GT50JR22, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO3P

Номенклатурный номер: 2015148517
Производитель: Toshiba

Номенклатурный номер: 2015148517

GT50JR22, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO3P Toshiba

Изображения и чертеж служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Артикул: GT50JR22

Производитель	TOSHIBA
Корпус	TO-3P

Наличие: 3500 шт

Поставка: завтра (после оплаты)

Цены :

от 87 - 133.58 руб.
от 68 - 140.05 руб.
от 48 - 146.53 руб.
от 29 - 153.00 руб.
от 1 - 160.00 руб.
Потребуется 100% предоплата

этот же товар с другими сроками поставки,
оптимизация цены от количества

Технические характеристики

Информация о бренде

Сайт производителя: Toshiba
Все товары бренда: Toshiba

Документация

GT50JR22 (datasheet)

Аналоги и замены для GT50JR22 сравнить все

Фото	Наименование	Наличие	Цена
	RJH3047DPK, Биполярный транзистор IGBT, 330 В, 50 А Renesas	поставка 3-4 раб.дня	от 132.85 руб./шт от 120 шт
	STGWT30V60DF, Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В STM	поставка 3-4 раб.дня	от 183.04 руб./шт от 30 шт
	GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C] Toshiba	поставка 5 рабочих дней	от 1178.22 руб./шт от 20 шт
	FGA60N65SMD, Транзистор IGBT 650В 120А 600Вт [TO-3PN.] ONS	поставка 5 рабочих дней	от 695.15 руб./шт от 20 шт
	FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN] [EOL] ONS	поставка 5 рабочих дней	от 388.81 руб./шт от 20 шт
	GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)] Toshiba	поставка 5 рабочих дней	от 2208.67 руб./шт от 20 шт
	MSG30D120FLB, Транзистор IGBT 1200В 30А 342Вт [TO-3PB] MASPOWER	поставка 5 рабочих дней	от 589.11 руб./шт от 20 шт
	CRG15T120BNR3S, Транзистор IGBT 1200В 15А 156Вт Trench FS-RC III [TO-3P(N)] CRMICRO	поставка 5 рабочих дней	от 195.74 руб./шт от 16 шт
	CRG40T60AN3H, Транзистор IGBT 600В 40А 280Вт Trench FS III [TO-3P(N)] CRMICRO	поставка 5 рабочих дней	от 188.51 руб./шт от 20 шт
	CRG40T65AN5H, Транзистор IGBT 650В 40А 250Вт Trench FS V [TO-3P(N)] CRMICRO	поставка 5 рабочих дней	от 212.08 руб./шт от 20 шт
	SGT50T65FD1PN, Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 650В 50A 235Вт Silan	поставка 3-4 раб.дня	от 102.53 руб./шт от 150 шт

Для подбора аналогов обратитесь в службу технической поддержки.

Фото	Наименование	Наличие	Цена
	ЭПСН- 25ВТ 230В, паяльник со см. жалом ф4мм дер.ручка нерж. корпус Слюдяная Фабрика	5 шт.	от 644.29 руб./шт за 30 шт
	ЭПЦН- 18ВТ 230В, паяльник дер.ручка жало Ф4мм Слюдяная Фабрика	2 шт.	от 216.24 руб./шт за 50 шт

Наименование	Цены, руб. с НДС	Условие поставки	Наличие
GT50JR22, транзистор IGBT TO-3P(N) Toshiba номенклатурный номер 2017310193	от 200 - 110.72 от 140 - 117.81 от 80 - 124.91 от 20 - 132.00 от 1 - 160.00	со склада	480 шт. мин.заказ 1
GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт Toshiba номенклатурный номер 2013781305	от 400 - 134.44 от 200 - 134.44 от 100 - 136.39 от 50 - 144.21 от 1 - 154.29 Потребуется 100% предоплата	3-4 раб.дня	2845 шт. мин.заказ 3
GT50JR22, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO3P Toshiba номенклатурный номер 2015148517	от 87 - 133.58 от 68 - 140.05 от 48 - 146.53 от 29 - 153.00 от 1 - 160.00 Потребуется 100% предоплата	1-2 раб.дня	3500 шт. мин.заказ 1