Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2016990719

2B400M120S1P, Силовой модуль, 1200V 400A IGBT module

12 шт

6500.00	/шт от 1 шт
6010.00	/шт от 5 шт

Код: 2015912563

ABB

5SNG1000X170300, IGBT, 1700V 2 x 1000A

50 шт

91200.00	/шт от 1 шт
82900.00	/шт от 2 шт

Код: 618945890

Mitsubishi

CM1200DC-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A

34 шт

88600.00	/шт от 1 шт
82600.00	/шт от 10 шт

Код: 994415253

Mitsubishi

CM1200DC-34S, IGBT модуль 1200А 1700В

97 шт

91400.00	/шт от 1 шт
87100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015735271

Mitsubishi

CM150TX-24T#300G, модуль IGB T-Series NX-Type 150А 1200В

26 шт

19200.00	/шт от 1 шт
16600.00	/шт от 5 шт

Код: 197119052 лучшая цена

Mitsubishi

CM2400HCB-34N, модуль IGBT 1700В 2400A

4 шт

142000.00	/шт от 1 шт
137000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015732899

Mitsubishi

CM300DX-24T#111G, IGBT модуль 300 Ампер 1200 Вольт T-Серия =GD300HFY120C6S,FF300R12ME4

232 шт

9900.00	/шт от 1 шт
8580.00	/шт от 20 шт

Код: 2015469615

Mitsubishi

CM300DX-24T#330G, IGBT модуль 300 Ампер 1200 Вольт T-Серия

8 шт

12600.00	/шт от 1 шт
11400.00	/шт от 2 шт

Код: 2016422113

Mitsubishi

CM300DX-34T#111G, IGBT модуль 300 Ампер 1700 Вольт T-Серия =GD300HFX170C6S,FF300R17ME4

220 шт

11400.00	/шт от 1 шт
10700.00	/шт от 10 шт

Код: 2016852719

Mitsubishi

CM300DXP-24T#131G, IGBT модуль 300 Ампер 1200 Вольт T-Серия Pressfit

103 шт

10900.00	/шт от 1 шт
9610.00	/шт от 10 шт

Код: 2011429287 лучшая цена

Mitsubishi

CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В

6 шт

8900.00	/шт от 1 шт
8110.00	/шт от 2 шт

Код: 2012623544

Mitsubishi

CM450DX-24T#111G, IGBT модуль 450 Ампер 1200 Вольт T-Серия =FF450R12ME4,GD450HFY120C6S

122 шт

11400.00	/шт от 1 шт
10200.00	/шт от 10 шт

Код: 2013043111

Mitsubishi

CM450DX-34T#111G, IGBT модуль 450 Ампер 1700 Вольт T-Серия =GD450HFX170C6S,FF450R17ME4

331 шт

15300.00	/шт от 1 шт
13900.00	/шт от 20 шт

Код: 2014949165 лучшая цена

Mitsubishi

CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 450 Ампер 1700 Вольт T-Серия

1 шт

7500.00	/шт от 1 шт
6970.00	/шт от 2 шт

Код: 2011641319

Mitsubishi

CM600DX-34T#111G, IGBT модуль 600 Ампер 1700 Вольт T-Серия=GD600HFX170C6S,FF600R17ME4

237 шт (в резерве 6)

19800.00	/шт от 1 шт
18900.00	/шт от 10 шт

Код: 2016852720

Mitsubishi

CM600DXP-34T#131G, IGBT модуль 600 Ампер 1700 Вольт T-Серия Pressfit

52 шт (в резерве 6)

22700.00	/шт от 1 шт
20200.00	/шт от 5 шт

Код: 746757408

Mitsubishi

CM600HG-130H, модуль 1 IGBT 6500В 600A

17 шт

125000.00	/шт от 1 шт
120000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015776915 лучшая цена

Mitsubishi

CM800DU-12H, IGBT модуль 800А 600В

2 шт

28700.00	/шт от 1 шт
26000.00	/шт от 2 шт

Код: 496414075

Mitsubishi

CM800DZ-34H#301, модуль 2 IGBT 1700В 800A=GD800HFX170C3S,FF800R17KP4_B2

105 шт (в резерве 4)

60800.00	/шт от 1 шт
57700.00	/шт от 10 шт

Код: 2016019963 лучшая цена

Leapers

DFI200HF12DF1, IGBT модуль, 1200V, 200A, 62mm Half Bridge

24 шт

6300.00	/шт от 1 шт
5000.00	/шт от 3 шт

Код: 2016021347 лучшая цена

Leapers

DFI200HF17DF1, IGBT модуль, 1700V, 200A, 62mm, Half Bridge

10 шт

6700.00	/шт от 1 шт
5400.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912620 лучшая цена

