транзисторы биполярные

Код: 2015095871

Infineon

BSC030N03LS, транзистор N-канал 30В 100А TDSON-8

9943 шт

68.00	/шт от 1 шт
56.10	/шт от 2 шт

Код: 138763424

Infineon

IRFR6215TRPBF, Биполярный транзистор Р 150В 13А DPak

125 шт

60.00	/шт от 1 шт
45.40	/шт от 30 шт

Код: 815948461

Infineon

IRLR7843TRPBF, транзистор Nкан 30В 160А DPak

891 шт

57.00	/шт от 1 шт
47.30	/шт от 30 шт

Код: 2017394764

Infineon

2N7002, Транзисторы и сборки биполярные, корпус SOT23

400 шт 30 июля

45.00	/шт от 1 шт
43.10	/шт от 102 шт

Код: 2016913439

Infineon

39574, BFR93AE6327HTSA1 / NPN, 0.035А, 12В, SOT-23, шт, Транзистор, NPN RF, 12В, 0.09А, 0.3Вт, hFE=7

200 шт 4 августа

23.00	/шт от 10 шт
22.40	/шт от 20 шт

Код: 2014756413

Infineon

BC817UPNE6327, Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 0,5А, 0.33Вт

600 шт 31 июля

34.98	/шт от 10 шт
33.97	/шт от 19 шт

Код: 2017302639

Infineon

BC817UPNE6327, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; комплементарная пара; 45В

2 шт 4 августа

51.00	/шт от 10 шт
50.00	/шт от 20 шт

Код: 2011485937

Infineon

BC846PNH6327, Биполярный транзистор NPN/PNP, 65 В, 0.1 А, 0.25W

4428 шт 31 июля

13.50	/шт от 25 шт
12.92	/шт от 46 шт

Код: 2014756505

Infineon

BC846UE6327, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.15 Вт

3695 шт 31 июля

13.34	/шт от 25 шт
12.77	/шт от 47 шт

Код: 2010034338

Infineon

BC847C, Транзистор NPN 45В 0.1А, (=КТ3130), [SOT-23]

2000 шт 4 августа

5.00	/шт от 50 шт
3.94	/шт от 100 шт

Код: 2015028633

Infineon

BC856UE6327, Биполярный транзистор, PNP/PNP, 65 В, 0.1 А 0.25 Вт

537 шт 31 июля

20.92	/шт от 18 шт
18.56	/шт от 97 шт

Код: 2010042272

Infineon

BC857BW, Транзистор, [SOT-323]

1000 шт 4 августа

7.00	/шт от 50 шт
5.91	/шт от 100 шт

Код: 2014672350

Infineon

BC857SH6327, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.15 Вт

1994 шт 31 июля

2.21	/шт от 186 шт
1.96	/шт от 152 шт

Код: 2014518641

Infineon

BC858BWH6327XTSA1, Биполярный транзистор PNP 30В 0.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента

3222 шт 31 июля

4.96	/шт от 69 шт
4.60	/шт от 119 шт

Код: 2010044875

Infineon

BC858C, Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 600 hFE [SOT-23]

1000 шт 4 августа

9.00	/шт от 50 шт
7.88	/шт от 100 шт

Код: 2014961359

Infineon

BC858CE6327, Транзисторы и сборки биполярные, корпус SOT23

1 шт 30 июля

3.00	/шт от 1 шт
1.99	/шт от 2 шт

Код: 2014756416

Infineon

BC858CE6327HTSA1, Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 0.1 А, 0.25 Вт

882 шт 31 июля

4.17	/шт от 85 шт
3.82	/шт от 236 шт

Код: 2010001423

Infineon

BC860BE6327, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт

3626 шт 31 июля

11.63	/шт от 29 шт
11.13	/шт от 55 шт

Код: 2014672419

Infineon

BCM846SH6327, Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А, 0.25 Вт

980 шт 31 июля

19.40	/шт от 19 шт
17.17	/шт от 104 шт

Код: 2010035390

Infineon

BCP53-16, Транзистор PNP 80В 1А 2Вт Automotive [SOT-223]

600 шт 4 августа

61.00	/шт от 10 шт
59.20	/шт от 20 шт

Код: 2014657984

Infineon

BCR08PNH6327, Цифровые биполярные транзисторы NPN+PNP, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм

6961 шт 31 июля

15.66	/шт от 22 шт
15.19	/шт от 68 шт

Код: 2010078244

Infineon

BCR108 (WHs), Цифровой транзистор NPN 50В 100мА 200мВт R1=2.2кОм R2=47кОм [SOT-23-3.]

