MLF2012DR10JT000, SMD индуктивность 100 нГн 5% 300мА 0805
MLZ2012DR10DT000, SMD индуктивность 0.1 мкГн 20% 1.15А 0805
MLF2012DR10KT000, 0.1 мкГн, 0805, 10%, Индуктивность SMD
MLZ1608DR10DT000, 0.1 мкГн, 0603, 20%, Индуктивность SMD
MLZ2012DR10DT000, 0,1 мкГн, 0805, 20%, Индуктивность SMD
B82498F3101J, B82498F3101J000, SMD индуктивность 0805 5% 0.1uH 0.45 A
IHLP2020CZERR10M01, Inductor Power Shielded Wirewound 100 нГн 20% 100кГц Powdered Iron 23A
IHLP2525CZERR10M01, Inductor Power Shielded Wirewound 0.1 мкГн 20% 100кГц Powdered Iron