Расширение линейки MOSFET от компании Hottech

mosfet Компания Hottech расширила линейку P-канальных и N-канальных MOSFET в корпусах PDFN3333, PDFN5X6, TO-252, SOT-23, с максимальным напряжением до 200В, максимальной силой тока до 150А, максимальной мощностью до 108Вт, минимальным сопротивлением канала в открытом состоянии от 2мОм.

Областью применения данных MOSFET являются электроприборы, зарядные устройства, умные розетки, портативные источники питания, адаптеры, инвертеры, электронные сигареты, роботы-уборщики.

Технические характеристики

Парт-номер	Корпус	Тип канала	VDS(V)	ID(A)	RDS(ON)(Ω)	VGS(th)(V)	VGS(th)(V)	PD(W)
HKTQ30P03	PDFN3333	P	-30	-60	0.0074	-1	-2	32
HKTQ50N03	PDFN3333	N	30	50	0.0068	1	3	37
HKTQ60N02	PDFN3333	N	20	50	0.0045	0.5	1	83
HKTQ65N03	PDFN3333	N	30	65	0.0038	1	2.5	37
HKTQ80N03	PDFN3333	N	30	80	0.0043	1	2.5	37
HKTG50N03	PDFN5X6	N	30	50	0.0068	1	3	37
HKTG90N03	PDFN5x6	N	30	90	0.0038	1.2	2.5	90
HKTG150N03	PDFN5x6	N	30	150	0.002	1.1	2.4	75
HKTG48N10	PDFN5x6	N	100	79	0,008	1.2	2.5	100
HKTD20N06	TO-252	N	60	20	0,028	1	2,5	45
HKTD50N03	TO-252	N	30	50	0.0068	1	3	37
HKTD50N06	TO-252	N	60	50	0.0135	1	2,5	45
HKTD70N04	TO-252	N	40	70	0.0075	1	2	108
HKTD80N03	TO-252	N	30	80	0.0048	1	2,5	60
HKTD80N06	TO-252	N	60	80	0.0065	2	4	100
HKTD90N03	TO-252	N	30	90	0.0038	1.2	2.5	90
HKTD120N04	TO-252	N	40	120	0.0017	1.1	2.2	110
HKTD15N10	TO-252	N	100	15	0,08	1	2,5	34
HKTD5N20	TO-252	N	200	5	0.57	2	4	78
HKT02N10	SOT-23	N	100	2	0.32	0.8	1.6	1
HKT05N10	SOT-23-3L	N	100	5	0.115	1.2	2.5	3
HKTD4N50	TO-252	N	500	5	1,45	2	4	22
HKTD4N65	TO-252	N	650	4	2,22	2	4	23,1
HKTD5N50	TO-252	N	500	5	1,45	2	4	22
HKTD7N65	TO-252	N	650	7	1,08	2	4	27,2

Вернуться к списку новостей