Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

транзисторы биполярные YONGYUTAI₉

Показать списком

Сравнить

Сначала дешевые

Товары со скидкой

Код: 2017145226

YONGYUTAI

2SB1132, 2SB1132 Yongyutai биполярный транзистор PNP, -32 В, -1 А, SOT-89

5000 шт 17 декабря

6.20	/шт от 200 шт
5.74	/шт от 800 шт

Код: 2017140562

YONGYUTAI

2SC1623, 2SC1623 Yongyutai биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, SOT-323

41000 шт 17 декабря

0.87	/шт от 500 шт
0.79	/шт от 2000 шт

Код: 2017141598

YONGYUTAI

MJD127, MJD127 Yongyutai биполярный составной транзистор (Дарлингтона), PNP -100 В, -3 А, TO-252 (DP

9600 шт 17 декабря

15.00	/шт от 50 шт
13.90	/шт от 200 шт

Код: 2017178848

YONGYUTAI

MMBT3904 (YONGYUTAI), MMBT3904 YONGYUTAI Биполярный транзистор NPN, 40 В, 0.2 А, SOT-23

56000 шт 17 декабря

0.61	/шт от 1000 шт
0.55	/шт от 4000 шт

Код: 2017141599

YONGYUTAI

MMBTA05, MMBTA05 Yongyutai биполярный транзистор NPN, 60 В, 0.5 А, SOT-23

21000 шт 17 декабря

2.09	/шт от 600 шт
1.94	/шт от 2400 шт

Код: 2017138745

YONGYUTAI

MMBTA56, MMBTA56 Yongyutai биполярный транзистор PNP, -80 В, 0,5 А, SOT-23

28000 шт 17 декабря

1.90	/шт от 2 шт
1.73	/шт от 8 шт

Код: 2017137746

YONGYUTAI

SI2301, SI2301 Yongyutai полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -3 А, SOT-23

22945 шт 17 декабря

1.92	/шт от 2 шт
1.74	/шт от 8 шт

Код: 2017137749

YONGYUTAI

SI2302, SI2302 Yongyutai полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 3 А, SOT-23

30920 шт 17 декабря

1.56	/шт от 920 шт
1.42	/шт от 3680 шт

Код: 2017178849

YONGYUTAI

SI2305, SI2305 Yongyutai полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -3.9 А, 65 мОм, SOT-23

11200 шт 17 декабря

3.40	/шт от 100 шт
3.15	/шт от 400 шт

Для улучшения работы сайта и его взаимодействия с пользователями мы используем файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, Вы разрешаете использование cookie-файлов. Вы всегда можете отключить файлы cookie в настройках Вашего браузера.

DPAK
DPAK/TO-252AA
KT-1-12
KT-1-7 (TO-18)
KT-119
KT-13
KT-14
KT-15
KT-16-2
KT-17
KT-18
KT-2-7
KT-2-7(TO-39)
KT-20
KT-26
KT-27
KT-27-2
KT-272
KT-28
KT-28-2
KT-282
KT-29
KT-30
KT-32
KT-37
KT-431
KT-432
KT-44
KT-45
KT-46
KT-47
KT-52
KT-56
KT-57
KT-8
KT-9
SC-74-6
SOD-23
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220F
TO-247
TO-251
TO-252
TO-263
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TO126
TO218
TO220
TO92
TSSOP-6
КТ-1-7 (TO-18)
КТ-1-9 (TO-18)
КТ-2 (TO-39)
КТ-2-7 (TO-39)
КТ-26 (ТО-92)
КТ-27 (TO-126)
КТ-27 (ТО-126)
КТ-28-2 (TO-220)
КТ-4-2 (TO-60)
КТ-432
КТ-44
КТ-46 (SOT-23)
КТ-56
КТ-89 (TO-252)
КТ-91 (ТО-251)
КТ13
КТЮ-3-1
КТЮ-3-20
КТЮ-3-6
КТЮ-3-9
КТЮ-43-1
ТО-126

