IGBT транзисторы VBSEMI₃

Показать списком

Сравнить

Сначала дешевые

Товары со скидкой

Код: 2016543381

VBSEMI

SI2300DS-T1-GE3, Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

5202 шт 10 декабря

6.00	/шт от 1 шт
5.59	/шт от 2 шт

Код: 2015941726

VBSEMI

VBM16I20, IGBT транзистор, 600B, 20A, (TO-220) аналог IRGB20B60PD1PBF

под заказ

128.00	/шт от 30 шт
124.07	/шт от 120 шт

Код: 2015932655

VBSEMI

VBMB16I30, IGBT транзистор, 600B, 30A, 170Вт (TO-220F) аналог DGF15N65CTL0

под заказ

156.00	/шт от 30 шт
151.58	/шт от 120 шт

Для улучшения работы сайта и его взаимодействия с пользователями мы используем файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, Вы разрешаете использование cookie-файлов. Вы всегда можете отключить файлы cookie в настройках Вашего браузера.

Производитель
FAIR/ONS FUJI INFINEON INFINEON TECHNOLOGIES IXYS LITTLEFUSE MASPOWER ONS REASUNOS RENESAS ROHM SILAN STARPOWER STM TECH PUB TOSHIBA UTC VBSEMI VISHAY WXDH YJ КИТАЙ СИЛОВОЙ КЛЮЧ
U_{кэ максимальное},В
330 370 400 430 440 600 650 700 900 1200 1300 1350 1600 3000
I_{к максимальный ток},А
3 6 7 8 9 10 11 12 14 15 16 19 20 23 24 25 28 30 31 32 35 36 40 41 42 45 47 48 49 50 55 60 64 70 74 75 76 78 80 85 96 120 121 140 141 240
I_{к максимальный ток},А
4 6 7 9 12 15 17 18 20 21 22 24 28 30 31 33 35 40 45 46 48 49 50 60 90 120 160
U_{насыщения},В
1.5 1.55 1.65 1.7 1.75 1.8 1.9 1.95 2 2.05 2.1 2.14 2.2 2.21 2.35 2.43 2.52 2.6 2.7 2.8 3.05 3.1 7
F_{частота переключения},кГц
1 8 25 30 40 60 150
Структура
n-канал n-канал с диодом
P_{к максимальная мощность},Вт
34 56 58 60 77 100 134 140 160 206 208 210 215 220 250 255 300 313 320 330 350 390 454 455 543 750
U_{управляющее напряжение},В
4 6
Корпус
D2PAK D2Pak DPAK MTP SOT-23-3 SUPER247 TO-220FP TO-247AD TO-252AA TO-262 TO-263 TO-3P TO-3PN TO220 TO220-3 TO220AB TO220AC TO220F TO220F-3 TO220FP TO247-3 TO247-PLUS TO247AC TO247AD TO252-2 TO263 TO263-2 TO264

IGBT транзисторы VBSEMI3

IGBT транзисторы VBSEMI₃