IGP40N65H5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт

Номенклатурный номер: 2015442776
Производитель: Infineon

Изображения и чертеж служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 2015442776
Артикул: IGP40N65H5XKSA1
Производитель: Infineon

IGP40N65H5XKSA1 (datasheet)

Наличие: 68 шт

Поставка: 16 февраля на складе в Москве (после оплаты)

Цены :

от 35 - 287.26 руб.
от 18 - 293.87 руб.
от 9 - 300.10 руб.
от 5 - 304.80 руб.
от 2 - 308.56 руб.
Потребуется 100% предоплата

Технические
характеристики

Технические характеристики

Документация

IGP40N65H5XKSA1 (datasheet)

Сайт производителя: Infineon

Доставка

Мы работаем с разными грузовыми компаниями:

самовывоз из офиса в Москве
курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
почта России
экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Оплатить товар можно:

Банковским переводом
Наличными при получении товара (для клиентов из Москвы и Санкт-Петербурга)
Пластиковой картой Visa/MasterCard/Мир (кроме клиентов с самовывозом из Санкт-Петербурга)

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Производитель	Infineon
Максимальное напряжение кэ ,В	650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A	74
Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A	46
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.65
Мощность макс.,Вт	255
Корпус	TO220
Вес:	2 гр.