

Артикул: FGA60N65SMD
| Производитель | ONS |
| Максимальное напряжение кэ ,В | 650 |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 60 |
| Корпус | TO-3P |
| все параметры |
| Наличие: 270 шт. |
| со склада в Москве |
| Цены : |
| от 50 - 189.58 руб. от 35 - 195.39 руб. от 20 - 201.19 руб. от 5 - 207.00 руб. от 1 - 290.00 руб. |
FGA60N65SMD (datasheet)
| Фото | Наименование | Наличие | Цена |
![]() |
поставка 5 рабочих дней | от 765.84 руб./шт от 20 шт | |
![]() |
FGA60N65SMD, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT), корпус TO3P |
поставка 1-2 раб.дня | от 292.98 руб./шт от 45 шт |
![]() |
FGA60N65SMD, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 600 Вт |
поставка 3-4 раб.дня | от 233.03 руб./шт от 62 шт |
Для подбора аналогов обратитесь в службу технической поддержки.
Доставка
Оплата
Гарантия