транзисторы биполярные

Код: 2011038610

SMMBTA06LT1G, SOT-23

782 шт 29 декабря

4.84	/шт от 73 шт
4.47	/шт от 122 шт

Код: 2015505413

ONS

SMUN5213T1G, SC-70-3 (SOT323)

6000 шт 29 декабря

4.34	/шт от 81 шт
3.99	/шт от 134 шт

Код: 2015507177

ONS

SMUN5335DW1T1G, SC-88/SC70-6/SOT-363

2920 шт 29 декабря

3.58	/шт от 100 шт
3.26	/шт от 160 шт

Код: 2017139184

Infineon Technologies

SPP17N80C3XKSA1, SPP17N80C3XKSA1, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 800В, 17А,

204 шт 26 декабря

212.00	/шт от 5 шт
207.69	/шт от 20 шт

Код: 2017135006

Infineon Technologies

SPP20N60C3XKSA1, SPP20N60C3XKSA1, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 650В, 20.7A

110 шт 26 декабря

196.00	/шт от 5 шт
191.99	/шт от 20 шт

Код: 2017141527

Infineon Technologies

SPW17N80C3FKSA1, SPW17N80C3FKSA1, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 800В, 17A,

530 шт 26 декабря

351.00	/шт от 5 шт
343.83	/шт от 20 шт

Код: 2017139185

Infineon Technologies

SPW47N60C3FKSA1, SPW47N60C3FKSA1, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 600В, 47А,

2452 шт 26 декабря

485.00	/шт от 2 шт
475.00	/шт от 8 шт

Код: 2017141738

JSMSEMI

SS8050 (JSMSEMI), SS8050 JSMSEMI Биполярный транзистор NPN, 25 В, 1.5 А, SOT-23

54000 шт 26 декабря

0.89	/шт от 1000 шт
0.81	/шт от 4000 шт

Код: 2015085902

Hottech

SS8050, SOT-23

26924 шт 29 декабря

1.24	/шт от 339 шт
0.95	/шт от 2087 шт

Код: 2017136228

CTK

SS8050, SS8050 CTK Биполярный транзистор NPN, 25 В, 1,5 А, SOT-23

13000 шт 26 декабря

1.31	/шт от 1000 шт
1.19	/шт от 4000 шт

Код: 2015557562

SS8050-H, Транзисторы и сборки биполярные, корпус SOT23

10385 шт 26 декабря

2.00	/шт от 1 шт
1.94	/шт от 2 шт

Код: 2010069531

ONS

SS8050CBU, TO92-3

9712 шт 29 декабря

22.56	/шт от 17 шт
20.08	/шт от 88 шт

Код: 2015776989

Hottech

SS8550, SOT-23

15089 шт 29 декабря

1.47	/шт от 278 шт
1.14	/шт от 1171 шт

Код: 2017138583

CTK

SS8550, SS8550 CTK биполярный транзистор PNP, -25 В, -1.5А, SOT-23

22100 шт 26 декабря

1.54	/шт от 2 шт
1.40	/шт от 8 шт

Код: 2016017518

HOTTECH

SS8550, Транзисторы и сборки биполярные

33860 шт 26 декабря

1.00	/шт от 1 шт
1.00	/шт от 2 шт

Код: 2015931569

YOUTAI

SS8550, Транзисторы и сборки биполярные

12393 шт 26 декабря

2.00	/шт от 1 шт
1.03	/шт от 2 шт

Код: 2015123071

SS8550-H, Транзисторы и сборки биполярные, корпус SOT23

20010 шт 26 декабря

2.00	/шт от 1 шт
1.17	/шт от 2 шт

Код: 2015123070

SS8550-L, Транзисторы и сборки биполярные, корпус SOT23

7780 шт 26 декабря

2.00	/шт от 1 шт
1.59	/шт от 2 шт

Код: 2012913949

ONS

SS8550CBU, TO92-3

345 шт 29 декабря

12.21	/шт от 28 шт
11.78	/шт от 95 шт

Код: 2017288181

ONS

SS9012HBU, Транзисторы и сборки биполярные, корпус TO92

12000 шт 26 декабря

10.00	/шт от 1 шт
9.28	/шт от 2 шт

Код: 2010013255

STM

ST13003-K, TO-126

6298 шт 29 декабря

24.52	/шт от 14 шт
23.99	/шт от 48 шт

Код: 2010070187

STM

ST13005, TO-220

3170 шт 29 декабря

43.13	/шт от 9 шт
39.11	/шт от 100 шт

Код: 2005291301

STM

ST13007, TO-220AB

933 шт 29 декабря

104.31	/шт от 4 шт
95.88	/шт от 20 шт

Код: 2009138179

STM

ST13009, TO-220AB

287 шт 29 декабря

94.25	/шт от 4 шт
93.04	/шт от 14 шт

Код: 2014967168

STM

ST8812FX, Транзисторы и сборки биполярные, корпус ISOWATT218FX

716 шт 26 декабря

66.00	/шт от 1 шт
64.60	/шт от 2 шт

Код: 2017141798

JSMSEMI

STB11NK40Z, STB11NK40ZT4 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 400 В, 10 А, 550 мОм, 28 нКл,

