транзисторы биполярные импортные

Код: 2015730885

YJP118G08H, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 85B, 118A, 200Вт (TO-220)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730880

YJP120G08A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 80B, 120A, 190Вт (TO-220)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730859

YJP200G06A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60B, 200A, 260Вт (TO-220)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730860

YJP200G06B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60B, 200A, 260Вт (TO-220)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730895

YJP30GP10A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -30A, 125Вт (TO-220)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730869

YJP45G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 45A, 100Вт (TO-220)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730872

YJP70G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 70A, 125Вт (TO-220)

под заказ

560.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730873

YJP70G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 70A, 125Вт (TO-220)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730889

YJQ15GP10A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -15A, 43Вт (DFN3333)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730855

YJQ60N03A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30B, 60A, 75Вт (DFN3333)

под заказ

30.00	/шт от 1 шт
23.70	/шт от 150 шт

Код: 2015730875

YJQ62G06A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60B, 62A, 45Вт (DFN3333)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730888

YJS05GP10A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -4.5A, 3.1Вт (SOP-8)

под заказ

20.00	/шт от 1 шт
15.80	/шт от 500 шт

Код: 2015810026

YJS10N02A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20B, 10A, 1.9Вт (SOP-8) = IRF7401

под заказ

9.00	/шт от 1 шт
6.66	/шт от 500 шт

Код: 2015730874

YJS12G06D, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60B, 12A, 3.1Вт (SOP-8)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730864

YJS15G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 15A, 3.8Вт (SOP-8)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 2015730865

YJS15G10C, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 15A, 3.8Вт (SOP-8)

под заказ

750.00	/шт от 1 шт
278.00	/шт от 5 шт

Код: 520111069

Diodes Inc.

ZXTN25100BFHTA, транзистор 100В NPN SOT23

под заказ

93.00	/шт от 1 шт
82.90	/шт от 10 шт

Код: 768310524

Diodes Inc.

ZXTP25100BFHTA, PNP транзистор 140В 2А 200МГц SOT-23

под заказ

92.00	/шт от 1 шт
81.70	/шт от 10 шт

Код: 930816623

TopDiodes

ВС848С, транзистор SOT-23

под заказ

10.00	/шт от 1 шт
3.70	/шт от 200 шт

Код: 2014989198

Diodes Inc

Транзистор FZT792ATA

под заказ

73.00	/шт от 1 шт
61.20	/шт от 20 шт

DPAK/TO-252AA
ISOWATT218
MT-200
SC-74-6
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-18 (TO-206AA)
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220C
TO-220F
TO-220FA
TO-220FP
TO-247
TO-251
TO-252
TO-263
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TSSOP-6

Производитель
----- AMPLEON BLUE ROCKET BLUEROCK BOURNS BROADCOM/AVAGO CDIL CENTRAL CJ DC COMPONENTS DI DIODES INC DIODES INC. DIODESZETEX DIOTEC FAIR/ONS FAIRCHILD (ON S FUJI FUJI ELECTRIC FUJITSU FULIHAO TECH FZT GALAXY GOFORD HITACHI HOTTECH HUAAOE ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON ISC ISCSEMI IXYS JCET JILIN SINO JSCJ JSMICRO KEC KINGTRONICS KUU LGE LRC MATSUSHITA MCC MDD MICRO COMMERCIA MOSPEC MOTOROLA NEC NEX-NXP NTE ELECTRONICS NXP SEMICONDUCT ONS PANASONIC PHI PHILIPS POWER MATE REASUNOS RENESAS ROHM SANKEN SANYO SCHN SEMTECH SHIKUES SMARTMODULE SPTECH STM TI TOPDIODE MANUFA TOPDIODES TOSHIBA UMW UMW-YOUTAI UTC VBSEMI VISHAY WAYON WEEN SEMICOND YJ ZH ZTX ИНТЕГРАЛ КИТАЙ КРЕМНИЙ РОССИЯ ТАЙВАНЬ
Структура
NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон PNP с резист.сборкой
U_{кбо максимальное},В
12 20 25 30 32 35 40 45 50 60 80 100 125 140 160 180 230 250 300 400 450 500 1500
U_{кэ максимальное},В
12 20 25 30 32 35 40 45 50 60 65 80 100 120 125 150 160 180 230 250 300 350 400 450 600 700 1500
I_{ток коллектора},А
0.05 0.1 0.12 0.15 0.2 0.225 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 5 6 7 8 10 15
h_{fe коэффициент передачи}
5 5.5 8 10 16 20 25 30 40 50 53 55 60 70 100 110 120 125 140 160 180 200 220 230 250 290 420 475 500 520 750 1000 1500 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 4.5
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
f_{граничная частота},МГц
1 3 6 9 15 20 30 40 50 60 80 85 100 125 145 150 170 175 180 200 210 250 300 400 9000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.7 0.75 0.8 0.83 1 1.5 1.75 2 3 12.5 15 20 35 36 40 45 50 60 65 70 80 125 150
Корпус

транзисторы биполярные импортные 2780

транзисторы биполярные импортные ₂₇₈₀