IKW50N65ES5XKSA1, IKW50N65ES5XKSA1, IGBT транзистор Infineon Technologies, 650В, 80А, 274Вт, корпус

Номенклатурный номер: 2017139176
Производитель: Infineon Technologies

Изображения и чертеж служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 2017139176
Артикул: IKW50N65ES5XKSA1
Производитель: Infineon Technologies

Наличие: 118 шт

Поставка: послезавтра (после оплаты)

Цены :

от 20 - 399.74 руб.
от 14 - 408.49 руб.
от 8 - 417.25 руб.
Потребуется 100% предоплата

Описание

Тип: IGBT; Мощность: рассеиваемая (Pd) - 274 Вт; Диапазон рабочих температур: -40…+175 °С; Описание: IGBT Trench 650 V 80 A 274 W Through Hole PG-TO247-3; Вес брутто: 8.50; Корпус: TO-247; Способ монтажа: Through Hole; Упаковка: TUBE, 30 шт.; MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1

Документация

Поиск документации на IKW50N65ES5XKSA1

Доставка

Мы работаем с разными грузовыми компаниями:

самовывоз из офиса в Москве
курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
почта России
экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Оплатить товар можно:

Банковским переводом
Наличными при получении товара (для клиентов из Москвы и Санкт-Петербурга)
Пластиковой картой Visa/MasterCard/Мир (кроме клиентов с самовывозом из Санкт-Петербурга)

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.