MOSFET транзисторы SemiHow
Корейский производитель полупроводниковых приборов SEMIHOW представляет на Российском рынке линейку Полевых Транзисторов(MOSFET) для увеличения эффективности работы оборудования и обеспечение высоких удельных показателей по току и передаваемой мощности . Транзисторы сочетают в себе низкое удельное сопротивление в открытом состоянии, увеличенное быстродействие, высокую стойкость к лавинному пробою и широкий выбор диапазона по рабочему току от 1 до 50 А и по напряжению от 60 до 900 В. Применение таких транзисторов подходит для производства импульсных AC-DC источниках питания небольшой мощности, сварочных аппаратов, в зарядных устройствах, в блоках аварийного питания (UPS), электронных балластах люминесцентных и LED ламп и прочего применения где требуется качественные и надежные показатели работоспособности оборудования с применением MOSFET транзисторов.
Характеристики продукции MOSFET SEMIHOW:
—Напряжение сток-исток V(dss) от 60~900 В—Непрерывный ток нагрузки I(d) от 1~50 А
—Низкое сопротивление открытого канала R(ds)
—Улучшенное быстродействие
—Высокая стойкость к лавинному пробою
—Конкурентная низкая цена
—Отвечает требованиям директивы RoHS
Пример использования транзисторов в электронном балласте люминесцентной лампы:
Наименование | Vdss, В | Корпус | Rds(on) тип., Ом | Ток Id 25°C, A | Ток Id 100°C, A | Qg, нКл | |
T1 | 500 | TO220 | 1.5 | 4.5 | 2.9 | 18 | |
HFP9N50 |
0.73 | 9 | 5.7 | 35 | |||
HFP13N50S |
0.39 | 13 | 8 | 38 | |||
HFP18N50U |
0.22 | 18 | 11.4 | 58 | |||
HFP7N60 |
600 | 0.96 | 7 | 4.4 | 30 | ||
HFP10N60 |
0.64 | 9.5 | 6.03 | 44 | |||
T2 | 400 | 0.8 | 5.5 | 3.5 | 18 | ||
500 | 1.2 | 4.5 | 2.9 | 18 | |||
HFP13N50 |
0.39 | 13 | 8 | 38 | |||
HFP7N60 |
600 | 0.96 | 7 | 4.4 | 30 |
Запросы на бесплатные образцы отправляйте на почту:
Sergei Morozov
s.morozov@platan-energo.ru
Helen Tatarskaya
helen@platan.ru
Дополнительная информация
— Сайт производителя
— Каталог продукции