Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

CM150DU-24F, модуль 2 IGBT RTC 1200В 150А 4 поколение F серия

Номенклатурный номер: 886160922
Производитель: Mitsubishi

Номенклатурный номер: 886160922

CM150DU-24F, модуль 2 IGBT RTC 1200В 150А 4 поколение F серия MitsubishiCM150DU-24F, модуль 2 IGBT RTC 1200В 150А 4 поколение F серия Mitsubishi
Изображения и чертеж служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Артикул: CM150DU-24F

Производитель MITSUBISHI
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Защита от перегрева нет
все параметры
Наличие: под заказ
Поставка: по запросу менеджеру
Цены (уточняются по запросу на почту):
от 50 - 9115.48 руб.
мин.заказ 50
F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Технические характеристики

Производитель Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.8
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Входная емкость затвора,нФ 59
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 600
Максимальный ток эмиттера, А 300
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.9
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 80
Напряжение изоляции, В 2500
Вес:401 гр.
Информация о бренде
MitsubishiСайт производителя: Mitsubishi
О производителе
Все товары бренда: Mitsubishi

Документация

CM150DU-24F, модуль 2 IGBT RTC 1200В 150А 4 поколение F серия (печатный каталог ПЛАТАН)

Поиск документации на CM150DU-24F 

Силовые модули Mitsubishi

Аналоги и замены для CM150DU-24F   сравнить все

Фото Наименование Наличие Цена
CM150DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 150А 5 поколение A серия

CM150DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 150А 5 поколение A серия
Mitsubishi

под заказ от 9588.50 руб./шт от 20 шт
CM150DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 150A 5 поколение NF серия

CM150DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 150A 5 поколение NF серия
Mitsubishi

под заказ от 12140.83 руб./шт от 70 шт

Для подбора аналогов обратитесь в службу технической поддержки.

Доставка и оплата

Доставка

  • самовывоз из офиса в Москве
  • курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
  • ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
  • почта России
  • экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Оплата

  • самовывоз из офиса в Москве
  • курьерская доставка по Москве и С.-Петербургу
  • ПВЗ Яндекс-Доставка, СДЭК
  • почта России
  • экспресс-доставки: Деловые линии, MajorExpress, ТК Энергия

Гарантия

  • гарантия 6 месяцев
  • собственный сервисный центр
  • ремонт измерительных приборов и паяльных станций

Указано наличие на складе. Цены указаны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с п. 2 ст. 437 ГК РФ. При заказе через сайт счет на оплату выставляется в онлайн-режиме и товар резервируется на 3 рабочих дня.

Корзина

Товар добавлен в корзину!