Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

транзисторы полевые импортные 2864

Производитель  


































































































Структура  







Uс-и максимальное ,В 
Iс-и максимальный ток ,А 
Uз-и максимальное ,В 














































Uз-и максимальное ,В 
Pс-и максимальная мощность ,Вт 













































































































































Крутизна S, А/В 





































































































































































































Особенности  
Корпус  
Наименование   Наличие Цена, руб. с НДС Купить
10N65F, [TO-220F]; MOSFETs ROHS; STP9N65M=(ST)
UMW 2015707147

документация
10N65F, [TO-220F]; MOSFETs ROHS;  STP9N65M=(ST) 906 шт
69.00 /шт от 1 шт
52.40 /шт от 30 шт
шт
2N7002A-7-F, транзистор SOT-23-3
Diodes Inc. 2015095870

документация
2N7002A-7-F, транзистор SOT-23-3 287 шт
18.00 /шт от 1 шт
10.70 /шт от 2 шт
шт
2N7002K-T1-GE3, транзистор MOSFET N канал 60В 0.3A 3-Pin SOT-23
VISHAY 261932366

документация
2N7002K-T1-GE3, транзистор MOSFET N канал 60В 0.3A 3-Pin SOT-23 11175 шт
10.00 /шт от 1 шт
8.86 /шт от 10 шт
шт
2SK1317-E, транзистор N канал Si 1.5кВ 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
RENESAS 2014652039

документация
2SK1317-E, транзистор N канал Si 1.5кВ 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 404 шт
1100.00 /шт от 1 шт
936.00 /шт от 2 шт
шт
AO4612, транзистор N-канал/ P-канал, 60В, 4.5/-3.2А, 2Вт, 56мОм/105мОм SO8
Alpha & Omega 2015680902

документация
AO4612, транзистор N-канал/ P-канал, 60В, 4.5/-3.2А, 2Вт, 56мОм/105мОм SO8 58 шт
160.00 /шт от 1 шт
137.00 /шт от 5 шт
шт
AUIRFB8409, полевой транзистор N-канал 40В 195А 1.3мОм TO220AB
Infineon 2015849779

документация
AUIRFB8409, полевой транзистор N-канал 40В 195А 1.3мОм  TO220AB 3 шт
920.00 /шт от 1 шт
886.00 /шт от 10 шт
шт
BC847BW, кремниевый эпитаксиальный плоский NPN транзистор, 50В, 100мА, 225мВт [SOT-323]
Fulihao Tech 2015784877
BC847BW, кремниевый эпитаксиальный плоский NPN транзистор, 50В, 100мА, 225мВт [SOT-323] 2400 шт
3.00 /шт от 1 шт
1.70 /шт от 1000 шт
шт
BC857BW, пластиковый капсулированный PNP транзистор, -50В, -100мА, 150мВт [SOT-323]
Fulihao Tech 2015784881
BC857BW, пластиковый капсулированный PNP транзистор, -50В, -100мА, 150мВт [SOT-323] 2780 шт
3.00 /шт от 1 шт
1.97 /шт от 1000 шт
шт
BF862,215, SOT-23
NEX-NXP 2016414065

документация
BF862,215, SOT-23 357 шт
380.00 /шт от 1 шт
277.00 /шт от 5 шт
шт
BF998E6327HTSA1, SOT143
Infineon 2015497238

документация
BF998E6327HTSA1, SOT143 2399 шт
47.00 /шт от 1 шт
42.30 /шт от 100 шт
шт
BSC057N08NS3GATMA1, TDSON-8/ SuperSO8
Infineon 2015842575

документация
BSC057N08NS3GATMA1, TDSON-8/ SuperSO8 298 шт
150.00 /шт от 1 шт
111.00 /шт от 2 шт
шт
BSC059N04LS6, транзистор полевой N-канал 40В 59А TDSON-8FL
Infineon 2015679304

документация
BSC059N04LS6, транзистор полевой N-канал 40В 59А TDSON-8FL 7847 шт
200.00 /шт от 1 шт
165.00 /шт от 50 шт
шт
BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8
Infineon 2015849808

