CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия Mitsubishi, купить

CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия Mitsubishi

Изображения служат только для ознакомления

Наличие: 1 шт. на складе в Москве

Цены:

от 20 - 22947.15 руб.
от 14 - 23331.43 руб.
от 8 - 23715.72 руб.
от 2 - 24100.00 руб.
от 1 - 26800.00 руб.

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 198187200
Артикул: CM400DY-12NF
Производитель: Mitsubishi
Заводская упаковка: в линейке/пенале по 6 шт.

Mitsubishi

Описание

IGBT модули серии NF представляют 5-ое поколение модулей Mitsubishi. Они предназначены для высоковольтной коммутации в составе силовых приводов асинхронных двигателей и высокочастотных преобразователей. Применяемые для их создания усовершенствованные технологии позволяют получить низкие напряжения насыщения и высокую скорость переключения, необходимые для функционирования на частотах до 20 кГц.
5-ое поколение модулей представляет синтез двух передовых технологий: технологии изготовления кристалла CSTBT и LPT пластины.

Отличительные особенности NF-модулей:
- повышенная стойкость к короткому замыканию,
- малая емкость затвора,
- низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
- стандартный корпус (аналог популярной H-серии),
- устойчивость к коротким замыканиям,
- улучшенная теплопроводность подложки из AlN,
- внутренняя индуктивность снижена в два раза по сравнению с H-серией.

Область применения:
- Инверторы
- Системы вторичного электропитания
- Производство электроэнергии; ветро и солнечные электростанции.
- Электросварочное оборудование
- Системы электроприводов

Показать весь тект

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Производитель	Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В	600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	1.7
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	400
Структура модуля	полумост
Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц	20
Входная емкость затвора,нФ	60
Драйвер управления	VLA503
Защита по току	нет
Защита от короткого замыкания	нет
Защита от перегрева	нет
Защита от пониженного напряжения питания	нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	1130
Максимальный ток эмиттера, А	800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6
Напряжение эмиттер-коллектор,В	1.7
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	200
Напряжение изоляции, В	2500
Вес:	180 гр.