транзисторы биполярные

Код: 2017136874

BCR158E6327HTSA1, BCR158E6327HTSA1, цифровой биполярный транзистор PNP Infineon Technologies, 50 В,

8500 шт 24 декабря

11.90	/шт от 100 шт
11.02	/шт от 400 шт

Код: 2017136875

Infineon Technologies

BSP135H6327XTSA1, BSP135H6327XTSA1, силовой МОП-транзистор Infineon Technologies, N-канал, 120 мА, 6

1100 шт 24 декабря

194.00	/шт от 10 шт
190.04	/шт от 40 шт

Код: 2017136876

Infineon Technologies

BSP149H6327XTSA1, BSP149H6327XTSA1, cиловой МОП-транзистор Infineon Technologies, N-канал, 200 В, 66

1020 шт 24 декабря

103.00	/шт от 10 шт
99.77	/шт от 40 шт

Код: 2017136877

Infineon Technologies

BSP75NHUMA1, BSP75NHUMA1, интеллектуальный ключ нижнего плеча Infineon Technologies, 60 В, 0.7 А, 1.

2380 шт 24 декабря

83.20	/шт от 20 шт
80.52	/шт от 80 шт

Код: 2017136881

Infineon Technologies

BSS131H6327XTSA1, BSS131H6327XTSA1, транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 240 В, 0.1

20380 шт 24 декабря

8.80	/шт от 100 шт
8.15	/шт от 400 шт

Код: 2017136882

Infineon Technologies

BSS169H6327XTSA1, BSS169H6327XTSA1, силовой МОП-транзистор Infineon Technologies, N-канал, 100 В, 90

5900 шт 24 декабря

19.00	/шт от 100 шт
18.37	/шт от 400 шт

Код: 2017141437

Infineon Technologies

BSS83PH6327XTSA1, BSS83PH6327XTSA1, ПолевойP-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.33А,

5550 шт 24 декабря

12.80	/шт от 150 шт
11.84	/шт от 600 шт

Код: 2017141420

Infineon Technologies

BSS84PH6327XTSA2, BSS84PH6327XTSA2, ПолевойP-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 0.17А,

29250 шт 24 декабря

6.91	/шт от 250 шт
6.40	/шт от 1000 шт

Код: 2017136886

Infineon Technologies

BTS4141NHUMA1, BTS4141NHUMA1, Силовой интеллектуальный ключ верхнего плеча Infineon Technologies, 1в

328 шт 24 декабря

257.00	/шт от 2 шт
251.61	/шт от 8 шт

Код: 2017136878

Infineon Technologies

BTS740S2XUMA1, BTS740S2XUMA1, Интеллектуальный ключ Infineon Technologies, PROFET, 2-канала (каждый

841 шт 24 декабря

525.00	/шт от 2 шт
514.25	/шт от 8 шт

Код: 2017139518

Infineon Technologies

IPB010N06NATMA1, IPB010N06NATMA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 180A,ко

296 шт 24 декабря

636.00	/шт от 2 шт
623.06	/шт от 8 шт

Код: 2017134979

Infineon Technologies

IPB107N20N3GATMA1, IPB107N20N3GATMA1, Полевой N-канальный транзисторInfineonTechnologies, 200В, 88A,

604 шт 24 декабря

414.00	/шт от 5 шт
405.56	/шт от 20 шт

Код: 2017139146

Infineon Technologies

IPD122N10N3GATMA1, IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой N-канальный силовой Infineon Technologies,

2270 шт 24 декабря

121.00	/шт от 10 шт
117.02	/шт от 40 шт

Код: 2017141583

Infineon Technologies

IPD35N10S3L26ATMA1, IPD35N10S3L26ATMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 35A,10

1000 шт 24 декабря

80.30	/шт от 20 шт
77.72	/шт от 80 шт

Код: 2017141415

Infineon Technologies

IPD65R400CEAUMA1, IPD65R400CEAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В, 15.1

827 шт 24 декабря

87.70	/шт от 20 шт
84.87	/шт от 80 шт

Код: 2017139147

Infineon Technologies

IPD70R900P7SAUMA1, IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 700В,6A,

2075 шт 24 декабря

48.50	/шт от 25 шт
46.94	/шт от 100 шт

Код: 2017141418

Infineon Technologies

IPP110N20N3GXKSA1, IPP110N20N3GXKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 88

95 шт 24 декабря

396.00	/шт от 5 шт
388.02	/шт от 20 шт

Код: 2017141433

Infineon Technologies

IPT007N06NATMA1, IPT007N06NATMA1,Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 60В, 300A,кор

465 шт 24 декабря

231.00	/шт от 5 шт
226.14	/шт от 20 шт

Код: 2017141417

Infineon Technologies

IPW60R041C6FKSA1, IPW60R041C6FKSA1, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 650В, 77.5

