![FGA60N65SMD, Транзистор IGBT 650В 120А 600Вт [TO-3PN.] ONS](/img_base/view/910209.jpg)
![FGA60N65SMD, Транзистор IGBT 650В 120А 600Вт [TO-3PN.] ONS](/img_base/view/910209.jpg)
Артикул: FGA60N65SMD
| Производитель | ONS |
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 60 |
| Корпус | TO-3P |
| все параметры |
| Наличие: 400 шт |
| Поставка: 16 ноября (после оплаты со склада в Москве) |
| Цены : |
| от 20 - 765.84 руб. от 14 - 767.89 руб. от 8 - 769.95 руб. от 2 - 772.00 руб. от 1 - 780.00 руб. Потребуется 100% предоплата |
FGA60N65SMD (datasheet)
| Фото | Наименование | Наличие | Цена |
![]() |
270 шт. | от 192.50 руб./шт от 50 шт | |
![]() |
FGA60N65SMD, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO3P |
поставка 1-2 раб.дня | от 331.27 руб./шт от 45 шт |
![]() |
FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт |
поставка 3-4 раб.дня | от 235.90 руб./шт от 62 шт |
Для подбора аналогов обратитесь в службу технической поддержки.
Доставка
Оплата
Гарантия