SiC транзисторы 1200В от SUNCOYJ

Купить

Ключевыми компонентами преобразователей энергии сегодня становятся SiC транзисторы. Благодаря высокочастотным характеристикам полупроводниковых материалов следующего поколения увеличивается частота переключения преобразователей, что позволяет, соответственно, оптимизировать энергопотребление и габариты конечных устройств.

Компания SUNCOYJ (YJ) анонсировала выпуск нового N-канального мощного полевого транзистора первого поколения на основе карбида кремния на 1200 В с низким сопротивлением канала в открытом состоянии Rdson=40 мОм. Транзисторы практически не имеют потерь на переключение и значительно снижают требования к теплоотводу.

Новая линейка транзисторов станет идеальным решением для быстрых зарядных станций электрического транспорта и других приложений, требующих высокой мощности при компактном исполнении.

Транзисторы прошли сложные отраслевые испытания надежности, включая тесты HTRB, HTGB и HV-H3TRB.

Особенности транзисторов
— высокая термостойкость, рабочая температура (150°C)
— встроенный диод с низким током восстановления
— высокая скорость срабатывания, низкие потери, подходят для высоковольтных и высокочастотных применений
— SiC транзисторы обладают отличными характеристиками импеданса и позволяют снизить энергопотери
— выпускаются в корпусах TO 247AB, TO247-4L и др.

Применение

Инвертеры солнечных батарей

Электромобили

Станции зарядки

Источники питания