NTHS4101PT1G, транзистор NTHS4101PT1G

Номенклатурный номер: 2011484635
Производитель: ONS

Изображения и чертеж служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 2011484635
Артикул: NTHS4101PT1G
Производитель: ONS
Заводская упаковка: катушка по 3000 шт.

NTHS4101PT1G (datasheet)

Наличие: под заказ

Поставка: по запросу менеджеру

Цены (уточняются по запросу на почту):

от 100 - 31.80 руб.

Технические
характеристики

Технические характеристики

Документация

NTHS4101PT1G (datasheet)

Сайт производителя: ONS

Доставка

Мы работаем с разными грузовыми компаниями:

самовывоз из офиса в Москве
курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
почта России
экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Оплатить товар можно:

Банковским переводом
Наличными при получении товара (для клиентов из Москвы и Санкт-Петербурга)
Пластиковой картой Visa/MasterCard/Мир (кроме клиентов с самовывозом из Санкт-Петербурга)

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Наименование	Цены, руб. с НДС	Условие поставки	Наличие	В корзину
NTHS4101PT1G, транзистор NTHS4101PT1G ONS номенклатурный номер 2011484635	от 100 - 31.80 от 70 - 32.27 от 40 - 32.73 от 10 - 33.20 от 1 - 38.00	под заказ цена ориентировочная	нет мин.заказ 100

+7(495) 97-000-99
®ПЛАТАН с 1991 г.
www.platan.ru с 1997 г.

Для улучшения работы сайта и его взаимодействия с пользователями мы используем файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, Вы разрешаете использование cookie-файлов. Вы всегда можете отключить файлы cookie в настройках Вашего браузера.

Производитель	ONS
Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	6.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	42
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.3
Температура, С	-55...+150
Корпус	CHIPFET8
Вес:	0.40 гр.