Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

микросхемы памяти , стр.2 1332

Производитель  















































































Серия  

Тип памяти  









Емкость памяти, кБит  















Напряжение питания, В  







Интерфейс  






Корпус  













Код: 2015405322
FM25L04B-GTR, FRAM память 512х8 SO8
CYPRESS

FM25L04B-GTR, FRAM память 512х8 SO8

3 шт
шт.
Код: 2015529264
FM25L16B-GTR, микросхема памяти 16кБ 20МГц SOIC-8
CYPRESS

FM25L16B-GTR, микросхема памяти 16кБ 20МГц SOIC-8

1 шт
шт.
Код: 2015746579
FM25Q64-SOB-T-G
FUDAN

FM25Q64-SOB-T-G

90 шт
шт.
Код: 890655491
FM25V05-GTR, микросхема памяти 64Кх8 SO8
CYPRESS

FM25V05-GTR, микросхема памяти 64Кх8 SO8

13 шт
шт.
Код: 918975803
FM25V10-GTR, микросхема памяти SO8
RAMTRON

FM25V10-GTR, микросхема памяти SO8

341 шт
шт.
Код: 2015826608
FM25V10-GTR, Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 40МГц 8SOIC
CYPRESS

FM25V10-GTR, Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 40МГц 8SOIC

137 шт
шт.
Код: 2016392402
FM31L278-GTR, F-RAM память 256K с часами RTC, I2C 2,7-3,6В SO14
CYPRESS

FM31L278-GTR, F-RAM память 256K с часами RTC, I2C 2,7-3,6В SO14

19 шт
шт.
Код: 2015715832
HT7530S, [SOT-23]; Monitors  Reset Circuits ROHS =REF3030AIDBZ
UMW

HT7530S, [SOT-23]; Monitors Reset Circuits ROHS =REF3030AIDBZ

1852 шт
шт.
Код: 2015439128
IS42S16160G-7TLI-TR, микросхема памяти DRAM 256M 16Mx16 143МГц SDRAM 3.3В TSOP-54 II
ISSI

IS42S16160G-7TLI-TR, микросхема памяти DRAM 256M 16Mx16 143МГц SDRAM 3.3В TSOP-54 II

67 шт
шт.
Код: 2017098152
M24256-BRMN6TP, Микросхема памяти EEPROM 256КБИТ I2C 1МГц SO8
STM

M24256-BRMN6TP, Микросхема памяти EEPROM 256КБИТ I2C 1МГц SO8

963 шт
шт.
Код: 2015704420
M24512-WMN6TP, EEPROM память 512Kb / 256Kb Ser  SO8
STM

M24512-WMN6TP, EEPROM память 512Kb / 256Kb Ser SO8

419 шт
шт.
Код: 2013051541
M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2K SO8
STM

M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2K SO8

26 шт
шт.
Код: 2015534832
M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2к SO8
STM

M24C02-RMN6TP, микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2к SO8

175 шт
шт.
Код: 2013051542
M24C02-WBN6, микросхема памяти EEPROM 5.5В 2K (256x8) PDIP-8
STM

M24C02-WBN6, микросхема памяти EEPROM 5.5В 2K (256x8) PDIP-8

232 шт
шт.
Код: 2013051543
M24C02-WMN6P, микросхема памяти EEPROM 2.5-5.5В 2K (256x8) I2C SO8
STM

M24C02-WMN6P, микросхема памяти EEPROM 2.5-5.5В 2K (256x8) I2C SO8

7 шт
шт.
Код: 2015951513
M24C64-FMC6TG, EPROM память I2C 64Kbit 8K x 8  UFDFPN-8
STM

M24C64-FMC6TG, EPROM память I2C 64Kbit 8K x 8 UFDFPN-8

1 шт
шт.
Код: 2012633337
M24M02-DRMN6TP, микросхема памяти EEPROM I2C 2Mbit SO8
STM

M24M02-DRMN6TP, микросхема памяти EEPROM I2C 2Mbit SO8

86 шт
шт.
Код: 2017202853
M25P80-VMW6TG, память Serial EEPROM, 1M x 8 SO8W
MICRON

