Силовые IGBTи SiC модули

DG25X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699898

под заказ

870.00	/шт от 1 шт
685.00	/шт от 10 шт

DG30X06T2, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699899

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG30X07T2, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699900

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG40F12T2, Trench IGBT, FAST
starpower 2015699901

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG40Q12T2LZ, Advanced Trench FS Fast IGBT
starpower 2015699902

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG40X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699903

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG50Q12T2, Advanced Trench FS Fast IGBT
starpower 2015699907

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG50X06T2, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699904

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG50X07T2, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699905

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG50X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699906

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG50X12T3, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699908

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG75Q12T2, Advanced Trench FS Fast IGBT
starpower 2015699909

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG75X07T2L, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699911

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG75X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699912

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DG75X12T3, Trench FS IGBT, Low Loss
starpower 2015699910

под заказ

9200.00	/шт от 1 шт
8590.00	/шт от 10 шт

DGD600H120L2T, IGBT модуль 600А 1200В EconoDUAL3
WXDH Electronic 2016569666

под заказ

17700.00	/шт от 1 шт
14200.00	/шт от 2 шт

DGW40N120CTL, IGBT модуль, 1200B, 40A, 428Вт (TO-247)
YJ 2015698001

под заказ

430.00	/шт от 1 шт
339.00	/шт от 200 шт

EVA01-SLIM, IGBT отладочная плата
Mitsubishi 39276123

под заказ

28500.00	/шт от 1 шт
26700.00	/шт от 2 шт

FF1200R17KE3, модуль IGBT 1700В 1200A = CM1200DC-34N,2MBI1200VT-170E
Infineon 2015809442

документация

под заказ

85600.00	/шт от 1 шт
77800.00	/шт от 2 шт

FF1200R17KP4_B2, IGBT модуль 1200А 1700В
Infineon 2015849376

под заказ

118000.00	/шт от 1 шт
107000.00	/шт от 10 шт

FF1400R17IP4, IGBT модуль 1400А 1700В 2010г
Infineon 17883301

под заказ

211000.00	/шт от 1 шт
211000.00	/шт от 2 шт

FF1500R17IP5, IGBT модуль 1500А 1700В
Infineon 2016852722

под заказ

241000.00	/шт от 1 шт
220000.00	/шт от 5 шт

FF1800R17IP5, IGBT Module N-CH 1700V 1800A 14-Pin
Infineon 2015940335

под заказ

119000.00	/шт от 1 шт
118000.00	/шт от 3 шт

FF1800R17IP5, IGBT модуль 1800А 1700В
Infineon 2016852721

под заказ

121000.00	/шт от 1 шт
110000.00	/шт от 5 шт

FF225R12ME4, IGBT module, 1200 V, 225 A dual
Infineon 2015861681

под заказ

12500.00	/шт от 1 шт
11800.00	/шт от 6 шт

FF400R12KE3, infineon
Infineon 2016020259

под заказ

16400.00	/шт от 1 шт
15800.00	/шт от 1 шт

FF450R12ME4, IGBT модуль 1200В 450А =CM450DX-24T,GD450HFY120C6S
Infineon 2015931407

документация

под заказ

13300.00	/шт от 1 шт
11100.00	/шт от 50 шт

FM200TU-07A, транзистор 6-MOSFET 75V 100A
Mitsubishi 655476546

документация

под заказ

23400.00	/шт от 1 шт
20300.00	/шт от 5 шт

FM200TU-2A, транзистор 6-MOSFET 100В 100A
Mitsubishi 753776665

документация

под заказ

23400.00	/шт от 1 шт
20300.00	/шт от 5 шт

FM200TU-3A, транзистор 6-MOSFET 150В 100A
Mitsubishi 355357524

документация

под заказ

23400.00	/шт от 1 шт
20300.00	/шт от 5 шт

FM400TU-2A, транзистор 6-MOSFET 100В 200A
Mitsubishi 526200140

документация

под заказ

27800.00	/шт от 1 шт
24100.00	/шт от 3 шт

FM400TU-3A, транзистор 6-MOSFET 150В 200A
Mitsubishi 658253730

документация

под заказ

27800.00	/шт от 1 шт
24100.00	/шт от 3 шт

FM600TU-2A, транзистор 6-MOSFET 100В 300A
Mitsubishi 111575670

документация

под заказ

33000.00	/шт от 1 шт
29400.00	/шт от 2 шт

FMF800DX-24A, IGBT модуль
Mitsubishi 2011876713

под заказ

247000.00	/шт от 1 шт
227000.00	/шт от 2 шт

FNA41060, FNA41060
ONS 2015371761

под заказ

1400.00	/шт от 1 шт
1330.00	/шт от 2 шт

FS75R17KE3, IGBT Modules N-CH 1.7KV 130A
Infineon 2015939928

под заказ

19200.00	/шт от 1 шт
18300.00	/шт от 6 шт

FS75R17KE3, модуль 75А 1700В
Infineon 2015944117

под заказ

25400.00	/шт от 1 шт
21300.00	/шт от 10 шт

FS820R08A6P2LB, силовой модуль 750В 820А
Infineon 2015932069

под заказ

73600.00	/шт от 1 шт
61400.00	/шт от 2 шт

FS820R08A6P2LB, силовой модуль 750В 820А
Infineon 2015891126

под заказ

32700.00	/шт от 1 шт
31700.00	/шт от 2 шт

FZ1600R12HP4, Модуль IGBT 1600А 1200В
Infineon 2015810643

под заказ

108000.00	/шт от 1 шт
97900.00	/шт от 10 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1148

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₄₈