Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

транзисторы полевые импортные 4528

Производитель  

































































































Структура  







Uс-и максимальное ,В 
Iс-и максимальный ток ,А 
Uз-и максимальное ,В 














































Uз-и максимальное ,В 
Pс-и максимальная мощность ,Вт 














































































































































Крутизна S, А/В 





































































































































































































Особенности  
Корпус  
Код: 2015734267
VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
VBSEMI

VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)

2890 шт
шт.
Код: 2015734270
VBA2216, 1  P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  аналог  NTMS10P02R2G
VBSEMI

VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G

20 шт
шт.
Код: 2015734271
VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  аналог  NTMS10P02R2G
VBSEMI

VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G

20 шт
шт.
Код: 2015734268
VBA3638, 1  Dual N-Channel 60 V (D-S) 175  C MOSFET   аналог    SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS
VBSEMI

VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS

856 шт
шт.
Код: 2015782599
VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF
VBSEMI

VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF

3461 шт
шт.
Код: 2015716342
VBE165R07S, N-channel 650V Super Junction Power Mosfet - аналог STD8N65M5
VBSEMI

VBE165R07S, N-channel 650V Super Junction Power Mosfet - аналог STD8N65M5

5 шт
шт.
Код: 2015711154
VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог  IRF720SPBF
VBSEMI

VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF

15 шт
шт.
Код: 2015711156
VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET  аналог  IRF740ASPBF
VBSEMI

VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF

132 шт
шт.
Код: 2015716340
VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог  RS65R190F
VBSEMI

VBZMB20N65S, N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET аналог RS65R190F

979 шт
шт.
Код: 2015904175
WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
WAYON

WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V

575 шт
шт.
Код: 2015904004
WMK15N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V
WAYON

WMK15N80M3, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS M3 800V

2000 шт
шт.
Код: 2015903718
WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V
WAYON

WMK36N65C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 650V

1450 шт
шт.
Код: 2015904214
WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V
WAYON

WMO18N50C4, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS C4 500V

2144 шт
шт.
Код: 2015846920
WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3
WAYON

WMQ30N03T2, полевой транзистор 30В PDFN8L3X3

7808 шт
шт.
Код: 2013048847
YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N
YJ

YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N

135 шт
шт.
Код: 2015808911
YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В
YJ

YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В

336 шт
шт.
Код: 2015810027
YJD25GP06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF
YJ

YJD25GP06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF

9655 шт
шт.
Код: 2015727505
YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC
YJ

YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC

4478 шт
шт.
Код: 2015730438
YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]
YJ

YJG200G04AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40В, 200А, 120Вт [PDFN5060]

4758 шт
шт.
Код: 2015721615
YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060]
YJ

YJG40G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 40А, 60Вт [PDFN5060]

9988 шт
шт.
Код: 2012172012
YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3 = SI2324A-TP
YJ

YJL02N10A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 2А [SOT-23] = SI2328DS-T1-E3 = SI2324A-TP

5560 шт
шт.
Код: 2015102892
YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060
YJ

YJL03N06A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 3А [SOT-23] EOL = YJL03N06C = IRLML0060

2360 шт
шт.
Код: 2012172015
YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]
YJ

YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]

1740 шт
шт.
Код: 2014859872
YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF
YJ

YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF

2470 шт
шт.
Код: 2012172013
YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF
YJ

YJL2305A, P-канальный MOSFET транзистор, -15В, -5.6А [SOT-23] = IRLML6401TRPBF

1680 шт
шт.
Код: 2012172014
YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U
YJ

YJL2305B, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -5.4А [SOT-23] = SI2399DS-T1-GE3 = DMP2110U

2883 шт
шт.
Код: 2015810028
YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25
YJ

YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25

1895 шт
шт.
Код: 2012172008
YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346
YJ

YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346

3340 шт
шт.
Код: 2013048873
YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]
YJ

YJM04N10A, N-канальный MOSFET транзистор,100В, 4А [SOT-223]

300 шт
шт.
Код: 2015712654
YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)
YJ

YJS05N06A, сдвоенный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 5А, 3.1Вт (SOP-8)

6980 шт
шт.
Код: 2015678034
YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)
YJ

YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)

55 шт
шт.
Код: 2016421495
1N60L, DPAK/TO-252AA
UMW-Youtai

1N60L, DPAK/TO-252AA

130 шт
шт.
Код: 2015692760
2N7002K-T1-GE3, N канал транзистор 60В 300мА SOT-23-3 (TO-236)
Vishay

2N7002K-T1-GE3, N канал транзистор 60В 300мА SOT-23-3 (TO-236)

77 шт
шт.
Код: 2015913228
BSS131H6327XTSA1, SOT-23
Infineon

BSS131H6327XTSA1, SOT-23

28 шт
шт.
Код: 540513321 лучшая цена
CF750, двухзатворный полевой транзистор GaAs до 3ГГц 8В 0,3Вт SOT142
Infineon

CF750, двухзатворный полевой транзистор GaAs до 3ГГц 8В 0,3Вт SOT142

10652 шт
шт.
Код: 610217597 лучшая цена
CSD16403Q5A, транзистор 8SON
TI

CSD16403Q5A, транзистор 8SON

54 шт
шт.
Код: 840968048
CSD16413Q5A, транзистор 8SON
TI

CSD16413Q5A, транзистор 8SON

61 шт
шт.
Код: 887295145
CSD23201W10, транзистор 4DSBGA
TI

CSD23201W10, транзистор 4DSBGA

1 шт
шт.
Код: 2015760875
IPD100N04S4-02, Транзисторы и сборки MOSFET
Infineon

IPD100N04S4-02, Транзисторы и сборки MOSFET

7 шт
шт.
Корзина

Товар добавлен в корзину!