Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015698001

DGW40N120CTL, IGBT модуль, 1200B, 40A, 428Вт (TO-247)

под заказ

430.00	/шт от 1 шт
344.00	/шт от 200 шт

Код: 39276123

Mitsubishi

EVA01-SLIM, IGBT отладочная плата

под заказ

28900.00	/шт от 1 шт
27100.00	/шт от 2 шт

Код: 2015809442

Infineon

FF1200R17KE3, модуль IGBT 1700В 1200A = CM1200DC-34N,2MBI1200VT-170E

под заказ

86200.00	/шт от 1 шт
78400.00	/шт от 2 шт

Код: 17883301

Infineon

FF1400R17IP4, IGBT модуль 1400А 1700В 2010г

под заказ

214000.00	/шт от 1 шт
214000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015940335

Infineon

FF1800R17IP5, IGBT Module N-CH 1700V 1800A 14-Pin

под заказ

120000.00	/шт от 1 шт
119000.00	/шт от 3 шт

Код: 2015861681

Infineon

FF225R12ME4, IGBT module, 1200 V, 225 A dual

под заказ

12600.00	/шт от 1 шт
12000.00	/шт от 6 шт

Код: 2016020259

Infineon

FF400R12KE3, infineon

под заказ

16700.00	/шт от 1 шт
16000.00	/шт от 1 шт

Код: 2015931407

Infineon

FF450R12ME4, IGBT модуль 1200В 450А =CM450DX-24T,GD450HFY120C6S

под заказ

13400.00	/шт от 1 шт
11200.00	/шт от 50 шт

Код: 655476546

Mitsubishi

FM200TU-07A, транзистор 6-MOSFET 75V 100A

под заказ

23800.00	/шт от 1 шт
20700.00	/шт от 5 шт

Код: 753776665

Mitsubishi

FM200TU-2A, транзистор 6-MOSFET 100В 100A

под заказ

23800.00	/шт от 1 шт
20700.00	/шт от 5 шт

Код: 355357524

Mitsubishi

FM200TU-3A, транзистор 6-MOSFET 150В 100A

под заказ

23800.00	/шт от 1 шт
20700.00	/шт от 5 шт

Код: 526200140

Mitsubishi

FM400TU-2A, транзистор 6-MOSFET 100В 200A

под заказ

28300.00	/шт от 1 шт
24600.00	/шт от 3 шт

Код: 658253730

Mitsubishi

FM400TU-3A, транзистор 6-MOSFET 150В 200A

под заказ

28300.00	/шт от 1 шт
24600.00	/шт от 3 шт

Код: 111575670

Mitsubishi

FM600TU-2A, транзистор 6-MOSFET 100В 300A

под заказ

33600.00	/шт от 1 шт
29900.00	/шт от 2 шт

Код: 2011876713

Mitsubishi

FMF800DX-24A, IGBT модуль

под заказ

251000.00	/шт от 1 шт
231000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015371761

ONS

FNA41060, FNA41060

под заказ

1400.00	/шт от 1 шт
1350.00	/шт от 2 шт

Код: 2015939928

Infineon

FS75R17KE3, IGBT Modules N-CH 1.7KV 130A

под заказ

19400.00	/шт от 1 шт
18400.00	/шт от 6 шт

Код: 2015944117

Infineon

FS75R17KE3, модуль 75А 1700В

под заказ

25800.00	/шт от 1 шт
21600.00	/шт от 10 шт

Код: 2015932069

Infineon

FS820R08A6P2LB, силовой модуль 750В 820А

под заказ

74700.00	/шт от 1 шт
62300.00	/шт от 2 шт

Код: 2015891126

Infineon

FS820R08A6P2LB, силовой модуль 750В 820А

под заказ

33100.00	/шт от 1 шт
32100.00	/шт от 2 шт

Код: 2015810643

Infineon

FZ1600R12HP4, Модуль IGBT 1600А 1200В

под заказ

109000.00	/шт от 1 шт
98700.00	/шт от 10 шт

Код: 429853205

Vishay

GA100TS60SF, IGBT модуль 600В 220А

под заказ

6400.00	/шт от 1 шт
5740.00	/шт от 15 шт

Код: 930997650

Vishay

GB15RF120K, IGBT модуль 1200В 15А ECONO 2 PIM

под заказ

8400.00	/шт от 1 шт
7730.00	/шт от 6 шт

Код: 844386121

Vishay

GB30RF60K, IGBT модуль 600В 27А ECONO 2 PIM

под заказ

10900.00	/шт от 1 шт
9930.00	/шт от 2 шт

Код: 832575458

Vishay

GB50RF60K, IGBT модуль 600В 48А ECONO 2 PIM

под заказ

11900.00	/шт от 1 шт
10900.00	/шт от 2 шт

Код: 146824550

Vishay

GB50XF120K, IGBT модуль 1200В 50А ECONO 2

под заказ

13700.00	/шт от 1 шт
12600.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699878

starpower

GD1000HFX170P2S, Trench FS IGBT, Low Loss , 1700V/1000A 2 in one-package

под заказ

59800.00	/шт от 1 шт
53400.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700084

starpower

GD100CLY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700086

starpower

GD100CLY120C2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700083

starpower

GD100CUY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700085

starpower

GD100CUY120C2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700045

starpower

GD100FFK120C6S, NPT Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015827191

starpower

GD100FFL170C6S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

14500.00	/шт от 1 шт
13900.00	/шт от 6 шт

Код: 2015700043

starpower

GD100FFX65C5S, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700037

starpower

GD100FFY120C5S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700039

starpower

GD100FFY120C6S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700038

starpower

GD100FFY120C6SF, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700048

starpower

GD100FFY120C6S_B29, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700047

starpower

GD100FTY120C6S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Код: 2015700046

starpower

GD100GTY120C6S, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 10 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 17 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 365 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
1 транзистор+диод 2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1380 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.6 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1168

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₆₈