106 шт 24 декабря

747.00	/шт от 2 шт
731.66	/шт от 8 шт

Код: 2017141430

Infineon Technologies

IPW60R060P7XKSA1, IPW60R060P7XKSA1, Полевой N-канальный транзисторInfineonTechnologies, 600В, 48A, 1

270 шт 24 декабря

254.00	/шт от 5 шт
248.76	/шт от 20 шт

Код: 2017141432

Infineon Technologies

IPW60R080P7XKSA1, IPW60R080P7XKSA1, Полевой N-канальный транзисторInfineonTechnologies, 650В, 37A, 1

62 шт 24 декабря

763.00	/шт от 2 шт
747.43	/шт от 8 шт

Код: 2017141431

Infineon Technologies

IPW60R099C6FKSA1, IPW60R099C6FKSA1, Полевой N-канальный транзисторInfineonTechnologies, 600В, 37.9A,

80 шт 24 декабря

537.00	/шт от 2 шт
525.95	/шт от 8 шт

Код: 2017139160

Infineon Technologies

IRF1018EPBF, IRF1018EPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 60В, 79А, 110Вт, 0.0

779 шт 24 декабря

77.20	/шт от 25 шт
74.70	/шт от 100 шт

Код: 2017134972

Infineon Technologies

IRF1404ZPBF, IRF1404ZPBF, Транзистор полевойN-канальный кремниевый 40В 180А 200Вт InfineonTechnologi

3220 шт 24 декабря

117.00	/шт от 10 шт
113.23	/шт от 40 шт

Код: 2017139151

Infineon Technologies

IRF1405PBF, IRF1405PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 55В, 133А, 200Вт, 0.00

150 шт 24 декабря

74.70	/шт от 25 шт
72.28	/шт от 100 шт

Код: 2017139152

Infineon Technologies

IRF2804PBF, IRF2804PBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 160А, 330Вт, 1.6

350 шт 24 декабря

156.00	/шт от 10 шт
151.06	/шт от 40 шт

Код: 2017134969

Infineon Technologies

IRF3205PBF, IRF3205PBF, транзистор полевой N-канальныйInfineonTechnologies, 55В, 110А, 200Вт, корпус

6500 шт 24 декабря

29.60	/шт от 50 шт
28.64	/шт от 200 шт

Код: 2017138518

Infineon Technologies

IRF3205STRLPBF, IRF3205STRLPBF, транзистор полевой N-канальныйInfineonTechnologies, 55В, 110А, 200Вт

750 шт 24 декабря

59.90	/шт от 15 шт
57.97	/шт от 60 шт

Код: 2017141457

Infineon Technologies

IRF3415PBF, IRF3415PBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 43А, 200Вт, корп

690 шт 24 декабря

126.00	/шт от 10 шт
122.08	/шт от 40 шт

Код: 2017134993

Infineon Technologies

IRF3710PBF, IRF3710PBF, транзистор полевой кремниевый N-канальный 100В 57А 200Вт InfineonTechnologie

100 шт 24 декабря

37.30	/шт от 50 шт
36.08	/шт от 200 шт

Код: 2017134974

Infineon Technologies

IRF3808PBF, IRF3808PBF, транзистор полевой N-канальный кремниевый 75В 140А 330Вт Infineon Technologi

1320 шт 24 декабря

125.00	/шт от 10 шт
120.98	/шт от 40 шт

Код: 2017134971

Infineon Technologies

IRF4905PBF, IRF4905PBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies,55В, 74А, 200Вт, корпус

1267 шт 24 декабря

83.20	/шт от 20 шт
80.50	/шт от 80 шт

Код: 2017139153

Infineon Technologies

IRF4905STRLPBF, IRF4905STRLPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 55В, 42А, 170В

870 шт 24 декабря

101.00	/шт от 10 шт
97.70	/шт от 40 шт

Код: 2017150069

Infineon Technologies

IRF5210PBF, IRF5210PBF, транзистор полевой кремниевый P-канальный 100В 40А 200Вт InfineonTechnologie

4480 шт 24 декабря

104.00	/шт от 20 шт
100.73	/шт от 80 шт

Код: 2017139154

Infineon Technologies

IRF5210STRLPBF, IRF5210STRLPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 100В, 38A, кор

1695 шт 24 декабря

97.50	/шт от 20 шт
94.35	/шт от 80 шт

Код: 2017139155

Infineon Technologies

IRF5305PBF, IRF5305PBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 55В, 31А, 110Вт, 0.06

