Москва +7 (495) 125-15-24 shop@platan.ru | С.-Петербург +7 (812) 232-88-36 shop@platan.spb.ru

ИНТЕРНЕТ-МАГАЗИН

транзисторы биполярные 3701

Производитель  


















































































































Структура  









Uкбо максимальное ,В 









































Uкэ максимальное ,В 










































Iток коллектора ,А 












































hfe коэффициент передачи  





















































hfe при токе коллектора  




















Hfe при напряжении к-э, В  








fграничная частота ,МГц 
























































Pк максимальная мощность ,Вт 












































































Корпус  
type_26  




Код: 2017139218
IRF7416TRPBF, IRF7416TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 30В, 10А, 2.5Вт,
Infineon Technologies

IRF7416TRPBF, IRF7416TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 30В, 10А, 2.5Вт,

2025 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017140379
IRF7420, IRF7420TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -20 А, 19 мОм, SOP-8
HXY

IRF7420, IRF7420TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -20 В, -20 А, 19 мОм, SOP-8

2560 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141458
IRF7425TRPBF, IRF7425TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 20В,15A, корпус SO
Infineon Technologies

IRF7425TRPBF, IRF7425TRPBF, Полевой P-канальный транзистор Infineon Technologies, 20В,15A, корпус SO

780 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017150146
IRF7455, IRF7455TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 18 А, 6.5 мОм, 12.6 нКл, SOP-8
HXY

IRF7455, IRF7455TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 18 А, 6.5 мОм, 12.6 нКл, SOP-8

2360 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017140380
IRF7805Z, IRF7805ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8
HXY

IRF7805Z, IRF7805ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8

2900 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017140377
IRF7807Z, IRF7807ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8
HXY

IRF7807Z, IRF7807ZTRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8

700 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017139501
IRF7815TRPBF, IRF7815TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 5,1A, корпус
Infineon Technologies

IRF7815TRPBF, IRF7815TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 150В, 5,1A, корпус

440 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141459
IRF7820TRPBF, IRF7820TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 3.7A, корпус
Infineon Technologies

IRF7820TRPBF, IRF7820TRPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 200В, 3.7A, корпус

3900 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141074
IRF7828, IRF7828 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 15 А, 11 мОм, 20.8 нКл, SOP-8
JSMSEMI

IRF7828, IRF7828 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 15 А, 11 мОм, 20.8 нКл, SOP-8

3850 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017139203
IRF7832TRPBF, IRF7832TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 30В, 20A, корпус
Infineon Technologies

IRF7832TRPBF, IRF7832TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 30В, 20A, корпус

440 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017137194
IRF7842TRPBF, IRF7842TRPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 18А, 2.5Вт, к
Infineon Technologies

IRF7842TRPBF, IRF7842TRPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 18А, 2.5Вт, к

870 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017145038
IRF830, IRF830PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 550 В, 4 А, TO-220
JSMSEMI

IRF830, IRF830PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 550 В, 4 А, TO-220

885 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017145040
IRF830APBF, IRF830APBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 550 В, 4 А, TO-220
JSMSEMI

IRF830APBF, IRF830APBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET) N-канал, 550 В, 4 А, TO-220

850 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017134988
IRF8313TRPBF, IRF8313TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов InfineonTechnologies, 30
Infineon Technologies

IRF8313TRPBF, IRF8313TRPBF, Сборка из двух полевых N-канальных транзисторов InfineonTechnologies, 30

2742 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141848
IRF840APBF, IRF840APBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB
VISHAY

IRF840APBF, IRF840APBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB

1020 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017136226
IRF840PBF, IRF840PBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB
VISHAY

IRF840PBF, IRF840PBF, Полевой N-канальный транзистор, 500В, 8А, 125Вт, корпус TO-220AB

2600 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017140021
IRF8707, IRF8707TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 13 А, 13 мОм, 6 нКл, SOP-8
HXY

IRF8707, IRF8707TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 30 В, 13 А, 13 мОм, 6 нКл, SOP-8

2925 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017216957
IRF8788TRPBF, IRF8788TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 30В, 24А, 2.5Вт,к
Infineon Technologies

IRF8788TRPBF, IRF8788TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 30В, 24А, 2.5Вт,к

660 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017139500
IRF8910TRPBF, IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, к
Infineon Technologies

IRF8910TRPBF, IRF8910TRPBF, Транзистор Infineon Technologies, N-MOSFET x2, полевой, 20В, 10А, 2Вт, к

1880 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017139219
IRF9310TRPBF, IRF9310TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 30В, 20A, 2.5Вт,к
Infineon Technologies

IRF9310TRPBF, IRF9310TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 30В, 20A, 2.5Вт,к

