SIHB12N65E-GE3, транзистор MOSFET N канал 650В 12A 3-Pin D2PAK

Номенклатурный номер: 2013059103
Производитель: VISHAY

Изображения и чертеж служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 2013059103
Артикул: SIHB12N65E-GE3
Производитель: VISHAY

SIHB12N65E-GE3 (datasheet)

Наличие: под заказ

Поставка: по запросу менеджеру

Цены (уточняются по запросу на почту):

от 5000 - 134.87 руб.

Технические
характеристики

Технические характеристики

Документация

SIHB12N65E-GE3 (datasheet)

Сайт производителя: VISHAY

Доставка

Мы работаем с разными грузовыми компаниями:

самовывоз из офиса в Москве
курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
почта России
экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Оплатить товар можно:

Банковским переводом
Наличными при получении товара (для клиентов из Москвы и Санкт-Петербурга)
Пластиковой картой Visa/MasterCard/Мир (кроме клиентов с самовывозом из Санкт-Петербурга)

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Наименование	Цены, руб. с НДС	Условие поставки	Наличие	В корзину
SIHB12N65E-GE3, транзистор MOSFET N канал 650В 12A 3-Pin D2PAK VISHAY номенклатурный номер 2013059103	от 5000 - 134.87 от 3500 - 138.25 от 2000 - 141.62 от 500 - 145.00 от 1 - 160.00	под заказ цена ориентировочная	нет мин.заказ 5000

+7(495) 97-000-99
®ПЛАТАН с 1991 г.
www.platan.ru с 1997 г.

Для улучшения работы сайта и его взаимодействия с пользователями мы используем файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, Вы разрешаете использование cookie-файлов. Вы всегда можете отключить файлы cookie в настройках Вашего браузера.

Производитель	VISHAY
Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	12
Корпус	D2Pak(TO-263)