940 шт 24 декабря

63.20	/шт от 20 шт
61.17	/шт от 80 шт

DPAK
DPAK/TO-252AA
KT-1-12
KT-1-7 (TO-18)
KT-119
KT-13
KT-14
KT-15
KT-16-2
KT-17
KT-18
KT-2-7
KT-2-7(TO-39)
KT-20
KT-26
KT-27
KT-27-2
KT-272
KT-28
KT-28-2
KT-282
KT-29
KT-30
KT-32
KT-37
KT-431
KT-432
KT-44
KT-45
KT-46
KT-47
KT-52
KT-56
KT-57
KT-8
KT-9
SC-74-6
SOD-23
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220F
TO-247
TO-251
TO-252
TO-263
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TO126
TO218
TO220
TO92
TSSOP-6
КТ-1-7 (TO-18)
КТ-1-9 (TO-18)
КТ-2 (TO-39)
КТ-2-7 (TO-39)
КТ-26 (ТО-92)
КТ-27 (TO-126)
КТ-27 (ТО-126)
КТ-28-2 (TO-220)
КТ-4-2 (TO-60)
КТ-432
КТ-44
КТ-46 (SOT-23)
КТ-56
КТ-89 (TO-252)
КТ-91 (ТО-251)
КТ13
КТЮ-3-1
КТЮ-3-20
КТЮ-3-6
КТЮ-3-9
КТЮ-43-1
ТО-126

Производитель
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT AM AMPLEON AVAGO/BROADCOM AVC BLUE ROCKET CDIL CJ CN BELL CTK DC COMPONENTS DI DIODES INC. DIODES ZETEX DIOTEC ELECSUPER FAIR/ONS FAIRCHILD (ON S FREESCALE SEMICONDUCTOR FUJI FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH FUXIN FUXINSEMI GALAXY GOFORD HANSCHIP HITACHI HOTTECH HTC HXY ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON INFINEON TECHNOLOGIES ISC ISCSEMI IXYS JCET JIANGSU CHANGJIANG E JINGDAO JSCJ JSMICRO JSMSEMI KEC KLS KUU LGE LRC LUGUANG MCC MITSUBISHI MIXIC MOTOROLA MSKSEMI MULTCMP NEC NEX-NXP NXP SEMICONDUCT NXP SEMICONDUCTORS OLITECH ONS PHI PHILIPS REASUNOS RENESAS ROHM SANKEN SANYO SCHN SHIKUES SICHAIN SLKOR SPTECH STM SUNTAN TECH PUB TI TOPDIODE MANUFACTURING CO TOPDIODES TOSHIBA TRR UDUSEMI UMW UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR UTC VBSEMI VISHAY WAYON WEEN SEMICOND YJ YONGYUTAI YOUTAI ZH АЛЬФА ВЗПП ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП ГАММА ДАЛЕКС ИНТЕГРАЛ ИСКРА КИТАЙ КРЕМНИЙ НИИПП ТОМСК НПП УРЛЗ ПЛАНЕТА ПУЛЬСАР РОССИЯ СВЕТЛАНА ТАЙВАНЬ ТОМСК ТРАНЗИСТОР УРЛЗ ФЗМТ ЭЛЕКС
Структура
N-База NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN с резист.сборкой NPN+NPN NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон
U_{кбо максимальное},В
5 10 12 15 20 25 26 30 35 36 40 45 50 60 65 70 75 80 90 100 120 125 130 140 150 160 180 200 230 250 300 400 450 500 600 700 750 800 900 1200 1500
U_{кэ максимальное},В
2 10 12 15 20 25 26 30 36 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 100 120 125 130 150 160 180 200 230 250 275 300 350 400 450 500 600 700 800 850 900 1500
I_{ток коллектора},А
0.01 0.02 0.03 0.05 0.06 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.25 0.3 0.35 0.4 0.5 0.6 0.7 0.75 0.8 1 1.25 1.5 2 2.5 3 3.3 3.5 4 5 6 7 8 10 12 12.5 13 15 16 17 20 24 25 30 50
h_{fe коэффициент передачи}
0.5 0.65 2.25 4 5 5.5 6 7.5 8 9 10 12 15 16 20 25 30 35 40 45 50 53 55 60 63 70 80 85 100 110 120 125 140 150 160 180 200 220 230 250 290 300 380 400 420 475 500 520 750 1000 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 10 50 100 150
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
f_{граничная частота},МГц
0.2 1 3 4 4.5 5 5.1 6 7 7.2 8 10 15 20 25 30 40 50 51 60 65 75 80 85 90 100 105 120 125 145 150 170 175 180 200 220 230 240 250 300 350 400 450 500 600 660 700 900 1000 1002 1100 1500 1800 2500 4000 5000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.03 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.7 0.75 0.8 0.83 0.85 1 1.2 1.4 1.5 1.75 2 2.5 3 3.5 4 4.7 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 10 11 12 12.5 15 16 20 25 27 30 36 40 43 45 46 50 54 55 60 65 70 75 76.7 80 84 85 100 120 125 133 150 170 181 200 250 500
Корпус

type_26
NPN транзистор с диодом%%%transistor-pnp-with-diod NPN транзистор%%%transistor-npn PNP транзистор%%%transistor-pnp Дарлингтон%%%darlington

транзисторы биполярные Infineon Technologies149

транзисторы биполярные Infineon Technologies₁₄₉