транзисторы биполярные

Код: 2017141841

FDD8447L, FDD8447L HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 40 В, 60 А, 8.5 мОм, TO-252 (DPAK)

2000 шт 25 декабря

30.50	/шт от 50 шт
29.52	/шт от 200 шт

Код: 2017140609

SLKOR

FDN302P, FDN302P SLKOR полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -2.4 А, 55 мОм, SOT-23

11250 шт 25 декабря

4.94	/шт от 250 шт
4.58	/шт от 1000 шт

Код: 2017140610

SLKOR

FDN304P, FDN304P SLKOR полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -2.4 А, 52 мОм, SOT-23

10750 шт 25 декабря

5.02	/шт от 250 шт
4.65	/шт от 1000 шт

Код: 2017140876

HXY

FDN335N, FDN335N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 2.3 А, 72 мОм, SOT-23

12000 шт 25 декабря

4.49	/шт от 150 шт
4.16	/шт от 600 шт

Код: 2017140608

SLKOR

FDN337N, FDN337N SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 2.2 А, 65 мОм, SOT-23

10500 шт 25 декабря

5.13	/шт от 250 шт
4.75	/шт от 1000 шт

Код: 2017138591

JSMSEMI

FDN338P, FDN338P JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -1.6 А, SOT-23

8500 шт 25 декабря

6.51	/шт от 2 шт
6.03	/шт от 8 шт

Код: 2017140845

HXY

FDN357N, FDN357N HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 4 А, 38 мОм, SOT-23

9000 шт 25 декабря

8.84	/шт от 100 шт
8.18	/шт от 400 шт

Код: 2017141029

KUU

FDN360P, FDN360P KUU полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23

12000 шт 25 декабря

5.34	/шт от 250 шт
4.95	/шт от 1000 шт

Код: 2017140844

HXY

FDN5618P, FDN5618P HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -2 А, 80 мОм, SOT-23

8800 шт 25 декабря

12.10	/шт от 100 шт
11.22	/шт от 400 шт

Код: 2017140862

HXY

FDN5630, FDN5630 HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 3 А, 85 мОм, SOT-23

5700 шт 25 декабря

8.33	/шт от 150 шт
7.71	/шт от 600 шт

Код: 2017141073

JSMSEMI

FDN86246, FDN86246 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 150 В, 1.8 А, 280 мОм, 18 нКл, SOT-

1850 шт 25 декабря

16.60	/шт от 50 шт
16.05	/шт от 200 шт

Код: 2017201910

JSMSEMI

FDS4435BZ, FDS4435BZ HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -9.7 А, 28 мОм, 33.8 нКл, SOP-

2500 шт 25 декабря

15.40	/шт от 100 шт
14.26	/шт от 400 шт

Код: 2017141756

HXY

FDS9431A, FDS9431A HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл,SOP-8

2900 шт 25 декабря

17.60	/шт от 2 шт
17.03	/шт от 8 шт

Код: 2017140860

HXY

FDS9435A, FDS9435A HXY полевой транзистор (MOSFET) P-канал, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл, SOP-8

12700 шт 25 декабря

6.78	/шт от 100 шт
6.28	/шт от 400 шт

Код: 2017140663

Elecsuper

FDV301N (Elecsuper), FDV301N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 1.25 А, 300 мОм,

12500 шт 25 декабря

3.18	/шт от 250 шт
2.94	/шт от 1000 шт

Код: 2017140616

SLKOR

FDV301N, FDV301N SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 25 В, 0.22 А, 4000 мОм, SOT-23

14500 шт 25 декабря

5.82	/шт от 125 шт
5.39	/шт от 500 шт

Код: 2017140662

Elecsuper

FDV303N, FDV303N Elecsuper полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 20 В, 1.25 А, 0.3 Ом, 0.8 нКл, SOT-2

3500 шт 25 декабря

2.22	/шт от 500 шт
2.06	/шт от 2000 шт

Код: 2017140611

SLKOR

FDV305N, FDV305N SLKOR полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 20 В, 0.9 А, 220 мОм, SOT-23

