Войти   |
Зарегистрироваться

Проверить заказ
Интернет-магазин
+7 (495) 97-000-99, (812) 232-52-21
shop@platan.ru
 
Корзина: пока пуста

память DRAM  11


СОРТИРОВКА И ФИЛЬТР ПРОИЗВОДИТЕЛЬ ВИД НА СТР.
Только со склада Цена 60 Все
11

HY57V64820HGT, 4Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM TSOP-2
Hynix Semiconductor

HY57V64820HGT, 4Banks x 2M x 8Bit Synchronous DRAM         TSOP-2
на складе 4889 шт
53.00/шт от 1 шт
44.40 /шт от 20 шт
шт.
586029035

КР185РУ9, (1990-97г)
Россия

КР185РУ9, (1990-97г)
на складе 274 шт
50.00/шт от 1 шт
42.50 /шт от 40 шт
шт.
27477

КР185РУ4, (1990-97г)
Россия

КР185РУ4, (1990-97г)
на складе 21 шт
12.00/шт от 1 шт
10.00 /шт от 100 шт
шт.
32666

AS4C16M16SA-6TIN, IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
ALLIANCE Mem.

AS4C16M16SA-6TIN, IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
под заказ
340.00/шт от 1 шт
299.00 /шт от 30 шт
шт.
2011298284

AS4C256K16E-60JCTR
-----

AS4C256K16E-60JCTR
поставка 1-2 недели (2шт)
41.00/шт от 1 шт
35.30 /шт от 10 шт
шт.
2010059320

IS42S16400J-7TLI, 54-TSOP II, SDRAM 64MBIT 143MHZ 54TSOP
ISSI

IS42S16400J-7TLI, 54-TSOP II, SDRAM 64MBIT 143MHZ 54TSOP
поставка 1 неделя (944шт)
210.00/шт от 1 шт
180.00 /шт от 43 шт
шт.
2008469236

K4S561632N-LI/P75, K4S561632N-LI75-TSOP54
Samsung

K4S561632N-LI/P75, K4S561632N-LI75-TSOP54
под заказ
220.00/шт от 1 шт
199.00 /шт от 20 шт
шт.
874481174

MT48LC16M16A2P-6A:G TR, 54-TSOP II, SDRAM 256MB, 16Mх16, 3.3V, 7.5ns, 0...+70 TSOP54
Micron

MT48LC16M16A2P-6A:G TR, 54-TSOP II, SDRAM 256MB, 16Mх16, 3.3V, 7.5ns, 0...+70  TSOP54
поставка 1 неделя (196шт)
230.00/шт от 1 шт
178.00 /шт от 30 шт
шт.
2010028340

MT48LC16M16A2P-75 IT: DTR
Micronas

MT48LC16M16A2P-75 IT: DTR
под заказ
290.00/шт от 1 шт
259.00 /шт от 5 шт
шт.
204437251

ИМ1821РУ55, никель(00-05гг)
Россия

ИМ1821РУ55, никель(00-05гг)
под заказ
510.00/шт от 1 шт
422.00 /шт от 5 шт
шт.
364846926

КР185РУ9, (1989г)
Россия

КР185РУ9, (1989г)
под заказ
30.00/шт от 1 шт
25.00 /шт от 100 шт
шт.
96708927



Купить память DRAM в интернет-магазине

Память DRAM - это тип памяти, отличающийся использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках. Физически память DRAM состоит из ячеек, созданных в полупроводниковом материале в виде емкости. Заряженная или разряженная емкость хранит бит данных. Каждая ячейка такой памяти имеет свойство разряжаться (из-за токов утечки и пр.), поэтому их постоянно надо подзаряжать - отсюда название «динамическая» (динамически подзаряжать). Совокупность ячеек образует условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор ячеек условно делится на несколько областей.

Интернет-магазин Платан предлагает память и память DRAM различных производителей по конкурентной цене. Для выбора компонента используйте поиск по параметрам, техническую документацию и описание. Доставка товара осуществляется различными транспортными компаниями или самовывозом из офисов в Москве и Санкт-Петербурге, предлагаем любые виды оплаты.