Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015699885

MD120HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
223.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699928

starpower

MD13HTC120P6HE, SiC MOSFET

под заказ

9300.00	/шт от 1 шт
8710.00	/шт от 10 шт

Код: 2015699886

starpower

MD200HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
223.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699927

starpower

MD22HTC120P6HE, SiC MOSFET

под заказ

269000.00	/шт от 1 шт
252000.00	/шт от 4 шт

Код: 2015699926

starpower

MD29HTC120P6HE, SiC MOSFET

под заказ

269000.00	/шт от 1 шт
251000.00	/шт от 10 шт

Код: 2015699889

starpower

MD300HFC170C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
223.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699890

starpower

MD300HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
223.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699891

starpower

MD400HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
223.00	/шт от 2 шт

Код: 260620109

IXYS

MEK350-02DA, IGBT модуль 200В 365A 150нс

под заказ

17900.00	/шт от 1 шт
16200.00	/шт от 2 шт

Код: 2015806191

MG100HF12TFC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 441Вт (C1) =GD100HFF120C1S , SKM100GB12T4

под заказ

4700.00	/шт от 1 шт
4170.00	/шт от 5 шт

Код: 2015698234

MG100HF12TLC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 785Вт (C1) = SKM100GB12T4

под заказ

4700.00	/шт от 1 шт
3710.00	/шт от 4 шт

Код: 2015340950

MG100P12E2, IGBT модуль, 1200В, 100A (E2) = Infineon FP100R12KT4 = FUJI 7MBR100VN120-50

под заказ

14800.00	/шт от 1 шт
11900.00	/шт от 2 шт

Код: 2015648691

MG100TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 100А, 446Вт (E2A)

под заказ

12100.00	/шт от 1 шт
9670.00	/шт от 2 шт

Код: 2015670479

MG10P12E1, IGBT модуль, 1200В, 10А, 120Вт (E1)

под заказ

4600.00	/шт от 1 шт
2630.00	/шт от 5 шт

Код: 2015670470

MG10P12P2, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P2)

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
1660.00	/шт от 5 шт

Код: 2015670605

MG10P12P3, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P3)

под заказ

3500.00	/шт от 1 шт
1970.00	/шт от 5 шт

Код: 2015650160

MG150HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 1136Вт [C2] = MG150HF12MRC2

под заказ

14200.00	/шт от 1 шт
12700.00	/шт от 5 шт

Код: 2014889020

MG150HF12MIC2, IGBT модуль, 1200В, 150А (C2) = SKM150GAL12T4 (Semikron)

под заказ

6100.00	/шт от 1 шт
5680.00	/шт от 2 шт

Код: 2015801951

MG150HF12TFC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (С1)

под заказ

6500.00	/шт от 1 шт
5160.00	/шт от 5 шт

Код: 2015340951

MG150P12E2, IGBT модуль, 1200В, 150A (E2) = Infineon FP200R12KT4; = FUJI 7MBR150VN120-50

под заказ

15700.00	/шт от 1 шт
13800.00	/шт от 2 шт

Код: 2016107438

MG150TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 150А, 715Вт (E2A) = CM150TX-24S

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
10600.00	/шт от 2 шт

Код: 2015670608

MG15P12E1, IGBT модуль, 1200В, 15А, 142Вт (E1)

под заказ

5000.00	/шт от 1 шт
2860.00	/шт от 5 шт

Код: 2015670606

MG15P12P2, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P2)

под заказ

3300.00	/шт от 1 шт
1850.00	/шт от 5 шт

Код: 2015670609

MG15P12P3, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P3)

под заказ

3800.00	/шт от 1 шт
2140.00	/шт от 5 шт

Код: 2015713875

MG200HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1358Вт [C2]

под заказ

9700.00	/шт от 1 шт
7740.00	/шт от 5 шт

Код: 2014765326

MG200HF12MIC2, IGBT модуль 200А 1200В

под заказ

6500.00	/шт от 1 шт
6110.00	/шт от 2 шт

Код: 2015932349

MG200HF12TFC2, IGBT модуль, 1200B, 200A, 1250Вт (C2) = GD200HFF120C2S , SKM200GB12T4

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
5490.00	/шт от 10 шт

Код: 2015932342

MG200HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1250Вт [C2]

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
5490.00	/шт от 1 шт

Код: 2015670612

MG2512E1A, IGBT модуль

под заказ

6100.00	/шт от 1 шт
3450.00	/шт от 5 шт

Код: 2015670610

MG25P12E1, IGBT модуль, 1200В, 25А, 166Вт (E1)

под заказ

4600.00	/шт от 1 шт
3610.00	/шт от 4 шт

Код: 2015340953

MG25P12P3, IGBT модуль,1200В, 25A, 175Вт (P3) = Infineon FP25R12W2T4 = FUJI 7MBR25VKD120-50

под заказ

3200.00	/шт от 1 шт
2760.00	/шт от 2 шт

Код: 2012931895

MG300HF12MRC2, Выпрямительный диодный модуль 1800В 300А [D3]

под заказ

8600.00	/шт от 1 шт
7260.00	/шт от 2 шт

Код: 2015670615

MG3512E1A, IGBT модуль

под заказ

6900.00	/шт от 1 шт
3940.00	/шт от 5 шт

Код: 2015340954

MG35P12P3, IGBT модуль, 1200В, 35A, 215Вт (P3) = FP35R12W2T4 (Infineon) = 7MBR35VKD120-50 (FUJI)

под заказ

4900.00	/шт от 1 шт
3870.00	/шт от 5 шт

Код: 2015650173

MG400HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 450А [C2] = MG400HF12MIC2

под заказ

21200.00	/шт от 1 шт
19100.00	/шт от 5 шт

Код: 2015340955

MG40HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 40А, 312Вт (C1)

под заказ

1700.00	/шт от 1 шт
1450.00	/шт от 2 шт

Код: 2015340956

MG40P12E1, IGBT модуль, 1200В, 40A, 227Вт (E1) = Infineon FP40R12KT3/E3 = FUJI 7MBR35VA120-50

под заказ

5200.00	/шт от 1 шт
4120.00	/шт от 4 шт

Код: 2015340957

MG450HF12LVC2, IGBT модуль, 1200В, 450A (C2) = Infineon FF450R12KT4 = FUJI 2MBI450VH-120-50

под заказ

11500.00	/шт от 1 шт
10100.00	/шт от 2 шт

Код: 2015693978

MG450HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] = FF400R12KE4 = GD450HFY120C2S

под заказ

21000.00	/шт от 1 шт
12000.00	/шт от 2 шт

Код: 2016413917

MG450HF12TLE3, IGBT модуль, 1200В, 450A (E3) = GD450HFY120C6S

под заказ

13600.00	/шт от 1 шт
10900.00	/шт от 2 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 17 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 365 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
1 транзистор+диод 2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1380 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.6 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 1168

Силовые IGBTи SiC модули ₁₁₆₈