11250 шт 25 декабря

5.04	/шт от 250 шт
4.67	/шт от 1000 шт

Код: 2015509942

ONS

FFB2222A, Транзисторы и сборки биполярные, корпус TSSOP6

7 шт 25 декабря

17.00	/шт от 1 шт
16.30	/шт от 2 шт

Код: 2015154045

ONS

FJA13009TU, TO-3P

105 шт 26 декабря

265.06	/шт от 2 шт
261.88	/шт от 3 шт

Код: 2011327348

ONS

FJP13007H1TU, TO-220

7 шт 26 декабря

65.95	/шт от 6 шт
60.58	/шт от 12 шт

Код: 2010014316

ONS

FJP3305H1TU, TO-220

741 шт 26 декабря

48.07	/шт от 8 шт
43.91	/шт от 16 шт

Код: 2016570269

SLKOR

FMMT458, Транзисторы и сборки биполярные

10483 шт 25 декабря

5.00	/шт от 1 шт
4.30	/шт от 2 шт

Код: 2010991133

Diodes Inc.

FMMT491ATA, SOT-23

1997 шт 26 декабря

9.34	/шт от 37 шт
8.94	/шт от 121 шт

Код: 2015805295

Diodes Inc.

FMMT493TA, SOT23-3

7530 шт 26 декабря

10.51	/шт от 36 шт
9.11	/шт от 182 шт

Код: 2017087217

JSCJ

FMMT495, Транзисторы и сборки биполярные, корпус SOT23

428 шт 25 декабря

5.00	/шт от 1 шт
4.42	/шт от 2 шт

Код: 2015884471

Diodes Inc.

FMMT495TA, SOT23-3

5838 шт 26 декабря

7.12	/шт от 49 шт
6.74	/шт от 156 шт

Код: 2015023411

Diodes Inc.

FMMT495TA, Транзисторы и сборки биполярные, корпус SOT23

1 шт 25 декабря

11.00	/шт от 1 шт
10.60	/шт от 2 шт

Код: 2015508265

Diodes Inc.

FMMT560, Транзисторы и сборки биполярные, корпус TO236

25 шт 25 декабря

21.00	/шт от 1 шт
20.20	/шт от 2 шт

Код: 2015793508

Diodes Inc.

FMMT560TA, SOT23-3

33257 шт 26 декабря

7.88	/шт от 48 шт
6.75	/шт от 391 шт

Код: 2017141038

SLKOR

FMMT591, FMMT591 SLKOR Биполярный транзистор PNP, -60 В, -1 А, SOT-23

8400 шт 25 декабря

4.25	/шт от 200 шт
3.94	/шт от 800 шт

Код: 2015020096

Diodes Inc.

FMMT591, Транзисторы и сборки биполярные, корпус TO236

4 шт 25 декабря

45.00	/шт от 1 шт
43.70	/шт от 2 шт

Код: 2010002488

Diodes Inc.

FMMT591ATA, SOT-23

1068 шт 26 декабря

9.44	/шт от 37 шт
8.99	/шт от 64 шт

Код: 2015468746

Diodes Inc.

FMMT591TA, SOT23-3

2266 шт 26 декабря

8.12	/шт от 43 шт
7.70	/шт от 73 шт

Код: 2015884472

Diodes Inc.

FMMT593TA, SOT23-3

4236 шт 26 декабря

15.92	/шт от 23 шт
14.02	/шт от 120 шт

Код: 2015505409

Diodes Inc.

FMMT597TA, SOT23-3

10071 шт 26 декабря

11.08	/шт от 31 шт
10.66	/шт от 102 шт

DPAK
DPAK/TO-252AA
KT-1-12
KT-1-7 (TO-18)
KT-119
KT-13
KT-14
KT-15
KT-16-2
KT-17
KT-18
KT-2-7
KT-2-7(TO-39)
KT-20
KT-26
KT-27
KT-27-2
KT-272
KT-28
KT-28-2
KT-282
KT-29
KT-30
KT-32
KT-37
KT-431
KT-432
KT-44
KT-45
KT-46
KT-47
KT-52
KT-56
KT-57
KT-8
KT-9
SC-74-6
SOD-23
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220F
TO-247
TO-251
TO-252
TO-263
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TO126
TO218
TO220
TO92
TSSOP-6
КТ-1-7 (TO-18)
КТ-1-9 (TO-18)
КТ-2 (TO-39)
КТ-2-7 (TO-39)
КТ-26 (ТО-92)
КТ-27 (TO-126)
КТ-27 (ТО-126)
КТ-28-2 (TO-220)
КТ-4-2 (TO-60)
КТ-432
КТ-44
КТ-46 (SOT-23)
КТ-56
КТ-89 (TO-252)
КТ-91 (ТО-251)
КТ13
КТЮ-3-1
КТЮ-3-20
КТЮ-3-6
КТЮ-3-9
КТЮ-43-1
ТО-126

