Mitsubishi Electric: новая серия кремниевых SiC транзисторов 1200В

Компания Mitsubishi Electric Corporation объявила о выпуске новой N-серии кабрид-кремниевых полевых транзисторов (SiC-MOSFET) на 1200 В, которые отличаются малыми потерями мощности и стойкостью к самосрабатыванию. Применение новых транзисторов позволит сократить потери мощности  и сократить габариты источников питания, работающих на высоковольтном преобразовании, таких как системы бортовой зарядки электромобилей, фотогальванические системы питания и др.
Впервые транзисторы будут представлены на выставке PCIM Asia 2020 в Шанхае в ноябре этого года.

Номенклатура транзисторов серии N 1200V

Особенности транзисторов N-серии

1. Сокращение потребляемой мощности и габаритов источника питания

- технология JFET транзисторов сокращает как потери на переключение, так и сопротивление канала в открытом состоянии, что позволяет достичь лучшего в индустрии показания FOM 1,450мОм мС. Мощность потребления систем питания сокращается примерно на 85% по сравнению с применением обычного кремниевого IGBT транзистора.

- благодаря уменьшению зеркального сопротивления в 14 раз улучшается стойкость транзистора к самосрабатыванию по сравнению с компонентами конкурентов. Таким образом можно достичь повышенной скорости срабатывания и снизить потери на переключение.

- уменьшение потерь на срабатывание позволяет уменьшить габаритные размеры и упростить систему охлаждения, а также сократить число внешних периферийных компонентов обвязки такие конструкторские изменения позволят уменьшить стоимость систем обеспечения питанием оборудования.

2. Шесть моделей для различных применений, включая стандарт AEC-Q101

- линейка транзисторов новой серии N включает модели, сертифицированные по стандарту AEC-Q101. Таким образом, карбид-кремниевые полевые транзисторы серии N можно использовать не только в промышленном оборудовании (например, в фотовольтаических системах), но и в автоэлектронике для бортовых систем подзарядки электромобилей.