Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru
0
КАТАЛОГ
Электронные компоненты, радиодеталиКоммутацияОптоэлектроникаИндикацияСветодиоды осветительныеОсвещениеИсточники питанияДатчикиКорпусные и установочные изделияПровода, шнуры, расходные материалыИзмерительные приборыПаяльное оборудованиеИнструментПромышленная автоматикаЭлектротехническое оборудованиеЭлектроника для дома и авто

CM75E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 75A 4 поколение F серия

Номенклатурный номер: 849147007
Производитель: Mitsubishi

Номенклатурный номер: 849147007

CM75E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 75A 4 поколение F серия Mitsubishi
Изображения и чертеж служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Артикул: CM75E3U-24F

Производитель MITSUBISHI
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Структура модуля чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Защита от перегрева нет
все параметры
Наличие: под заказ
Поставка: по запросу менеджеру
Цены (уточняются по запросу на почту):
от 50 - 3716.45 руб.
мин.заказ 50
F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Технические характеристики

Производитель Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.8
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Структура модуля чоппер с диодом
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Входная емкость затвора,нФ 29
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 450
Максимальный ток эмиттера, А 150
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 3.2
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 50
Напряжение изоляции, В 2500
Вес:310 гр.
Информация о бренде
MitsubishiСайт производителя: Mitsubishi
О производителе
Все товары бренда: Mitsubishi

Документация

CM75E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 75A 4 поколение F серия (печатный каталог ПЛАТАН)

Поиск документации на CM75E3U-24F 

Силовые модули Mitsubishi

Аналоги и замены для CM75E3U-24F

Для подбора аналогов обратитесь в службу технической поддержки.

Доставка и оплата

Доставка

  • самовывоз из офиса в Москве
  • курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
  • ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
  • почта России
  • экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Оплата

  • самовывоз из офиса в Москве
  • курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
  • ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
  • почта России
  • экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Гарантия

  • гарантия 6 месяцев
  • собственный сервисный центр
  • ремонт измерительных приборов и паяльных станций

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Корзина

Товар добавлен в корзину!