Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 87771234 лучшая цена

CM1000DXL-24S, модуль 2 IGBT 1000А 1200В поколение NX6

1 шт

20000.00	/шт от 1 шт
19000.00	/шт от 2 шт

Код: 157658619

Mitsubishi

CM1200DB-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A замена CM1200DC-34N

8 шт

130000.00	/шт от 1 шт
117000.00	/шт от 2 шт

Код: 464874253 лучшая цена

Mitsubishi

CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6

13 шт

6000.00	/шт от 1 шт
4980.00	/шт от 2 шт

Код: 2012123694

Mitsubishi

CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В

3 шт

3400.00	/шт от 1 шт
3170.00	/шт от 2 шт

Код: 198187200

Mitsubishi

CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия

3 шт

20500.00	/шт от 1 шт
18700.00	/шт от 3 шт

Код: 2011504556

Mitsubishi

CM400DY-34T#300G, IGBT модуль T серия 400А 1700В

2 шт

13200.00	/шт от 1 шт
12600.00	/шт от 2 шт

Код: 498672444

Mitsubishi

CM400HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия

3 шт

9600.00	/шт от 1 шт
9080.00	/шт от 2 шт

Код: 2011429287

Mitsubishi

CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В

6 шт

9600.00	/шт от 1 шт
9120.00	/шт от 2 шт

Код: 262245552

Mitsubishi

CM450DX-24S, модуль 2 IGBT 450A 1200В серия NX6

1 шт

12000.00	/шт от 1 шт
11400.00	/шт от 2 шт

Код: 2014949165 лучшая цена

Mitsubishi

CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 1700В 450А T серия NX типа

1 шт

9300.00	/шт от 1 шт
8470.00	/шт от 2 шт

Код: 919761094 лучшая цена

Mitsubishi

CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия

2 шт

5200.00	/шт от 1 шт
4780.00	/шт от 2 шт

Код: 2012066984

Mitsubishi

CM800DX-24T1, IGBT модуль 800А 1200В T1 серия NX типа

4 шт

21800.00	/шт от 1 шт
20700.00	/шт от 2 шт

Код: 2015055251

Mitsubishi

CM900DUC-24S, IGBT модуль 900А 1200В

2 шт

30200.00	/шт от 1 шт
28800.00	/шт от 2 шт

Код: 2016019945

Leapers

DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 100 A 1200 V P4 Full Bridge

20 шт

7200.00	/шт от 1 шт
6940.00	/шт от 8 шт

Код: 2016019947

Leapers

DFI150HF12DE1, Модуль IGBT, 150 A 1200 V 34mm Half Bridge

10 шт

3800.00	/шт от 1 шт
3490.00	/шт от 8 шт

Код: 2015912620

Leapers

DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3

30 шт

8100.00	/шт от 1 шт
7990.00	/шт от 6 шт

Код: 2015928237

Leapers

DFI300HF17DF1, IGBT модуль, 1700V/300A Half Bridge 62 mm

30 шт

9000.00	/шт от 1 шт
8610.00	/шт от 6 шт

Код: 2016021342

Leapers

DFI300HF17I4RE1, IGBT модуль, 300 A 1200 V ED3 Half Bridge, альтернатива для CM300DX-34T, CM300DX-34

20 шт

12000.00	/шт от 1 шт
10800.00	/шт от 6 шт

Код: 2015912621

Leapers

DFI450HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 450A полумост ED3

10 шт

10600.00	/шт от 1 шт
10600.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912618

Leapers

DFI450HF17I4RE1P, IGBT модуль 1700V 450A полумост press-fit

2 шт

13500.00	/шт от 1 шт
12900.00	/шт от 2 шт

Код: 2016019942

Leapers

DFI50PM12P4D1, IGBT модуль, 50 A 1200 V P4 Full Bridge

20 шт

6000.00	/шт от 1 шт
5400.00	/шт от 8 шт

Код: 2015912622

Leapers

DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3

10 шт

14800.00	/шт от 1 шт
13900.00	/шт от 6 шт

Код: 2015762120

Leapers

DFI600HF17I4RE2, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А, аналог для FF600R17ME4, = DFI600HF17I4RE1

