N-канальные силовые NexFET транзисторы

10 июня 2014

Силовые полевые транзисторы NexFET были разработаны для минимизации потерь в системах преобразования энергии. Транзисторы NexFET имеют в 2 раза меньший заряд затвора при сохранении прежнего уровня сопротивления канала в открытом состоянии, что позволяет достичь 90% эффективности преобразования энергии на вдвое больших частотах. Корпуса серии Dual Cool имеют двухстороннее охлаждение.

Силовые полевые транзисторы NexFET

Особенности

—Сверхнизкий заряд затвора и заряд затвор-сток
—Низкое термосопротивление
—Нормированы на лавинный пробой
—Пластиковые корпуса SON
—Соответствуют RoHS

Применение

—Синхронные понижающие DC-DC POL преобразователи в сетевом и телекоммуникационном оборудовании
—Оптимизированы для синхронного выпрямления

Технические характеристики

Наименование	Напр-е затвор-исток, В	Напр-е сток-исток, В	Пороговое напр-е, В	Сопр-е откр.канала (4.5В), мОм	Сопр-е откр.канала (10В), мОм	Заряд затвора, нКл	Тип корпуса
Корпус SON 3x3 мм
CSD16323Q3	10	25	1.1	4.4	-	6.2	SON-8
CSD16409Q3	16	25	2	9.5	6.2	4	SON-8
CSD16406Q3	16	25	1.7	5.9	4.2	5.8	SON-8
Корпус SON 5x6 мм
CSD16414Q5	16	25	1.6	2.1	1.5	16.6	SON-8
CSD16413Q5A	16	25	1.6	4.1	3.1	9	SON-8
CSD16412Q5A	16	25	2	13	9	2.9	SON-8
CSD16410Q5A	16	25	1.9	9.6	6.8	3.9	SON-8
CSD16404Q5A	16	25	1.8	5.7	4.1	6.5	SON-8
CSD16403Q5A	16	25	1.6	2.9	2.2	13.3	SON-8
CSD16401Q5	16	25	1.5	1.8	1.3	21	SON-8
Корпус SON DualCool 5x6 мм
CSD16407Q5C	+16/-12	25	1.6	2.5	1.8	13.3	SON-8

Дополнительная информация

— Все новости от фирмы Texas Instruments
— Сайт производителя

ВЕРНУТЬСЯ К СПИСКУ НОВОСТЕЙ

КАТАЛОГ

N-канальные силовые NexFET транзисторы