M25P80-VMW6TG, память Serial EEPROM, 1M x 8 SO8W

14 шт
шт.
Код: 30242
M27C1001-10F1, микросхема памяти CDIP32
STM

M27C1001-10F1, микросхема памяти CDIP32

1615 шт
шт.
Код: 2016956357
M27C1001-10F1, микросхема памяти CDIP32
STM

M27C1001-10F1, микросхема памяти CDIP32

467 шт
шт.
Код: 2015517833 лучшая цена
M95256-WMN6TP, [SO8] Энергонезависимая память
STM

M95256-WMN6TP, [SO8] Энергонезависимая память

5286 шт
шт.
Код: 2015818742
M95640-WMN6TP, [SO8] Энергонезависимая память
STM

M95640-WMN6TP, [SO8] Энергонезависимая память

23 шт
шт.
Код: 2015707182
MAX485ESA, [SOP-8]; RS-485/RS-422 ICs ROHS;=MAX485ESA(ADI)
UMW

MAX485ESA, [SOP-8]; RS-485/RS-422 ICs ROHS;=MAX485ESA(ADI)

11597 шт
шт.
Код: 2015707441
MAX809T, [SOT-23]; Monitors   Reset Circuits ROHS;=MAX809T(ON);=MAX809T(ADI)
UMW

MAX809T, [SOT-23]; Monitors & Reset Circuits ROHS;=MAX809T(ON);=MAX809T(ADI)

580 шт
шт.
Код: 2015707178
SN65176BDR, [SOP-8]; RS-485/RS-422 ICs ROHS=SN65176BDR (TI)
UMW

SN65176BDR, [SOP-8]; RS-485/RS-422 ICs ROHS=SN65176BDR (TI)

774 шт
шт.
Код: 2012922907
SST26VF064B-104I/SM, Микросхема памяти, FLASH, 64М, SPI, 104МГц SOIJ-8
MICROCHIP

SST26VF064B-104I/SM, Микросхема памяти, FLASH, 64М, SPI, 104МГц SOIJ-8

41 шт
шт.
Код: 2015707576
TL431G, [SOT-23]; 2.495V~36V 500?A 100mA Adjustable Voltage References ROHS=TL431 (TI);=TL431(ON)
UMW

TL431G, [SOT-23]; 2.495V~36V 500?A 100mA Adjustable Voltage References ROHS=TL431 (TI);=TL431(ON)

1514 шт
шт.
Код: 898853103
UT62256CPCL-70LL, микросхема памяти PDIP28
Utron Tech.

UT62256CPCL-70LL, микросхема памяти PDIP28

386 шт
шт.
Код: 881364438 цена снижена
UT6264CSCL-70LL, микросхема памяти SO28
Utron Tech.

UT6264CSCL-70LL, микросхема памяти SO28

85 шт
шт.
Код: 2016565984
W25Q16JVSSIQTR, Микросхема памяти FLASH 16Мбит SPI 133МГц SO8
Winbond

W25Q16JVSSIQTR, Микросхема памяти FLASH 16Мбит SPI 133МГц SO8

4 шт
шт.
Код: 2016121209
W25Q256JVEIQ/REEL, WSON-8 (6x8)
Winbond

W25Q256JVEIQ/REEL, WSON-8 (6x8)

270 шт
шт.
Код: 2015743341
W25Q32FVSSIG, память Flash 32МГб SO8W, SPI
Winbond

W25Q32FVSSIG, память Flash 32МГб SO8W, SPI

48 шт
шт.
Код: 29907227
W25Q32JVSSIQTR, микросхема памяти EEPROM  SOIC8
Winbond

W25Q32JVSSIQTR, микросхема памяти EEPROM SOIC8

12 шт
шт.
Код: 2015985798
W25Q80DVSNIG/REEL, микросхема памяти SO-8
WINBOND

W25Q80DVSNIG/REEL, микросхема памяти SO-8

818 шт
шт.
Код: 19233
W27C512-45Z, микросхема памяти PDIP28
Winbond

W27C512-45Z, микросхема памяти PDIP28

262 шт
шт.
Код: 43565
КР537РУ10, (ОЗУ.2Кх8)(HM6516-6)(1990г)
ИНТЕГРАЛ

КР537РУ10, (ОЗУ.2Кх8)(HM6516-6)(1990г)

111 шт (в резерве 2)
шт.
Корзина

Товар добавлен в корзину!