Производитель
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT AM AMPLEON AVAGO/BROADCOM AVC BLUE ROCKET CDIL CJ CN BELL CTK DC COMPONENTS DI DIODES INC. DIODES ZETEX DIOTEC ELECSUPER FAIR/ONS FAIRCHILD (ON S FREESCALE SEMICONDUCTOR FUJI FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH FUXIN FUXINSEMI GALAXY GOFORD HANSCHIP HITACHI HOTTECH HTC HXY ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON INFINEON TECHNOLOGIES ISC ISCSEMI IXYS JCET JIANGSU CHANGJIANG E JINGDAO JSCJ JSMICRO JSMSEMI KEC KLS KUU LGE LRC LUGUANG MCC MITSUBISHI MIXIC MOTOROLA MSKSEMI MULTCMP NEC NEX-NXP NXP SEMICONDUCT NXP SEMICONDUCTORS OLITECH ONS PHI PHILIPS REASUNOS RENESAS ROHM SANKEN SANYO SCHN SHIKUES SICHAIN SLKOR SPTECH STM SUNTAN TECH PUB TI TOPDIODE MANUFACTURING CO TOPDIODES TOSHIBA TRR UDUSEMI UMW UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR UTC VBSEMI VISHAY WAYON WEEN SEMICOND YJ YONGYUTAI YOUTAI ZH АЛЬФА ВЗПП ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП ГАММА ДАЛЕКС ИНТЕГРАЛ ИСКРА КИТАЙ КРЕМНИЙ НИИПП ТОМСК НПП УРЛЗ ПЛАНЕТА ПУЛЬСАР РОССИЯ СВЕТЛАНА ТАЙВАНЬ ТОМСК ТРАНЗИСТОР УРЛЗ ФЗМТ ЭЛЕКС
Структура
N-База NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN с резист.сборкой NPN+NPN NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон
U_{кбо максимальное},В
5 10 12 15 20 25 26 30 35 36 40 45 50 60 65 70 75 80 90 100 120 125 130 140 150 160 180 200 230 250 300 400 450 500 600 700 750 800 900 1200 1500
U_{кэ максимальное},В
2 10 12 15 20 25 26 30 36 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 100 120 125 130 150 160 180 200 230 250 275 300 350 400 450 500 600 700 800 850 900 1500
I_{ток коллектора},А
0.01 0.02 0.03 0.05 0.06 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.25 0.3 0.35 0.4 0.5 0.6 0.7 0.75 0.8 1 1.25 1.5 2 2.5 3 3.3 3.5 4 5 6 7 8 10 12 12.5 13 15 16 17 20 24 25 30 50
h_{fe коэффициент передачи}
0.5 0.65 2.25 4 5 5.5 6 7.5 8 9 10 12 15 16 20 25 30 35 40 45 50 53 55 60 63 70 80 85 100 110 120 125 140 150 160 180 200 220 230 250 290 300 380 400 420 475 500 520 750 1000 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 10 50 100 150
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
f_{граничная частота},МГц
0.2 1 3 4 4.5 5 5.1 6 7 7.2 8 10 15 20 25 30 40 50 51 60 65 75 80 85 90 100 105 120 125 145 150 170 175 180 200 220 230 240 250 300 350 400 450 500 600 660 700 900 1000 1002 1100 1500 1800 2500 4000 5000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.03 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.7 0.75 0.8 0.83 0.85 1 1.2 1.4 1.5 1.75 2 2.5 3 3.5 4 4.7 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 10 11 12 12.5 15 16 20 25 27 30 36 40 43 45 46 50 54 55 60 65 70 75 76.7 80 84 85 100 120 125 133 150 170 181 200 250 500
Корпус

type_26
NPN транзистор с диодом%%%transistor-pnp-with-diod NPN транзистор%%%transistor-npn PNP транзистор%%%transistor-pnp Дарлингтон%%%darlington

транзисторы биполярные YONGYUTAI9

транзисторы биполярные YONGYUTAI₉