6000 шт 4 августа

19.00	/шт от 10 шт
18.70	/шт от 20 шт

Код: 2006759240

Infineon

BCR108E6327HTSA1, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм

55103 шт 31 июля

8.98	/шт от 42 шт
7.86	/шт от 615 шт

Код: 2015401865

Infineon

BCR108SH6327XTSA1, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+4

3421 шт 31 июля

17.29	/шт от 22 шт
15.28	/шт от 111 шт

Код: 2010001427

Infineon

BCR108WH6327, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм

9682 шт 31 июля

13.05	/шт от 29 шт
11.42	/шт от 145 шт

Код: 2010037975

Infineon

BCR112, Trans Digital BJT NPN 50В 100мА, [SOT-23]

1000 шт 4 августа

21.00	/шт от 10 шт
19.80	/шт от 20 шт

Код: 2007026582

Infineon

BCR112E6327HTSA1, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 140 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм

30720 шт 31 июля

9.55	/шт от 40 шт
8.24	/шт от 341 шт

Код: 2010065124

Infineon

BCR116E6327HTSA1, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 150 МГц, 4.7 кОм+47 кОм

745 шт 31 июля

29.28	/шт от 12 шт
28.35	/шт от 23 шт

Код: 2010051066

Infineon

BCR133, Транзистор, NPN Digital, 50В, 0.1А, 0.2Вт, R1=10кОм, R2=10кОм, [SOT-23-3.]

1000 шт 4 августа

21.00	/шт от 10 шт
19.80	/шт от 20 шт

Код: 2000064685

Infineon

BCR133E6327, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 150 МГц, 10 кОм+10 кОм

8638 шт 31 июля

15.02	/шт от 25 шт
13.22	/шт от 211 шт

Код: 2011302894

Infineon

BCR133SH6327, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 130 МГц, 10 кОм+10 кОм

1470 шт 31 июля

11.84	/шт от 28 шт
11.33	/шт от 52 шт

Код: 2010001428

Infineon

BCR133WH6327, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 150 МГц, 10 кОм+10 кОм

1522 шт 31 июля

9.11	/шт от 37 шт
8.67	/шт от 67 шт

Код: 2010070482

Infineon

BCR135 (WJs), Транзистор NPN DGTL AF [SOT-23] (WJs)

5000 шт 4 августа

16.00	/шт от 10 шт
14.90	/шт от 20 шт

Код: 2007068087

Infineon

BCR135E6327, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 150 МГц, 10 кОм+47 кОм

20581 шт 31 июля

11.55	/шт от 32 шт
10.20	/шт от 495 шт

Код: 2011302885

Infineon

BCR135SH6327, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 150 МГц, 10 кОм+47 кОм

744 шт 31 июля

13.17	/шт от 26 шт
12.60	/шт от 47 шт

Код: 2015872939

Infineon

BCR135WH6327XTSA1, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 150 МГц, 10 кОм+47 кОм

