Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

IPB017N08N5ATMA1, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

Номенклатурный номер: 2014980422
Производитель: Infineon

Номенклатурный номер: 2014980422

IPB017N08N5ATMA1, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263 InfineonIPB017N08N5ATMA1, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263 Infineon
Изображения и чертеж служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Артикул: IPB017N08N5ATMA1

Производитель INFINEON
Корпус TO-263
Наличие:  2 шт
Поставка: завтра (после оплаты)
Цены :
от 4 - 342.11 руб.
от 3 - 343.41 руб.
от 3 - 344.70 руб.
от 2 - 346.00 руб.
от 1 - 360.00 руб.
Потребуется 100% предоплата
мин.заказ 1
IPB017N08N5ATMA1, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

Технические характеристики

Производитель Infineon
Корпус TO-263
Информация о бренде
InfineonСайт производителя: Infineon
О производителе
Все товары бренда: Infineon

Документация

Поиск документации на IPB017N08N5ATMA1 

Аналоги и замены для IPB017N08N5ATMA1   сравнить все

Фото Наименование Наличие Цена
IRF3205STRLPBF, D2Pak (TO-263)

IRF3205STRLPBF, D2Pak (TO-263)
Infineon

505 шт. от 37.15 руб./шт от 250 шт
IRF5210S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

IRF5210S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
EVVO

20 шт. от 49.10 руб./шт от 20 шт
4N0404 TO263-VB, Транзистор , 40V 100A 5m@10V 1 N-Channel TO-263 MOSFETs ROHS

4N0404 TO263-VB, Транзистор , 40V 100A 5m@10V 1 N-Channel TO-263 MOSFETs ROHS
VBsemi

поставка 5 рабочих дней от 129.25 руб./шт от 200 шт
BL3N150-B, TO-263  MOSFETs, Транзистор полевой

BL3N150-B, TO-263 MOSFETs, Транзистор полевой
BELLING

поставка 5 рабочих дней от 262.25 руб./шт от 20 шт
BUK964R7-80E.118, , корпус TO263

BUK964R7-80E.118, , корпус TO263
NEX-NXP

поставка 1-2 раб.дня от 114.84 руб./шт от 4 шт
BUK965R8-100E.118, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

BUK965R8-100E.118, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
NEX-NXP

поставка 1-2 раб.дня от 102.45 руб./шт от 4 шт
BUZ30AH3045AATM A1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3] [EOL]

BUZ30AH3045AATM A1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3] [EOL]
Infineon

поставка 5 рабочих дней от 98.03 руб./шт от 200 шт
CJB3R0SN10B, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

CJB3R0SN10B, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
JSCJ

поставка 1-2 раб.дня от 72.92 руб./шт от 4 шт
CRTS240N20N, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

CRTS240N20N, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
CRMICRO

поставка 1-2 раб.дня от 60.78 руб./шт от 4 шт
F3205ZS-VB, TO-263  MOSFETs ROHS, Транзистор

F3205ZS-VB, TO-263 MOSFETs ROHS, Транзистор
VBsemi

поставка 5 рабочих дней от 518.42 руб./шт от 20 шт
FCB110N65F, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

FCB110N65F, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
ONS

поставка 1-2 раб.дня от 875.59 руб./шт от 4 шт
FDB2532-VB, МОП-Транзистор TO-263 МОП-Транзистор

FDB2532-VB, МОП-Транзистор TO-263 МОП-Транзистор
VBSEMI

поставка 1-2 недели от 209.39 руб./шт от 800 шт
HUF76429S3ST, Транзистор, UltraFET, N-канал, 60В, 44А [TO-263AB / D2-PAK]

HUF76429S3ST, Транзистор, UltraFET, N-канал, 60В, 44А [TO-263AB / D2-PAK]
ONS

поставка 5 рабочих дней от 259.21 руб./шт от 20 шт
IPB072N15N3GATMA1, Транзистор, N-MOSFET, 150В, 100А, 300Вт, 0.0072Ом [TO-263.]

IPB072N15N3GATMA1, Транзистор, N-MOSFET, 150В, 100А, 300Вт, 0.0072Ом [TO-263.]
Infineon

поставка 5 рабочих дней от 200.30 руб./шт от 20 шт
IRF1404ZSTRLPBF, Транзистор N-MOSFET 40В 120/180A 200Вт 0.0037Ом [D2PAK / TO-263.]