1550 шт 26 декабря

65.30	/шт от 10 шт
63.19	/шт от 40 шт

Код: 2017137852

STM

STB13N60M2, STB13N60M2, Транзистор полевой ST Microelectronics, N-канальный, 650В, 11А, 110Вт, корпу

365 шт 26 декабря

129.00	/шт от 5 шт
124.77	/шт от 20 шт

Код: 2017137992

STM

STD10NM60N, STD10NM60N, Транзистор полевой ST Microelectronics, N-канальный, 600В, 10А,70Вт, корпус

2385 шт 26 декабря

84.10	/шт от 20 шт
81.39	/шт от 80 шт

Код: 2017201914

JSMSEMI

STD15NF10, STD15NF10 JSMSEMI полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 100 В, 39 А, 20 мОм, 16.2 нКл, TO

2460 шт 26 декабря

49.80	/шт от 20 шт
48.19	/шт от 80 шт

Код: 2017140401

STM

STD18N55M5, STD18N55M5, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 550В, 13А, 90Вт, корпусT

455 шт 26 декабря

395.00	/шт от 5 шт
386.91	/шт от 20 шт

Код: 2017139870

STM

STD20NF06LT4, STD20NF06LT4, Транзистор ST Microelectronics полевой N-канальный, 60В, 24А, 0.032 Ом,

590 шт 26 декабря

71.50	/шт от 20 шт
69.18	/шт от 80 шт

Код: 2017140400

STM

STD20NF20, STD20NF20, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 200В, 18А, 90Вт, корпус TO

342 шт 26 декабря

168.00	/шт от 10 шт
164.49	/шт от 40 шт

Код: 2017139940

STM

STD2NK90ZT4, STD2NK90ZT4, Полевой N-канальный транзистор ST Microelectronics,900В, 2.1A, корпусTO-25

638 шт 26 декабря

85.00	/шт от 2 шт
82.26	/шт от 8 шт

Код: 2017141758

HXY

STD35NF06, HXY полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 60 В, 50 А, 17 мОм, 36 нКл, TO-252 (DPAK)

2400 шт 26 декабря

28.70	/шт от 50 шт
27.77	/шт от 200 шт

Код: 2017140399

STM

STD3NK50ZT4, STD3NK50ZT4, Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 500В,2.3A, корпус TO-2

1450 шт 26 декабря

81.00	/шт от 20 шт
78.39	/шт от 80 шт

Код: 2017137800

STM

STD4NK60ZT4, STD4NK60ZT4,Транзистор полевой N-канальный ST Microelectronics, 600В, 4А, корпус TO-252

1450 шт 26 декабря

32.60	/шт от 50 шт
31.56	/шт от 200 шт

DPAK
DPAK/TO-252AA
KT-1-12
KT-1-7 (TO-18)
KT-119
KT-13
KT-14
KT-15
KT-16-2
KT-17
KT-18
KT-2-7
KT-2-7(TO-39)
KT-20
KT-26
KT-27
KT-27-2
KT-272
KT-28
KT-28-2
KT-282
KT-29
KT-30
KT-32
KT-37
KT-431
KT-432
KT-44
KT-45
KT-46
KT-47
KT-52
KT-56
KT-57
KT-8
KT-9
SC-74-6
SOD-23
SOT-143B
SOT-199
SOT-223
SOT-23-3
SOT-32
SOT-323
SOT-363-6
SOT-89
SOT-89-3
SOT223
SOT23
SOT89
TO-126
TO-126F
TO-18
TO-218
TO-220
TO-220AB
TO-220F
TO-247
TO-251
TO-252
TO-263
TO-39
TO-3P
TO-3PF
TO-3PML
TO-3PN
TO-92
TO126
TO218
TO220
TO92
TSSOP-6
КТ-1-7 (TO-18)
КТ-1-9 (TO-18)
КТ-2 (TO-39)
КТ-2-7 (TO-39)
КТ-26 (ТО-92)
КТ-27 (TO-126)
КТ-27 (ТО-126)
КТ-28-2 (TO-220)
КТ-4-2 (TO-60)
КТ-432
КТ-44
КТ-46 (SOT-23)
КТ-56
КТ-89 (TO-252)
КТ-91 (ТО-251)
КТ13
КТЮ-3-1
КТЮ-3-20
КТЮ-3-6
КТЮ-3-9
КТЮ-43-1
ТО-126

