1N60G, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT223

Номенклатурный номер: 2015985935
Производитель: YOUTAI

Номенклатурный номер: 2015985935

1N60G, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT223 YOUTAI

Изображения и чертеж служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Артикул: 1N60G

Производитель	YOUTAI
Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	8
Корпус	SOT-223-3
все параметры

Наличие: 2982 шт

Поставка: 1-3 раб.дня (после оплаты со склада в Москве)

Цены :

от 1200 - 11.67 руб.
от 933 - 13.51 руб.
от 667 - 15.36 руб.
от 400 - 17.20 руб.
от 1 - 19.00 руб.
Потребуется 100% предоплата

Корпус SOT223 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 8.5 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 4.8 нКл, Ёмкость затвора 150 пФ

Технические характеристики

Информация о бренде

Все товары бренда: YOUTAI

Документация

1N60G (datasheet)

Аналоги и замены для 1N60G сравнить все

Фото	Наименование	Наличие	Цена
	1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А 8Вт 8.5Ом [SOT-223.] UMW	под заказ	от 22.22 руб./шт от 200 шт
	1N60AA3, N-канальный силовой MOSFET, 600В, 1А, 8Вт (SOT-223) = 1N60G-AA3-R (UTC) Fulihao Tech	под заказ	от 7.37 руб./шт от 3000 шт
	1N60G, 1N60G, полевой транзистор (MOSFET) HXY, N-канал, 600 В, 1 А, 12 Ом, 4 нКл, корпус SOT-223 HXY	поставка 5 рабочих дней	от 5.78 руб./шт от 1000 шт

Для подбора аналогов обратитесь в службу технической поддержки.

Фото	Наименование	Наличие	Цена
	WBU-202, беспаечная макетная плата 166 x 54мм (MB-102) Китай	3 шт.	от 179.26 руб./шт за 30 шт