Leapers

DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль, 1200V, 300A, полумост ED3, =CM300DX-24T, FF300R12ME7_B11

30 шт

8600.00	/шт от 1 шт
6930.00	/шт от 2 шт

Код: 2015928237 лучшая цена

Leapers

DFI300HF17DF1, IGBT модуль, 1700V, 300A Half Bridge 62 mm

28 шт

8600.00	/шт от 1 шт
7040.00	/шт от 3 шт

Код: 2016021342

Leapers

DFI300HF17I4RE1, IGBT модуль, 1700V, 300A, ED3 Half Bridge, альтернатива для CM300DX-34T, CM300DX-34

8 шт

10200.00	/шт от 1 шт
8350.00	/шт от 6 шт

Код: 2016021345

Leapers

DFI450HF12DF1, IGBT модуль, 1200V, 450A, 62mm, Half Bridge, =CM450DY-24T, FF450R12KE7_E

1 шт

8100.00	/шт от 1 шт
7390.00	/шт от 7 шт

Код: 2015912621 лучшая цена

Leapers

DFI450HF12I4ME1, IGBT модуль, 1200V, 450A, полумост ED3, = CM450DX-24T, FF450R12ME7_B11. FF450R12ME

10 шт

11300.00	/шт от 1 шт
9430.00	/шт от 2 шт

Код: 2015762118 лучшая цена

Leapers

DFI450HF17I4RE1, IGBT Модуль, 1700V, 450A, Half Bridge, = CM450DX-34T, FF450R17ME7_B11

20 шт

12000.00	/шт от 1 шт
10800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912618 лучшая цена

Leapers

DFI450HF17I4RE1P, IGBT модуль, 1700V, 450A, полумост press-fit

2 шт

12500.00	/шт от 1 шт
10800.00	/шт от 2 шт

Код: 2016019942

Leapers

DFI50PM12P4D1, IGBT модуль, 1200V, 50A, P4 Full Bridge, =FP150R12N3T7P_B11

9 шт

5000.00	/шт от 1 шт
4550.00	/шт от 6 шт

Код: 2016019944 лучшая цена

Leapers

DFI75PM12P4D1, IGBT модуль, 1200V, 75A, P4 Full Bridge, =CM75MXUC-24T , FP75R12N3T7. FP75R12N3T7_

20 шт

5300.00	/шт от 1 шт
4800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912575 лучшая цена

Leapers

DFS02FB12HDB1, SiC модуль, 1200V, 800A, 3-фазный HPD SIC

1 шт

352000.00	/шт от 1 шт
296000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912613

Leapers

DFS26HH12EYQ1, SiC модуль, 1200V, 75A, H-Bridge E0

1 шт

14800.00	/шт от 1 шт
13400.00	/шт от 2 шт

Код: 2015912592 лучшая цена

Leapers

DFS600HF17I3C2, SiC модуль, 1700V, 600A, полумост ED3S

3 шт

159000.00	/шт от 1 шт
134000.00	/шт от 2 шт

Код: 2016956488

WXDH

DGD450H120L2T, IGBT модуль 1200В 450A полумост ED =DFI450HF12I4ME1

10 шт

7500.00	/шт от 1 шт
7160.00	/шт от 4 шт

Код: 2016956494 лучшая цена

WXDH

DGD600H120L2T, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3 = DFI600HF12I4ME1

10 шт

12500.00	/шт от 1 шт
10700.00	/шт от 3 шт

Код: 2015849376 лучшая цена

Infineon

FF1200R17KP4_B2, IGBT модуль 1200А 1700В=CM1200DC-34N,2MBI1200VT-170E

139 шт

98700.00	/шт от 1 шт
89800.00	/шт от 10 шт

Купить Силовые IGBTи SiC модули в интернет-магазине

Интернет-магазин Платан предлагает Полупроводниковые модули и Силовые IGBTи SiC модули различных производителей по конкурентной цене. Для выбора компонента используйте поиск по параметрам, техническую документацию и описание. Доставка товара осуществляется различными транспортными компаниями или самовывозом из офисов в Москве и Санкт-Петербурге, предлагаем любые виды оплаты.

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CHIPOWN CRRC FUJI FUJITSU HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM SUNCO TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули 1322

Купить Силовые IGBTи SiC модули в интернет-магазине

Силовые IGBTи SiC модули ₁₃₂₂