Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН
Товаров: 0
На сумму: 0 руб.
КАТАЛОГ
Электронные компоненты, радиодеталиКоммутацияОптоэлектроникаИндикацияСветодиоды осветительныеОсвещениеИсточники питанияДатчикиКорпусные и установочные изделияПровода, шнуры, расходные материалыИзмерительные приборыПаяльное оборудованиеИнструментПромышленная автоматикаЭлектротехническое оборудованиеЭлектроника для дома и авто

CM150DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 150A 4 поколение F серия

Номенклатурный номер: 347514267
Производитель: Mitsubishi

CM150DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 150A 4 поколение F серия MitsubishiCM150DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 150A 4 поколение F серия Mitsubishi
Mitsubishi Изображения и чертеж служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Информация для заказа

Номенклатурный номер: 347514267
Артикул: CM150DU-12F
Производитель: Mitsubishi

Наличие: под заказ
Поставка: по запросу менеджеру
Цены (уточняются по запросу на почту):
от 50 - 5889.99 руб.
мин.заказ 50

Описание

F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Технические
характеристики

Технические характеристики

Производитель Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В 600
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.6
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Входная емкость затвора,нФ 41
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 520
Максимальный ток эмиттера, А 300
Напряжение изоляции, В 2500
Вес:341 гр.

Документация

CM150DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 150A 4 поколение F серия (печатный каталог ПЛАТАН)

Поиск документации на CM150DU-12F 

Силовые модули Mitsubishi

Сайт производителя: Mitsubishi

Доставка

Мы работаем с разными грузовыми компаниями:

  • самовывоз из офиса в Москве
  • курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
  • ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
  • почта России
  • экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Оплатить товар можно:

  • Банковским переводом
  • Наличными при получении товара (для клиентов из Москвы и Санкт-Петербурга)
  • Пластиковой картой Visa/MasterCard/Мир (кроме клиентов с самовывозом из Санкт-Петербурга)

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Корзина

Товар добавлен в корзину!