Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

транзисторы биполярные HXY₆

Показать списком

Сначала дешевые

Товары со скидкой

Код: 2017139382

HXY

2SA1015, 2SA1015 HXY биполярный транзистор PNP, -50 В, -0.15 А, SOT-23

9000 шт 9 ноября

0.83	/шт от 3000 шт
0.75	/шт от 12000 шт

Код: 2017145227

HXY

2SC2712, 2SC2712 HXY биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.15 А, SOT-23

15000 шт 9 ноября

0.83	/шт от 3000 шт
0.75	/шт от 12000 шт

Код: 2017261565

HXY

2SC3356, 2SC3356 HXY биполярный транзистор NPN, 12 В, 0.1 А, 7 ГГц, SOT-23

13500 шт 9 ноября

3.36	/шт от 500 шт
3.11	/шт от 2000 шт

Код: 2017139386

HXY

B772, B772 CTK Биполярный транзистор PNP, -30 В, -3 А, SOT-89

3750 шт 9 ноября

3.13	/шт от 250 шт
2.90	/шт от 1000 шт

Код: 2017139387

HXY

D882, D882 HXY Биполярный транзистор NPN, 30 В, 3 А, SOT-89

6000 шт 9 ноября

3.13	/шт от 250 шт
2.90	/шт от 1000 шт

Код: 2017140373

HXY

IRLR2905, IRLR2905PBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 30 А, 26 мОм, 12.6 нКл, TO-252

2150 шт 9 ноября

23.40	/шт от 50 шт
22.63	/шт от 200 шт

Для улучшения работы сайта и его взаимодействия с пользователями мы используем файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, Вы разрешаете использование cookie-файлов. Вы всегда можете отключить файлы cookie в настройках Вашего браузера.