Производитель
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT AM AMPLEON AVAGO/BROADCOM AVC BLUE ROCKET CDIL CJ CN BELL CTK DC COMPONENTS DI DIODES INC. DIODES ZETEX DIOTEC ELECSUPER FAIR/ONS FAIRCHILD (ON S FREESCALE SEMICONDUCTOR FUJI FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH FUXIN FUXINSEMI GALAXY GOFORD HANSCHIP HITACHI HOTTECH HTC HXY ICS COMPONENTS INCHANGE INFINEON INFINEON TECHNOLOGIES ISC ISCSEMI IXYS JCET JIANGSU CHANGJIANG E JINGDAO JSCJ JSMICRO JSMSEMI KEC KLS KUU LGE LRC LUGUANG MCC MITSUBISHI MIXIC MOTOROLA MSKSEMI MULTCMP NEC NEX-NXP NXP SEMICONDUCT NXP SEMICONDUCTORS OLITECH ONS PHI PHILIPS REASUNOS RENESAS ROHM SANKEN SANYO SCHN SHIKUES SICHAIN SLKOR SPTECH STM SUNTAN TECH PUB TI TOPDIODE MANUFACTURING CO TOPDIODES TOSHIBA TRR UDUSEMI UMW UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR UTC VBSEMI VISHAY WAYON WEEN SEMICOND YJ YONGYUTAI YOUTAI ZH АЛЬФА ВЗПП ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП ГАММА ДАЛЕКС ИНТЕГРАЛ ИСКРА КИТАЙ КРЕМНИЙ НИИПП ТОМСК НПП УРЛЗ ПЛАНЕТА ПУЛЬСАР РОССИЯ СВЕТЛАНА ТАЙВАНЬ ТОМСК ТРАНЗИСТОР УРЛЗ ФЗМТ ЭЛЕКС
Структура
N-База NPN NPN Дарлингтон NPN с диодом NPN с резист.сборкой NPN+NPN NPN+PNP PNP PNP Дарлингтон
U_{кбо максимальное},В
5 10 12 15 20 25 26 30 35 36 40 45 50 60 65 70 75 80 90 100 120 125 130 140 150 160 180 200 230 250 300 400 450 500 600 700 750 800 900 1200 1500
U_{кэ максимальное},В
2 10 12 15 20 25 26 30 36 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 100 120 125 130 150 160 180 200 230 250 275 300 350 400 450 500 600 700 800 850 900 1500
I_{ток коллектора},А
0.01 0.02 0.03 0.05 0.06 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.25 0.3 0.35 0.4 0.5 0.6 0.7 0.75 0.8 1 1.25 1.5 2 2.5 3 3.3 3.5 4 5 6 7 8 10 12 12.5 13 15 16 17 20 24 25 30 50
h_{fe коэффициент передачи}
0.5 0.65 2.25 4 5 5.5 6 7.5 8 9 10 12 15 16 20 25 30 35 40 45 50 53 55 60 63 70 80 85 100 110 120 125 140 150 160 180 200 220 230 250 290 300 380 400 420 475 500 520 750 1000 2000 10000 20000
h_{fe при токе коллектора}
0.001 0.002 0.005 0.01 0.025 0.03 0.05 0.1 0.15 0.2 0.3 0.5 1 2 3 4 10 50 100 150
Hfe при напряжении к-э, В
1 2 3 4 5 6 10 20
f_{граничная частота},МГц
0.2 1 3 4 4.5 5 5.1 6 7 7.2 8 10 15 20 25 30 40 50 51 60 65 75 80 85 90 100 105 120 125 145 150 170 175 180 200 220 230 240 250 300 350 400 450 500 600 660 700 900 1000 1002 1100 1500 1800 2500 4000 5000
P_{к максимальная мощность},Вт
0.03 0.075 0.1 0.15 0.2 0.225 0.246 0.25 0.3 0.33 0.35 0.36 0.4 0.5 0.6 0.625 0.65 0.7 0.75 0.8 0.83 0.85 1 1.2 1.4 1.5 1.75 2 2.5 3 3.5 4 4.7 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 10 11 12 12.5 15 16 20 25 27 30 36 40 43 45 46 50 54 55 60 65 70 75 76.7 80 84 85 100 120 125 133 150 170 181 200 250 500
Корпус

type_26
NPN транзистор с диодом%%%transistor-pnp-with-diod NPN транзистор%%%transistor-npn PNP транзистор%%%transistor-pnp Дарлингтон%%%darlington

транзисторы биполярные , стр.62 3720

транзисторы биполярные , стр.62 ₃₇₂₀