2521 шт 31 июля

15.05	/шт от 23 шт
14.59	/шт от 69 шт

Производитель
----- AM AMPLEON AVAGO/BROADCOM BLUE ROCKET CDIL CENTRAL CJ CN BELL CSC CTK DC COMPONENTS DI DIODES INC. DIODES ZETEX DIOTEC ELZET EVVO FAIR/ONS FREESCALE SEMICONDUCTOR FUJI FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH FUXIN FUXINSEMI GALAXY GOFORD HANSCHIP HITACHI HOTTECH HTC TAEJIN HXY HXY MOSFET ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON INTERSIL ISC ISCSEMI IXYS JCET JCET JIANGSU CHANGJIANG E JINGDAO JSCJ JSMICRO JSMSEMI KEC KEEN SIDE KLS LGE LITTLEFUSE LRC LUGUANG MATSUSHITA MCC MDD MICRODIODE MITSUBISHI MOTOROLA MSKSEMI MULTCMP NEC NEX-NXP NEXPERIA / NXP SEMICONDUC OLITECH ONS PANASONIC PHI PHILIPS PINGSEMI REASUNOS RENESAS ROHM RUME SANKEN SANYO SCHN SHIKUES SICHAIN SLKOR SPTECH STM SUNCO SUNTAN TECH PUBLIC TI TOPDIODE MANUFACTURING CO TOPDIODES TOSHIBA TRR UMW UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR UTC VBSEMI VISHAY WAYON YFW YJ YONGYUTAI YOUTAI ZH АЛЬФА ВЗПП ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП ГАММА ДАЛЕКС ИНТЕГРАЛ ИСКРА КИТАЙ КРЕМНИЙ НИИПП ТОМСК НПП УРЛЗ ОКТЯБРЬ ПЛАНЕТА ПУЛЬСАР РОССИЯ СВЕТЛАНА ТАЙВАНЬ ТОМСК ТРАНЗИСТОР УРЛЗ ФЗМТ ФРЯЗИНО ЭЛЕКС
Структура
N-База NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN с резист.сборкой NPN+NPN NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон
U_{кбо максимальное},В
5 10 12 15 20 25 26 30 32 35 36 40 45 50 60 65 70 75 80 90 100 120 125 130 140 150 160 180 200 230 250 300 400 450 500 600 700 750 800 900 1200 1500
U_{кэ максимальное},В
2 10 12 15 20 25 26 30 32 36 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 100 120 125 130 150 160 180 200 230 250 275 300 350 400 450 500 600 700 800 850 900 1500
I_{ток коллектора},А
0.01 0.02 0.03 0.05 0.06 0.075 0.1 0.12 0.15 0.2 0.225 0.25 0.3 0.35 0.4 0.5 0.6 0.7 0.75 0.8 1 1.25 1.5 2 2.5 3 3.3 3.5 4 5 6 7 8 10 12 12.5 13 15 16 17 20 24 25 30 50
Коэф-т передачи тока hfe
0.5 0.65 2.25 4 5 5.5 6 7.5 8 9 10 12 15 16 20 25 30 35 40 45 50 53 55 60 63 70 80 85 100 110 120 125 140 150 160 180 200 220 230 250 290 300 380 400 420 475 500 520 750 1000 1500 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.12 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 10 50 100 150
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
Граничная частота fгр. МГц
0.2 1 3 4 4.5 5 5.1 6 7 7.2 8 9 10 15 20 25 30 40 50 51 60 65 75 80 85 90 100 105 120 125 145 150 170 175 180 200 210 220 230 240 250 300 350 400 450 500 600 660 700 900 1000 1002 1100 1500 1800 2500 4000 5000 9000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.03 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.7 0.75 0.8 0.83 0.85 1 1.2 1.4 1.5 1.75 2 2.5 3 3.5 4 4.7 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 10 11 12 12.5 15 16 20 25 27 30 36 40 43 45 46 50 54 55 60 65 70 75 76.7 80 84 85 100 120 125 133 150 170 181 200 250 500
Корпус
"SC-74; TSOP6 (SOT457)" 2-21F1A 6-TSOP 6-TSSOP D-Pak (Case 369C) D-Pak (TO-252) D2Pak (TO-263) DPAK DPAK (Case 369C) DPAK-3 DPAK/TO-252AA HUSON3 ISO218 ISOWATT-218FX KT-1-12 KT-1-7 (TO-18) KT-119 KT-13 KT-14 KT-15 KT-16-2 KT-17 KT-18 KT-2-7 KT-2-7(TO-39) KT-20 KT-26 KT-27 KT-27-2 KT-272 KT-28 KT-28-2 KT-282 KT-29 KT-30 KT-32 KT-37 KT-431 KT-432 KT-44 KT-45 KT-46 KT-47 KT-52 KT-56 KT-57 KT-8 KT-9 MT-100 (TO3P) MT-200 SC-59 SC-62 SC-70-3 (SOT323) SC-74 SC-74-6 SC-75 SC-75 (SOT523) SC-88/SC70-6/SOT-363 SMT3 SOD-23 SOT-143B SOT-199 SOT-223 SOT-223-3 SOT-23 SOT-23 (TO-236AB) SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-6 SOT-26 SOT-32 SOT-32 (TO-126) SOT-32 (TO-126) SOT-323 SOT-343 SOT-363 SOT-363 (CASE 419B) SOT-363 (SC-88) SOT-363-6 SOT-563-6 SOT-89 SOT-89 (TO-243) SOT-89-3 SOT223 SOT223-4 SOT23 SOT23-3 SOT323 SOT323 (SC-70) SOT363 (SC-88) SOT363-6 SOT666 SOT666-6 SOT89 TO-126 TO-126 MOD TO-126F TO-18 TO-18 (TO-206AA) TO-204 (TO-3) TO-218 TO-220 TO-220AB TO-220C TO-220F TO-220FA TO-220FP TO-220NIS (TOSHIBA 2-10R1A) TO-225AA TO-247 TO-251 TO-252 TO-264 TO-3 TO-3-2 TO-39 TO-3P TO-3P(L) TO-3P(L) - (TOSHIBA 2-21F1A) TO-3P(N) TO-3P(N) - (TOSHIBA 2-16C1A) TO-3PB TO-3PF TO-3PML TO-3PN TO-92 TO-92-3 TO-92MOD/formed TO-92_formed_leads TO126 TO218 TO218F TO220 TO264 TO3P-3L TO92 TO92-3 TO92/formed lead TO92MOD TO92S/formed TSSOP-6 TSSOP6 КТ-1-7 (TO-18) КТ-1-9 (TO-18) КТ-2 (TO-39) КТ-2-7 (TO-39) КТ-26 (ТО-92) КТ-27 (TO-126) КТ-27 (ТО-126) КТ-28-2 (TO-220) КТ-4-2 (TO-60) КТ-432 КТ-44 КТ-46 (SOT-23) КТ-56 КТ-89 (TO-252) КТ-91 (ТО-251) КТ13 КТЮ-3-1 КТЮ-3-20 КТЮ-3-6 КТЮ-3-9 КТЮ-43-1 ТО-126

транзисторы биполярные INFINEON120

транзисторы биполярные INFINEON₁₂₀