Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015700074

GD75HFX170C1S, GD75HFX170C1S, Trench FS IGBT, Low Loss, аналог CM75DY-34A

под заказ

13200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 2 шт

Код: 2015700032

starpower

GD75PIX170C6S, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

16800.00	/шт от 1 шт
15000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015699932

starpower

GD800HFX170A3S, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

83200.00	/шт от 1 шт
81900.00	/шт от 2 шт

Код: 2015836911

starpower

GD800HFX170A3S, Силовой Модуль, 800 A, 1700 V, аналог FF800R17KP4_B2

под заказ

84400.00	/шт от 1 шт
77600.00	/шт от 4 шт

Код: 2015699871

starpower

GD800HFX170C3S, Trench FS IGBT, Low Loss, аналог для CM800DZ-34H

под заказ

54000.00	/шт от 1 шт
48600.00	/шт от 4 шт

Код: 2015699870

starpower

GD800SGX170C3S, Trench FS IGBT, Low Loss

под заказ

83200.00	/шт от 1 шт
81900.00	/шт от 2 шт

Код: 2015929878

Hitachi

MBM1000FS17G, IGBT модуль 1700В 1000А

под заказ

151000.00	/шт от 1 шт
136000.00	/шт от 2 шт

Код: 2015715770

Hitachi

MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V

под заказ

325000.00	/шт от 1 шт
278000.00	/шт от 10 шт

Код: 2015699889

starpower

MD300HFC170C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

280.00	/шт от 1 шт
223.00	/шт от 2 шт

Код: 517456039

SEMIKRON

SEMIX302GB176HDS, IGBT модуль

под заказ

15900.00	/шт от 1 шт
13800.00	/шт от 2 шт

Код: 862609837

SEMIKRON

SEMIX302GB176HDS, IGBT модуль

под заказ

28900.00	/шт от 1 шт
25900.00	/шт от 2 шт

Код: 2014943687

CRRC

TG1400HF17H1-S300, IGBT модуль

под заказ

32100.00	/шт от 1 шт
30100.00	/шт от 2 шт

Код: 2014518549

CRRC

TG450HF17M1-S300, IGBT модуль

под заказ

13500.00	/шт от 1 шт
13000.00	/шт от 2 шт

Код: 2014943684

CRRC

TG600HF17M1-S300, IGBT модуль

под заказ

21100.00	/шт от 1 шт
20100.00	/шт от 2 шт

Код: 2014943685

CRRC

TG650HF17H2-S300, IGBT модуль

под заказ

24100.00	/шт от 1 шт
23200.00	/шт от 2 шт

Код: 2014519563

CRRC

TIM1200DDM17-TSA, IGBT модуль 1700В 1200A

под заказ

57000.00	/шт от 1 шт
55300.00	/шт от 2 шт

Код: 2015683768

CRRC

TIM1200DDM17-TSA000, IGBT модуль 1700В 1200A = CM1200DC-34N

под заказ

122000.00	/шт от 1 шт
110000.00	/шт от 10 шт

Код: 2015751541

CRRC

TIM1600FSM17-PSA011, IGBT модуль 1700В 1600A

под заказ

153000.00	/шт от 1 шт
146000.00	/шт от 2 шт

Код: 2016423802

CRRC

TIM2400NSM17-TSA000, IGBT модуль корпус 140х130 2400А 1700В

под заказ

137000.00	/шт от 1 шт
125000.00	/шт от 2 шт

Код: 2014943689

CRRC

TIM800DDM17-PSA000, IGBT модуль

под заказ

25100.00	/шт от 1 шт
20100.00	/шт от 2 шт

Код: 2015891333

Xiner

XNG300B34KC5E, IGBT 1700V 300A Half Bridge

под заказ

2900.00	/шт от 1 шт
2550.00	/шт от 10 шт

Код: 2015891343

Xiner

XNG450B34KC5A5, IGBT 1700V 450A Half Bridge

под заказ

2300.00	/шт от 1 шт
1970.00	/шт от 10 шт

Код: 2015891350

Xiner

XNG600B34LC5E, IGBT 1700V 600A Half Bridge

под заказ

13100.00	/шт от 1 шт
11700.00	/шт от 5 шт

Код: 2016020817

CRRC

YMIBD1200-17, IGBT модуль 1700В 1200A

под заказ

105000.00	/шт от 1 шт
87100.00	/шт от 10 шт

Код: 929260225

Россия

МДТКИ-400-17, IGBT модуль 400А

под заказ

20000.00	/шт от 1 шт
17200.00	/шт от 2 шт

Производитель
ABB BYD MICROELECTR CRRC FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LGE MITSUBISHI ONS SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM VISHAY WXDH ELECTRONIC XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 1200 1350 1400 1500 1700 1800 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 17 20 24 25 27 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 365 400 450 500 600 650 660 700 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1600 1700 1800 2400 3600
Структура модуля
1 транзистор+диод 2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1380 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.6 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
HPD

Силовые IGBTи SiC модули 145

Силовые IGBTи SiC модули ₁₄₅