транзисторы биполярные импортные REASUNOS₂

Показать списком

Сортировка по цене:

Код: 2015983761

REASUNOS

RSG40N120HW, Биполярный транзистор с изолированным затвором 40А 1200В

137 шт

190.00	/шт от 1 шт
180.00	/шт от 30 шт

Код: 2015860255

REASUNOS

RSG75N65HW, биполярный транзистор с изолированным затвором IC=75А VCES=650 В

21 шт

190.00	/шт от 1 шт
170.00	/шт от 30 шт

DPAK/TO-252AA
ISOWATT218
MT-200
SC-74-6
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-18 (TO-206AA)
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220C
TO-220F
TO-220FA
TO-220FP
TO-247
TO-251
TO-252
TO-263
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TSSOP-6

Производитель
----- AMPLEON BLUE ROCKET BOURNS BROADCOM/AVAGO CDIL CENTRAL CJ DC COMPONENTS DI DIODES INC DIODES INC. DIODESZETEX DIOTEC FAIR/ONS FAIRCHILD (ON S FUJI FUJI ELECTRIC FUJITSU FULIHAO TECH FZT GALAXY GOFORD HITACHI HOTTECH HUAAOE ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON ISC ISCSEMI IXYS JCET JILIN SINO JSCJ JSMICRO KEC KINGTRONICS KUU LGE LRC MATSUSHITA MCC MDD MICRO COMMERCIA MOSPEC MOTOROLA NEC NEX-NXP NTE ELECTRONICS NXP SEMICONDUCT ONS PANASONIC PHI PHILIPS POWER MATE REASUNOS RENESAS ROHM SANKEN SANYO SCHN SEMTECH SHIKUES SMARTMODULE SPTECH STM TI TOPDIODE MANUFA TOPDIODES TOSHIBA UMW UTC VBSEMI VISHAY WAYON WEEN SEMICOND YJ ZH ZTX ИНТЕГРАЛ КИТАЙ КРЕМНИЙ РОССИЯ ТАЙВАНЬ
Структура
NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон PNP с резист.сборкой
U_{кбо максимальное},В
12 20 25 30 32 35 40 45 50 60 80 100 125 140 160 180 230 250 300 400 450 500 1500
U_{кэ максимальное},В
12 20 25 30 32 35 40 45 50 60 65 80 100 120 125 150 160 180 230 250 300 350 400 450 600 700 1500
I_{ток коллектора},А
0.05 0.1 0.12 0.15 0.2 0.225 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 5 6 7 8 10 15
h_{fe коэффициент передачи}
5 5.5 8 10 16 20 25 30 40 50 53 55 60 70 100 110 120 125 140 160 180 200 220 230 250 290 420 475 500 520 750 1000 1500 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 4.5
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
f_{граничная частота},МГц
1 3 6 9 15 20 30 40 50 60 80 85 100 125 145 150 170 175 180 200 210 250 300 400 9000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.7 0.75 0.8 0.83 1 1.5 1.75 2 3 12.5 15 20 35 36 40 45 50 60 65 70 80 125 150
Корпус

транзисторы биполярные импортные REASUNOS2

транзисторы биполярные импортные REASUNOS₂