Производитель
----- AM AMPLEON AVAGO/BROADCOM BLUE ROCKET CDIL CENTRAL CJ CN BELL CSC CTK DC COMPONENTS DI DIODES INC. DIODES ZETEX DIOTEC ELZET EVVO FAIR/ONS FREESCALE SEMICONDUCTOR FUJI FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH FUXINSEMI GALAXY GOFORD HANSCHIP HITACHI HOTTECH HUAYI HXY HXY MOSFET HY ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON INTERSIL ISC ISCSEMI IXYS JCET JCET JIANGSU CHANGJIANG E JINGDAO JSCJ JSMICRO JSMSEMI KEC KEEN SIDE KEFAN KINGBRIGHT KLS LGE LRC LUGUANG MATSUSHITA MCC MDD MICRODIODE MITSUBISHI MOTOROLA MSKSEMI MULTCMP MULTICOMP NEC NEX-NXP NEXPERIA / NXP SEMICONDUC OLITECH ON-SEMI ONS PANASONIC PHI PHILIPS PINGSEMI POWER INTEGRATIONS QORVO REASUNOS ROHM RUME SANKEN SANYO SCHN SEMELAB SEMTECH SEMTECH ELECTRONICS SHENZHEN LUGUANG ELECTRON SHIKUES SICHAIN SLKOR SPTECH STM SUNCO SUNTAN TECH PUBLIC TI TOPDIODE MANUFACTURING CO TOPDIODES TOSHIBA TRR UMW UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR UTC VBSEMI VISHAY WAYON WOLFSPEED YFW YIXING YJ YONGYUTAI YOUTAI YOUTAI / UMW / UTD SEMICO ZH ZHEJIANG TIANQI ELECTRIC АЛЬФА ВЗПП ВЗПП-С ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП ГАММА ДАЛЕКС ИНТЕГРАЛ ИСКРА КИТАЙ КРЕМНИЙ НИИПП ТОМСК НПП УРЛЗ ОКТЯБРЬ ПЛАНЕТА ПУЛЬСАР РОССИЯ СВЕТЛАНА ТАЙВАНЬ ТОМСК ТРАНЗИСТОР УРЛЗ ФЗМТ ФРЯЗИНО ЭЛЕКС
Структура
N-База NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN с резист.сборкой NPN+NPN NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон
U_{кбо максимальное},В
5 10 12 15 20 25 26 30 32 35 36 40 45 50 60 65 70 75 80 90 100 120 125 130 140 150 160 180 200 230 250 300 400 450 500 600 700 750 800 900 1200 1500
U_{кэ максимальное},В
2 10 12 15 20 25 26 30 32 36 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 100 120 125 130 150 160 200 230 250 275 300 350 400 450 500 600 700 800 850 900 1500
I_{ток коллектора},А
0.01 0.02 0.03 0.05 0.06 0.075 0.1 0.12 0.15 0.2 0.225 0.25 0.3 0.35 0.4 0.5 0.6 0.7 0.75 0.8 1 1.25 1.5 2 2.5 3 3.3 3.5 4 5 6 7 8 10 12 12.5 13 15 16 17 20 24 25 30 50
Коэф-т передачи тока hfe
0.5 0.65 2.25 4 5 5.5 6 7.5 8 9 10 12 15 16 20 25 30 35 40 45 50 53 55 60 63 70 80 85 100 110 120 125 140 150 160 180 200 220 230 250 290 300 380 400 420 475 500 520 750 1000 1500 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 10 50 100 150
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
Граничная частота fгр. МГц
0.2 1 3 4 4.5 5 5.1 6 7 7.2 8 9 10 15 20 25 30 40 50 51 60 65 75 80 85 90 100 105 120 125 145 150 170 175 180 200 210 220 230 240 250 300 350 400 450 500 600 660 700 900 1000 1002 1100 1500 1800 2500 4000 5000 9000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.03 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.7 0.75 0.8 0.83 0.85 1 1.2 1.4 1.5 1.75 2 2.5 3 3.5 4 4.7 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 10 11 12 12.5 15 16 20 25 27 30 36 40 43 45 46 50 54 55 60 65 70 75 76.7 80 84 85 100 120 125 133 150 170 181 200 250 500
Корпус
2-21F1A 6-TSSOP 6-TSOP D-Pak (Case 369C) D-Pak (TO-252) D2Pak (TO-263) DPAK DPAK-3 DPAK/TO-252AA HUSON3 ISO218 ISOWATT-218FX KT-1-12 KT-1-7 (TO-18) KT-119 KT-13 KT-14 KT-15 KT-16-2 KT-17 KT-18 KT-2-7 KT-2-7(TO-39) KT-20 KT-26 KT-27 KT-27-2 KT-272 KT-28 KT-28-2 KT-282 KT-29 KT-30 KT-32 KT-37 KT-431 KT-432 KT-44 KT-45 KT-46 KT-47 KT-52 KT-56 KT-57 KT-8 KT-9 MT-100 (TO3P) MT-200 SC-59 SC-62 SC-70-3 SC-70-3 (SOT323) SC-74 SC-74-6 SC-75 SC-75 (SOT523) SC-88/SC70-6/SOT-363 SMT3 SOD-23 SOT-143B SOT-199 SOT-223 SOT-223-3 SOT-23 SOT-23 (TO-236AB) SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-6 SOT-26 SOT-32 SOT-32 (TO-126) SOT-323 SOT-343 SOT-363 SOT-363 (CASE 419B) SOT-363 (SC-88) SOT-363-6 SOT-563-6 SOT-89 SOT-89 (TO-243) SOT-89-3 SOT223 SOT223-4 SOT23 SOT23-3 SOT323 SOT363 (SC-88) SOT363-6 SOT666 SOT666-6 SOT89 TO-126 TO-126 MOD TO-126F TO-18 TO-18 (TO-206AA) TO-204 (TO-3) TO-218 TO-220 TO-220AB TO-220C TO-220F TO-220FA TO-220FP TO-220NIS (TOSHIBA 2-10R1A) TO-225AA TO-247 TO-251 TO-252 TO-264 TO-3 TO-39 TO-3P TO-3P(L) TO-3P(L) - (TOSHIBA 2-21F1A) TO-3P(N) TO-3P(N) - (TOSHIBA 2-16C1A) TO-3PF TO-3PML TO-3PN TO-92 TO-92-3 TO-92MOD/formed TO-92_formed_leads TO126 TO218 TO220 TO264 TO3P-3L TO92 TO92-3 TO92/formed lead TO92MOD TO92S/formed TSSOP-6 TSSOP6 КТ-1-7 (TO-18) КТ-1-9 (TO-18) КТ-2-7 (TO-39) КТ-26 (ТО-92) КТ-27 (ТО-126) КТ-28-2 (TO-220) КТ-4-2 (TO-60) КТ-432 КТ-44 КТ-56 КТ-89 (TO-252) КТ-91 (ТО-251) КТ13 КТЮ-3-1 КТЮ-3-20 КТЮ-3-6 КТЮ-3-9 КТЮ-43-1 ТО-126

транзисторы биполярные HXY6

транзисторы биполярные HXY₆