DFE201612E-2R2M=P2, Дроссели
LQH32MN101J23L, 1210, 100uH 80mA
LQH43MN100K, 10 мкГн, 1812, 10%, Индуктивность SMD
LQM21FN1R0N00D, Дроссели
LQW18AN22NJ00D, 0603, 22nH 500mA
LQW18AN5N6D10D, Дроссели
LQW18AN68NG00D, Дроссели
LQW2BHNR15J, 150 нГн, 0805, 5%, Индуктивность SMD
LQW2BHNR47J03L, Дроссели
LQG15HN10NJ02D, 0402 (1.0x0.5mm) 10N (10 нГн) +/-5%
LQG15HN5N1S02D, SMD индуктивность 5.1 нГн +-0,3 нГн 0402
LQG15HN5N6S02D, SMD индуктивность 5.6 нГн +-0.3 нГн 0402
LQG15HS4N7S02D
LQG18HN22NJ00D, SMD индуктивность 22 нГн 5% 0603
LQG18HN47NJ00D, SMD индуктивность 47 нГн 5% 0603
LQG18HN4N7S00D, Дроссели
LQG18HNR10J00D, SMD индуктивность 0603 100 нГн 5%
LQH31CN100K03L, 1206, 10 мкГн 230mA
LQH31HNR50J03L, SMD индуктивность 0.5 мкГн 5% 1206
LQH31MN3R3K03L, SMD индуктивность 3.3 мкГн 10% 1206
LQH31MN6R8K03L, SMD индуктивность 6,8 мкГн 10% 1206
LQH32CN1R0M23L, SMD индуктивность 1.0 мкГн 20%1210
LQH32CN221K23L, SMD индуктивность 220 мкГн 10%1210
LQH32CN330K53L, SMD индуктивность 33 мкГн 10% 1210
LQH32CN470K23L, SMD индуктивность 47 мкГн 10% 1210
LQH32MN100J23K, SMD индуктивность 1210 3.2x2.5мм +/-5%
LQH32MN100K23L, SMD индуктивность 10 мкГн 10% 1210
LQH32MN100K23L, ЧИП индуктивность 1210 10 мкГн 10%
LQH32MN101K23L, Дроссель
LQH32MN1R0M23L, SMD индуктивность 1 мкГн 20% 1210
LQH32MN271K23L, SMD индуктивность 270 мкГн 10%1210
LQH32MN2R2K23L, SMD индуктивность 2.2 мкГн 10%1210
LQH32MN330K23L, SMD индуктивность 33 мкГн 10% 1210
LQH32MN390K23L, SMD индуктивность 39 мкГн 10%1210
LQH32MN470K23L, SMD индуктивность 47 мкГн 10% 1210
LQH32MN5R6K23L, SMD индуктивность 5.6 мкГн 10%1210
LQH32MN8R2K23L, SMD индуктивность 8.2 мкГн 10% 1210
LQH3NPN221MGRL, ЧИП индуктивность
LQH43CN151K03L, 1812, 150uH 130mA
Товар добавлен в корзину!