ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН
Москва
+7 (495) 125-15-24
shop@platan.ru
С.-Петербург
+7 (812) 232-88-36
shop@platan.spb.ru

Вход   |

Регистрация

Проверить заказ
 

CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия

CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия
CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия Mitsubishi

   

CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия Mitsubishi

Mitsubishi

Информация для заказа

Номенклатурный номер 919761094
Производитель: Mitsubishi

Характеристики

Производитель Mitsubishi
Макс.напр.к-э,В 250
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1.2
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля одиночный транзистор
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Входная емкость затвора,нФ 132
Драйвер управления VLA503
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 735
Максимальный ток эмиттера, А 900
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В 4
Напряжение эмиттер-коллектор,В 1.85
Напряжение изоляции, В 2500

Показать весь тект

Цены для CM450HA-5F на  

 шт 
Наименование Цены, руб. с НДС Мин.заказ Цена Наличие Условие
поставки
Сумма,
руб.
   CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия
Mitsubishi
919761094
от 20 - 8235.43
от 14 - 8270.29
от 8 - 8305.14
от 2 - 8340.00
от 1 - 8390.00
1 8390.00
руб./шт
 5 шт.
со склада 8390.00
 шт.

Цены указаны с НДС со склада в Москве, наличие указано на 12.05.2021 23:04


CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия (печатный каталог ПЛАТАН)

Документация на CM450HA-5F (datasheet)

Силовые модули Mitsubishi

Обзор продукции: IGBT модули

Сайт производителя: Mitsubishi

Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации. Для получения актуализированной информации отправьте запрос на адрес techno.ru

Описание

F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

'

Посмотреть еще

Нужна помощь в выборе продукции или подборе аналога?
Обратитесь к нашему консультанту webmaster@platan.ru

Указано наличие на складе в г.Москве. Цены приведены с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 3 рабочих дня и зафиксирована цена на день покупки.

  • Способы оплаты
  • Доставка по России
  • Пункты самовывоза
  • Политика качества