документация
BSC0802LSATMA1, транзистор полевой N-канал 100В, 100А PG-TDSON-8 724 шт
190.00 /шт от 1 шт
163.00 /шт от 10 шт
шт
BSP129H6327XTSA1, SOT-223
Infineon 2015497233

документация
BSP129H6327XTSA1, SOT-223 384 шт
130.00 /шт от 1 шт
118.00 /шт от 30 шт
шт
BSS138KJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.6А, 0.8Вт [SOT-23]
YJ 2015811277

документация
BSS138KJ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 0.6А, 0.8Вт [SOT-23] 2000 шт
4.00 /шт от 1 шт
2.58 /шт от 1000 шт
шт
BSS138LT1G, транзистор N канал 50В 200мА SOT23-3
ONS 2016542368

документация
BSS138LT1G, транзистор N канал 50В 200мА SOT23-3 5000 шт
17.00 /шт от 1 шт
13.40 /шт от 50 шт
шт
BSS138W-7-F, SOT-323
Diodes Inc. 2015962803

документация
BSS138W-7-F, SOT-323 2000 шт
15.00 /шт от 1 шт
11.90 /шт от 100 шт
шт
BSS295, транзистор SIPMOS 50В 1.4A 0.3? TO92
Infineon 900543185

документация
BSS295, транзистор SIPMOS 50В 1.4A 0.3? TO92 9205 шт
77.00 /шт от 1 шт
64.60 /шт от 20 шт
шт
BTS4140NHUMA1, TO-261-4, TO-261AA
Infineon 2015498512

документация
BTS4140NHUMA1, TO-261-4, TO-261AA 470 шт
110.00 /шт от 1 шт
107.00 /шт от 2 шт
шт
CSD16404Q5A, транзистор 8SON
TI 598895230

документация
CSD16404Q5A, транзистор 8SON 77 шт
150.00 /шт от 1 шт
137.00 /шт от 3 шт
шт
CSD16409Q3, Транзистор N-канал 25В 60А Q3
TI 2015850742

документация
CSD16409Q3, Транзистор N-канал 25В 60А Q3 175 шт
140.00 /шт от 1 шт
130.00 /шт от 50 шт
шт
CSD17304Q3, Транзистор N-канал 30В 56А Q3
TI 2015850744

документация
CSD17304Q3, Транзистор N-канал 30В 56А Q3 827 шт
140.00 /шт от 1 шт
130.00 /шт от 50 шт
шт
CSD17308Q3T, Транзистор N-канал 30В 50A Q3
TI 2015850745

документация
CSD17308Q3T, Транзистор N-канал 30В 50A Q3 565 шт
150.00 /шт от 1 шт
139.00 /шт от 50 шт
шт
CSD17309Q3, Транзистор N-канал 30В 30A Q3
TI 2015850748

документация
CSD17309Q3, Транзистор N-канал 30В 30A Q3 181 шт
430.00 /шт от 1 шт
416.00 /шт от 50 шт
шт
CSD17571Q2, Транзистор N-канал 30В 22A Q2
TI 2015850749

документация
CSD17571Q2, Транзистор N-канал 30В 22A Q2 1193 шт
470.00 /шт от 1 шт
453.00 /шт от 50 шт
шт
CSD17573Q5B, Транзистор N-канал 30В 100A Q5B
TI 2015850756

документация
CSD17573Q5B, Транзистор N-канал 30В 100A Q5B 153 шт
1100.00 /шт от 1 шт
1070.00 /шт от 50 шт
шт
CSD18537NQ5A, Транзистор N-канал 60В 50A Q5A
TI 2015850770

документация
CSD18537NQ5A, Транзистор N-канал 60В 50A Q5A 2988 шт
260.00 /шт от 1 шт
250.00 /шт от 50 шт
шт
CSD18537NQ5AT, Транзистор N-канал 60В 50A Q5AT
TI 2015850771

документация
CSD18537NQ5AT, Транзистор N-канал 60В 50A Q5AT 170 шт
300.00 /шт от 1 шт
287.00 /шт от 50 шт
шт
CSD18563Q5AT, Транзистор N-канал 60В 100A Q5AT
TI 2015850773

