транзисторы полевые импортные: характеристики, описание

Карбид-кемниевые SiC транзисторы 1200В Mitsubishi Electric

Компания Mitsubishi Electric Corporation объявила о выпуске новой N-серии кабрид-кремниевых полевых транзисторов (SiC-MOSFET) на 1200 В, которые отличаются малыми потерями мощности и стойкостью к самосрабатыванию. Применение новых транзисторов позволит сократить потери мощности и сократить габариты источников питания, работающих на высоковольтном преобразовании, таких как системы бортовой зарядки электромобилей, фотогальванические системы питания и др.
Производитель: Mitsubishi
Серия: BM0