440 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017140270
IRF9317, IRF9317TR SLKOR полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -15 А, 9.5 мОм, 35 нКл, SOP-8
SLKOR

IRF9317, IRF9317TR SLKOR полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -15 А, 9.5 мОм, 35 нКл, SOP-8

2750 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017138236
IRF9317TRPBF, IRF9317TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 30В, 16A, корпус S
Infineon Technologies

IRF9317TRPBF, IRF9317TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 30В, 16A, корпус S

220 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017139202
IRF9321TRPBF, IRF9321TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 30В, 15A, корпус
Infineon Technologies

IRF9321TRPBF, IRF9321TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 30В, 15A, корпус

3055 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141757
IRF9335, IRF9335 HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл,SOP-8
HXY

IRF9335, IRF9335 HXY полевой транзистор (MOSFET) P, -30 В, -5.8 А, 55 мОм, 11 нКл,SOP-8

5800 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141842
IRF9358, IRF9358 HXY сборка полевых транзисторов (MOSFET), P+P канал, -30 В, -11 А, 18 мОм, 22 нКл,S
HXY

IRF9358, IRF9358 HXY сборка полевых транзисторов (MOSFET), P+P канал, -30 В, -11 А, 18 мОм, 22 нКл,S

2660 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017140271
IRF9540, IRF9540 SLKOR полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -100 В, -20 А, 90 мОм, 44 нКл, TO-220
SLKOR

IRF9540, IRF9540 SLKOR полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -100 В, -20 А, 90 мОм, 44 нКл, TO-220

770 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017134967
IRF9540NPBF, IRF9540NPBF, транзисторполевой кремниевый P-канальный 100В 23А 140Вт Infineon Technolog
Infineon Technologies

IRF9540NPBF, IRF9540NPBF, транзисторполевой кремниевый P-канальный 100В 23А 140Вт Infineon Technolog

75 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141083
IRF9630, IRF9630PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -10 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO
JSMSEMI

IRF9630, IRF9630PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -10 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO

950 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141081
IRF9640, IRF9640PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -15 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO
JSMSEMI

IRF9640, IRF9640PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -200 В, -15 А, 0.42 Ом, 68 нКл, TO

900 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017140376
IRF9956, IRF9956TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), 2N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8
HXY

IRF9956, IRF9956TRPBF HXY полевой транзистор (MOSFET), 2N-канал, 30 В, 8.5 А, 18 мОм, 6 нКл, SOP-8

2900 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017140085
IRF9Z24N, IRF9Z24N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -17 А, 86мОм, 22.6 нКл, TO-2
JSMSEMI

IRF9Z24N, IRF9Z24N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -17 А, 86мОм, 22.6 нКл, TO-2

1625 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017138590
IRF9Z34N, IRF9Z34N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -20 А, TO-220
JSMSEMI

IRF9Z34N, IRF9Z34N JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -60 В, -20 А, TO-220

860 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017139716
IRF9Z34NPBF, IRF9Z34NPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 55В, 19А, 68Вт,корпу
Infineon Technologies

IRF9Z34NPBF, IRF9Z34NPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 55В, 19А, 68Вт,корпу

820 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141082
IRF9Z34NS, IRF9Z34NSTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -55 В, -35 А, 55 мОм, 40 нК
JSMSEMI

IRF9Z34NS, IRF9Z34NSTRLPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -55 В, -35 А, 55 мОм, 40 нК

940 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141456
IRFB260NPBF, IRFB260NPBF
Infineon Technologies

IRFB260NPBF, IRFB260NPBF

990 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141086
IRFB3206, IRFB3206NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 5 мОм, 115 нКл, TO
JSMSEMI

IRFB3206, IRFB3206NPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 120 А, 5 мОм, 115 нКл, TO

900 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141502
IRFB3307ZPBF, IRFB3307ZPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 75В,120A, 230Вт, к
Infineon Technologies

IRFB3307ZPBF, IRFB3307ZPBF, Полевой N-канальный транзистор Infineon Technologies, 75В,120A, 230Вт, к

736 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017141748
IRFB3607, IRFB3607PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 80 В, 100 А, 8.2 мОм, TO-220
JSMSEMI

IRFB3607, IRFB3607PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 80 В, 100 А, 8.2 мОм, TO-220

1360 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017140330
IRFB38N20D, IRFB38N20DPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 220 В, 45 А, 60 мОм, 154 нКл
JSMSEMI

IRFB38N20D, IRFB38N20DPBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 220 В, 45 А, 60 мОм, 154 нКл

303 шт 17 декабря
шт.
Код: 2017138615
IRFB4110, IRFB4110PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 180 А, TO-220
JSMSEMI

IRFB4110, IRFB4110PBF JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 180 А, TO-220

1320 шт 17 декабря
шт.
Корзина

Товар добавлен в корзину!