документация
CSD18563Q5AT, Транзистор N-канал 60В 100A Q5AT 83 шт
520.00 /шт от 1 шт
508.00 /шт от 50 шт
шт
CSD19531KCS, Транзистор N-канал 100В 100A TO-220
TI 2015850774

документация
CSD19531KCS, Транзистор N-канал 100В 100A TO-220 373 шт
1300.00 /шт от 1 шт
1250.00 /шт от 50 шт
шт
CSD19538Q2, Транзистор N-канал 100В 14A Q2
TI 2015850781

документация
CSD19538Q2, Транзистор N-канал 100В 14A Q2 644 шт
240.00 /шт от 1 шт
222.00 /шт от 50 шт
шт
CSD19538Q3A, Транзистор N-канал 100В 15A Q3A
TI 2015850783

документация
CSD19538Q3A, Транзистор N-канал 100В 15A Q3A 3203 шт
120.00 /шт от 1 шт
111.00 /шт от 50 шт
шт
CSD25310Q2, Транзистор P-канал -20В -20A Q2
TI 2015850785

документация
CSD25310Q2, Транзистор P-канал -20В -20A Q2 940 шт
110.00 /шт от 1 шт
92.30 /шт от 50 шт
шт
CSD25402Q3A, Транзистор P-канал -20В -72A Q3A
TI 2015850788

документация
CSD25402Q3A, Транзистор P-канал -20В -72A Q3A 407 шт
180.00 /шт от 1 шт
167.00 /шт от 50 шт
шт
CSD87384M, транзисторная сборка синхронного выпрямителя 2xN-канал 30В 30A DBC
TI 2015850791

документация
CSD87384M, транзисторная сборка синхронного выпрямителя 2xN-канал 30В 30A DBC 75 шт
580.00 /шт от 1 шт
568.00 /шт от 10 шт
шт
FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А DPAK/TO-252AA
ONS 2015989480

документация
FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А DPAK/TO-252AA 700 шт
68.00 /шт от 1 шт
60.60 /шт от 12 шт
шт
GT080N10K, N канальный транзистор 100В 65A TO-252
GOFORD 2015775103

документация
GT080N10K, N канальный транзистор 100В 65A TO-252 107 шт
57.00 /шт от 1 шт
40.40 /шт от 10 шт
шт
GT55N06D5
GOFORD 2015588304

документация
GT55N06D5 71 шт
31.00 /шт от 1 шт
23.50 /шт от 100 шт
шт
HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z, STD5N80K5, IPD80R1K4P7ATMA1)
SEMIHOW 2011281280
лучшая цена
документация
HCD80R1K4E, [D-PAK] Транзистор MOSFET 800В 4А 1,4 Rds (=FCD1300N80Z, STD5N80K5, IPD80R1K4P7ATMA1) 4479 шт
37.00 /шт от 1 шт
35.60 /шт от 50 шт
шт
HCS80R380R, [TO-220F] Транзистор MOSFET N-канальный 800 В 14 А =STF15N80K5 можно предложить вместо S
semihow 2011298299
лучшая цена
документация
HCS80R380R, [TO-220F] Транзистор MOSFET N-канальный 800 В 14 А =STF15N80K5 можно предложить вместо S 937 шт
120.00 /шт от 1 шт
107.00 /шт от 100 шт
шт

Купить транзисторы полевые импортные в интернет-магазине

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающих через проводящий канал, и управляемым электрическим полем. Полевой транзистор в отличии от биполярного называют униполярным, так как его работа основана на использовании только основных носителей заряда – либо электронов, либо дырок. Поэтому в полевых транзисторах отсутствуют изменения (накопления и рассасывания) объемного заряда неосновных носителей, оказывающие заметное влияние на быстродействие биполярных транзисторов.

Интернет-магазин Платан предлагает Транзисторы и транзисторы полевые импортные различных производителей по конкурентной цене. Для выбора компонента используйте поиск по параметрам, техническую документацию и описание. Доставка товара осуществляется различными транспортными компаниями или самовывозом из офисов в Москве и Санкт-Петербурге, предлагаем любые виды оплаты.