IRF1404ZSTRLPBF, Транзистор N-MOSFET 40В 120/180A 200Вт 0.0037Ом [D2PAK / TO-263.]
Infineon

поставка 5 рабочих дней от 212.08 руб./шт от 20 шт
IRF3205S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

IRF3205S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
EVVO

поставка 1-2 раб.дня от 35.65 руб./шт от 312 шт
IRF3205S, IRF3205S JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 110 А, TO-263 (D2PAK)

IRF3205S, IRF3205S JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 55 В, 110 А, TO-263 (D2PAK)
JSMSEMI

поставка 2-3 раб.дня от 38.76 руб./шт от 200 шт
IRF3710S, Транзистор N-MOSFET 100В 80А 125Вт 0.008Ом [D2PAK / TO-263.]

IRF3710S, Транзистор N-MOSFET 100В 80А 125Вт 0.008Ом [D2PAK / TO-263.]
EVVO

поставка 5 рабочих дней от 104.57 руб./шт от 200 шт
IRF4905S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

IRF4905S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
EVVO

поставка 1-2 раб.дня от 46.05 руб./шт от 240 шт
IRF4905STRLPBF, полевой транзистор, P-канальный, 55В, 42А, 170Вт, DDPAK, D2PAK, SOT404, TO-263 = Inf

IRF4905STRLPBF, полевой транзистор, P-канальный, 55В, 42А, 170Вт, DDPAK, D2PAK, SOT404, TO-263 = Inf
Fulihao Tech

под заказ от 41.72 руб./шт от 5000 шт
IRF5210S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

IRF5210S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
EVVO

поставка 1-2 раб.дня от 44.38 руб./шт от 270 шт
IRF5210S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

IRF5210S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
EVVO

под заказ от 40.58 руб./шт от 20 шт
IRF5305S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

IRF5305S, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
EVVO

поставка 1-2 раб.дня от 38.08 руб./шт от 291 шт
IRF5305S, IRF5305S JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -55 В, -20 А,60 мОм, TO-263 (D2PAK)

IRF5305S, IRF5305S JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -55 В, -20 А,60 мОм, TO-263 (D2PAK)
JSMSEMI

поставка 2-3 раб.дня от 39.83 руб./шт от 150 шт
IRF5305S, Транзистор P-MOSFET 60В 35А 110Вт 0.055Ом [TO-263.]

IRF5305S, Транзистор P-MOSFET 60В 35А 110Вт 0.055Ом [TO-263.]
JSMicro

поставка 5 рабочих дней от 104.57 руб./шт от 200 шт
IRF5305STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 31А 110Вт [TO-263]

IRF5305STRL, Транзистор P-MOSFET 60В 31А 110Вт [TO-263]
UMW

поставка 5 рабочих дней от 65.35 руб./шт от 200 шт
IRF530NS, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

IRF530NS, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
JSMICRO

поставка 1-2 раб.дня от 19.32 руб./шт от 4 шт
IRF530NS, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263

IRF530NS, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус TO263
EVVO

поставка 1-2 раб.дня от 16.47 руб./шт от 4 шт
IRF530NS, IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263(D2P

IRF530NS, IRF530NS HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 33 А, 38 мОм, 53 нКл, TO-263(D2P
JSMSEMI

поставка 2-3 раб.дня от 37.56 руб./шт от 50 шт
IRF530NS, Транзистор N-MOSFET 100В 18А 59Вт 0.085Ом [D2PAK / TO-263.]

IRF530NS, Транзистор N-MOSFET 100В 18А 59Вт 0.085Ом [D2PAK / TO-263.]
EVVO

поставка 5 рабочих дней от 58.82 руб./шт от 200 шт

Для подбора аналогов обратитесь в службу технической поддержки.

Доставка и оплата

Доставка

  • самовывоз из офиса в Москве
  • курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
  • ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
  • почта России
  • экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Оплата

  • самовывоз из офиса в Москве
  • курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
  • ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
  • почта России
  • экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Гарантия

  • гарантия 6 месяцев
  • собственный сервисный центр
  • ремонт измерительных приборов и паяльных станций

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Корзина

Товар добавлен в корзину!