70 шт

16400.00	/шт от 1 шт
15300.00	/шт от 5 шт

Код: 2016019960

Leapers

DFI75HF17DE1, Модули IGBT, 75 A 1700 V 34mm Half Bridge

10 шт

2900.00	/шт от 1 шт
2730.00	/шт от 8 шт

Код: 2016019944

Leapers

DFI75PM12P4D1, IGBT модуль, 75 A 1200 V P4 Full Bridge

20 шт

6200.00	/шт от 1 шт
5940.00	/шт от 8 шт

Код: 2015699933

starpower

GD1200SGX170A3S, Trench FS IGBT модуль, Low Loss, 1700V

1 шт

98500.00	/шт от 1 шт
90500.00	/шт от 4 шт

Код: 2015690709 лучшая цена

starpower

GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S

20 шт

6600.00	/шт от 1 шт
6150.00	/шт от 4 шт

Код: 2015695098

starpower

GD2400SGX170A4S, IGBT - Модуль, 1700V, 2400A, аналог для CM2400HCB-34N

1 шт

103000.00	/шт от 1 шт
93200.00	/шт от 4 шт

Код: 2015784926

starpower

GD300HFX120C2S_B36, GD300HFX120C2S_B36, 1200V/300A 2 in one-package, аналог CM300DY-24A

41 шт

9000.00	/шт от 1 шт
8030.00	/шт от 6 шт

Код: 2015700136

starpower

GD300HFX170C6S, GD300HFX170C6S, Trench FS IGBT, Low Loss , аналог для позиции CM300DX-34T, CM300DX-3

5 шт

11800.00	/шт от 1 шт
11200.00	/шт от 4 шт

Код: 2015698349

starpower

GD450HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 450A 2 in one-package, анал

2 шт

12300.00	/шт от 1 шт
11500.00	/шт от 6 шт

Код: 2015763402 лучшая цена

starpower

GD50FFX170C5SA, IGBT, 1700V/50A 6 in one-package, аналог для GD50FFT170C5S

20 шт

6200.00	/шт от 1 шт
5800.00	/шт от 7 шт

Код: 2015693864

starpower

GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50

100 шт

25500.00	/шт от 1 шт
23800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015696498 лучшая цена

starpower

GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H, GD800HFX170C3S

32 шт

60000.00	/шт от 1 шт
57000.00	/шт от 3 шт

Код: 2015650171

MG300HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1700Вт [C2] = MG300HF12MIC2 = CM300DY-24A Mitsubishi = SKM3

500 шт

7600.00	/шт от 1 шт
6880.00	/шт от 10 шт

Код: 2015693982

MG450HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] =GD400HFF120C2S

9 шт

10800.00	/шт от 1 шт
9810.00	/шт от 2 шт

Код: 2011489276

Mitsubishi

CM600DY-12NF, Module

4 шт 5 раб. дней

15089.40	/шт от 1 шт
14950.64	/шт от 2 шт

Код: 2015941459

LEAPERS

DFI450HF17I4RE1, IGBT Модуль 1700В, 450А

4049 шт 5 раб. дней

14210.41	/шт от 1 шт
13607.23	/шт от 2 шт

Код: 2015941458

LEAPERS

DFI600HF17I4RE1, IGBT Модуль 1700В, 600А

565 шт 5 раб. дней

17627.10	/шт от 1 шт
16893.62	/шт от 2 шт

Код: 686941129

Mitsubishi

CM1000E3U-34NF, IGBT модуль 1700В 1000A 5 поколение NF серия

под заказ

95900.00	/шт от 1 шт
83400.00	/шт от 2 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 17 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 365 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
1 транзистор+диод 2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1380 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.6 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 219

Силовые IGBTи SiC модули ₂₁₉