 шт
18500.00	/шт от 4 шт

Код: 214453566

Mitsubishi

CM15YE13-12H, IGBT модуль 3 15A 600В

под заказ

9500.00	/шт от 1 шт
8230.00	/шт от 5 шт

Код: 329477828

Mitsubishi

CM165YE4-12F, IGBT модуль 3 165A 600В

под заказ

11700.00	/шт от 1 шт
10200.00	/шт от 4 шт

Код: 972930083

Mitsubishi

CM200DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 200A 3 поколение U серия

под заказ

9400.00	/шт от 1 шт
8120.00	/шт от 5 шт

Код: 705954161

Mitsubishi

CM200DU-12NFH, модуль 2 IGBT 600В 200A 50кГц NFH серия

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8840.00	/шт от 5 шт

Код: 2014434417

Mitsubishi

CM200DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 200A 5 поколение NF серия, замена CM200DY-12H

под заказ

10500.00	/шт от 1 шт
9370.00	/шт от 2 шт

Код: 218115787

Mitsubishi

CM200E3U-12H, IGBT модуль 600В 200A 3 поколение U серия

под заказ

8500.00	/шт от 1 шт
7380.00	/шт от 7 шт

Код: 585375530

Mitsubishi

CM200RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 200A 5 поколение NF серия

под заказ

8200.00	/шт от 1 шт
7630.00	/шт от 2 шт

Код: 900570696

Mitsubishi

CM200TL-12NF, модуль 6 IGBT 600В 200A 5 поколение NF серия

под заказ

24000.00	/шт от 1 шт
20900.00	/шт от 4 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 17 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 365 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
1 транзистор+диод 2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1380 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.6 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 196

Силовые IGBTи SiC модули ₁₉₆