Производитель
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT AM AMPLEON AVAGO/BROADCOM AVC BLUE ROCKET CDIL CJ CN BELL CTK DC COMPONENTS DI DIODES INC. DIODES ZETEX DIOTEC ELECSUPER FAIR/ONS FAIRCHILD (ON S FREESCALE SEMICONDUCTOR FUJI FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH FUXIN FUXINSEMI GALAXY GOFORD HANSCHIP HITACHI HOTTECH HTC HXY ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON INFINEON TECHNOLOGIES ISC ISCSEMI IXYS JCET JIANGSU CHANGJIANG E JINGDAO JSCJ JSMICRO JSMSEMI KEC KLS KUU LGE LRC LUGUANG MCC MITSUBISHI MIXIC MOTOROLA MSKSEMI MULTCMP NEC NEX-NXP NXP SEMICONDUCT NXP SEMICONDUCTORS OLITECH ONS PHI PHILIPS REASUNOS RENESAS ROHM SANKEN SANYO SCHN SHIKUES SICHAIN SLKOR SPTECH STM SUNTAN TECH PUB TI TOPDIODE MANUFACTURING CO TOPDIODES TOSHIBA TRR UDUSEMI UMW UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR UTC VBSEMI VISHAY WAYON WEEN SEMICOND YJ YONGYUTAI YOUTAI ZH АЛЬФА ВЗПП ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП ГАММА ДАЛЕКС ИНТЕГРАЛ ИСКРА КИТАЙ КРЕМНИЙ НИИПП ТОМСК НПП УРЛЗ ПЛАНЕТА ПУЛЬСАР РОССИЯ СВЕТЛАНА ТАЙВАНЬ ТОМСК ТРАНЗИСТОР УРЛЗ ФЗМТ ЭЛЕКС
Структура
N-База NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN с резист.сборкой NPN+NPN NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон
U_{кбо максимальное},В
5 10 12 15 20 25 26 30 35 36 40 45 50 60 65 70 75 80 90 100 120 125 130 140 150 160 180 200 230 250 300 400 450 500 600 700 750 800 900 1200 1500
U_{кэ максимальное},В
2 10 12 15 20 25 26 30 36 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 100 120 125 130 150 160 180 200 230 250 275 300 350 400 450 500 600 700 800 850 900 1500
I_{ток коллектора},А
0.01 0.02 0.03 0.05 0.06 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.25 0.3 0.35 0.4 0.5 0.6 0.7 0.75 0.8 1 1.25 1.5 2 2.5 3 3.3 3.5 4 5 6 7 8 10 12 12.5 13 15 16 17 20 24 25 30 50
h_{fe коэффициент передачи}
0.5 0.65 2.25 4 5 5.5 6 7.5 8 9 10 12 15 16 20 25 30 35 40 45 50 53 55 60 63 70 80 85 100 110 120 125 140 150 160 180 200 220 230 250 290 300 380 400 420 475 500 520 750 1000 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 10 50 100 150
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
f_{граничная частота},МГц
0.2 1 3 4 4.5 5 5.1 6 7 7.2 8 10 15 20 25 30 40 50 51 60 65 75 80 85 90 100 105 120 125 145 150 170 175 180 200 220 230 240 250 300 350 400 450 500 600 660 700 900 1000 1002 1100 1500 1800 2500 4000 5000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.03 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.7 0.75 0.8 0.83 0.85 1 1.2 1.4 1.5 1.75 2 2.5 3 3.5 4 4.7 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 10 11 12 12.5 15 16 20 25 27 30 36 40 43 45 46 50 54 55 60 65 70 75 76.7 80 84 85 100 120 125 133 150 170 181 200 250 500
Корпус

type_26
NPN транзистор с диодом%%%transistor-pnp-with-diod NPN транзистор%%%transistor-npn PNP транзистор%%%transistor-pnp Дарлингтон%%%darlington

транзисторы биполярные , стр.38 3720

транзисторы биполярные , стр.38 ₃₇₂₀