транзисторы полевые

Код: 2016542499

VBSEMI

FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252] аналог для FDD6637

332 шт

49.00	/шт от 10 шт
41.20	/шт от 200 шт

Код: 2015812250

VBSEMI

IRF5305STR-VB, транзистор Р канал -55В -31А D2Pak

266 шт

110.00	/шт от 1 шт
77.10	/шт от 30 шт

Код: 2016542432

VBSEMI

IRF7103TRPBF-VB, Транзистор N канал 50V 3A [SOIC-8] аналог для IRF7103TRPBF

4880 шт

49.00	/шт от 15 шт
37.80	/шт от 200 шт

Код: 2016542713

VBSEMI

IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8] аналог для IRF7105TRPBF

2985 шт

39.00	/шт от 15 шт
32.10	/шт от 200 шт

Код: 2016542420

VBSEMI

IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8] аналог для IRF7240PBF

6010 шт

45.00	/шт от 10 шт
38.90	/шт от 150 шт

Код: 2016568936

VBSEMI

IRF7313TRPBF-VB, транзистор 2N канал 30В 6.5А (SO8) аналог для IRF7313TRPBF

7988 шт

33.00	/шт от 17 шт
26.30	/шт от 300 шт

Код: 2016827618

VBSEMI

IRF7324TRPBF-VB, транзистор 2P канал -20В -9А [SO8]

900 шт

44.00	/шт от 11 шт
36.60	/шт от 150 шт

Код: 2016542712

VBSEMI

IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8] = IRF7341TRPBF

14890 шт

56.00	/шт от 8 шт
44.00	/шт от 75 шт

Код: 2016988955

VBSEMI

IRF7342TRPBF-VB, транзистор 2P канал -55В -3.4А SO8

9800 шт

65.00	/шт от 10 шт
50.30	/шт от 100 шт

Код: 2015706403

VBSEMI

IRF7343TRPBF, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8

3 шт

55.00	/шт от 1 шт
41.80	/шт от 30 шт

Код: 2016543621

VBSEMI

IRF7410TRPBF-VB, транзистор P канал -12В -16А (SO8) аналог для IRF7410TRPBF

786 шт

45.00	/шт от 14 шт
34.30	/шт от 200 шт

Код: 2017080302

VBSEMI

IRF7452TRPBF-VB, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9A (SOP8) аналог для IRF7452TRPBF

1796 шт

36.00	/шт от 9 шт
32.90	/шт от 150 шт

Код: 2016827640

VBSEMI

IRF7473TRPBF-VB, транзистор Nкан 100В 6.9А SO8 аналог для IRF7473TPBF

260 шт

29.00	/шт от 9 шт
22.00	/шт от 100 шт

Код: 2016568931

VBSEMI

IRF7842TRPBF-VB, транзистор N канал 40в 18А (SO8 ) аналог для IRF7842TRPBF

8000 шт

30.00	/шт от 10 шт
25.80	/шт от 100 шт

Код: 2016020158

VBSEMI

IRL540NSPBF, транзистор TO263

780 шт

86.00	/шт от 10 шт
56.00	/шт от 20 шт

Код: 2016542397

VBSEMI

IRLML0100TRPBF-VB, N-канал транзистор 100В 2А 240мОм/10В SOT23-3 (=аналог для RLML0100TRPBF)

6650 шт

31.00	/шт от 20 шт
22.90	/шт от 250 шт

Код: 2016569310

VBSEMI

IRLML2244TRPBF-VB, транзистор P канал20В -4.3A (SOT23) аналог для IRLML2244TRPBF

3100 шт

4.00	/шт от 100 шт
3.13	/шт от 1500 шт

Код: 2016543595

VBSEMI

IRLML2402TRPBF -VB, транзистор N канал 20В 1.2А (SOT23)

19830 шт

6.00	/шт от 70 шт
4.46	/шт от 250 шт

Код: 2016543325

VBSEMI

IRLML2502TRPBF-VB, транзистор N канал 20V 6A (SOT-23-3) аналог для IRLML2502TRPBF

40000 шт

5.00	/шт от 100 шт
2.86	/шт от 500 шт

Код: 2016827606

VBSEMI

IRLML5203TRPBF-VB, транзистор P канал A -5.6 V-30 (SOT23-3)

10000 шт

9.00	/шт от 70 шт
6.40	/шт от 1000 шт

Код: 2016542437

VBSEMI

IRLML9301TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3] аналог для IRLML9301TRPBF

9730 шт

7.00	/шт от 70 шт
5.26	/шт от 1000 шт

Код: 2016543610

VBSEMI

IRLR3636TRPBF-VB, Транзистор N-канал, 97A, 60V (TO 252) аналог для IRLR3636TRPBF

2850 шт

58.00	/шт от 15 шт
34.30	/шт от 75 шт

Код: 2015721499

VBSEMI

IRLU024NPB-VB, N-Channel 60 V (D-S) MOSFET аналог IRLU024NPBF

459 шт

50.00	/шт от 9 шт
34.30	/шт от 150 шт

Код: 2016543624

VBSEMI

PSMN017-80BS-VB, Транзистор N канал 80V 120A 6mOhm@10V (TO-263) аналог для PSMN017-80BS,118

1000 шт

69.00	/шт от 4 шт
65.20	/шт от 100 шт

Код: 2016542709

VBSEMI

SI2308BDS-T1-GE3-VB, Транзистор N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236] аналог для SI2308BDS-T1-GE3

325 шт

15.00	/шт от 25 шт
13.80	/шт от 500 шт

Код: 2016542704

VBSEMI

SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236] аналог для SI2319CDS-

4700 шт

7.00	/шт от 70 шт
5.72	/шт от 1000 шт

Код: 2016543619

VBSEMI

STS10P4LLF6-VB, транзистор P канал 40V 16.1A 10m-@10V,16.1A (SO-8) аналог для STS10P4LLF6

368 шт

46.00	/шт от 10 шт
34.30	/шт от 150 шт

Код: 2015734272

VBSEMI

VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт SOT23-3

20 шт

21.00	/шт от 13 шт
18.50	/шт от 100 шт

Код: 2015734267

VBSEMI

VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)

2810 шт

20.00	/шт от 25 шт
16.00	/шт от 150 шт

Код: 2015734270

VBSEMI

VBA2216, 1 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G

20 шт

24.00	/шт от 9 шт
21.40	/шт от 100 шт

Код: 2015734271

VBSEMI

VBA2311, P-Channel 30-V (D-S) MOSFET аналог NTMS10P02R2G

20 шт

27.00	/шт от 9 шт
24.60	/шт от 100 шт

Код: 2015734268

VBSEMI

VBA3638, 1 Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET аналог SI4946BEY-T1,AO4826,NCE6005AS

1771 шт

45.00	/шт от 10 шт
33.20	/шт от 100 шт

Код: 2016543608

VBSEMI

VBA4338, транзистор P канал -30V -6.3A (SO-8) аналог для IRF7306TRPBF

846 шт

36.00	/шт от 14 шт
22.90	/шт от 200 шт

Код: 2015782599

VBSEMI

VBA5638, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8 , аналог для IRF7343TRPBF

3345 шт

39.00	/шт от 10 шт
33.70	/шт от 200 шт

Код: 2015711154

VBSEMI

VBL165R04, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF720SPBF

15 шт

52.00	/шт от 6 шт
42.30	/шт от 100 шт

Код: 2015711156

VBSEMI

VBL165R18, N-Channel 650 V (D-S) MOSFET аналог IRF740ASPBF

124 шт

230.00	/шт от 2 шт
177.00	/шт от 10 шт

-100
-20
-200
-30
-40
-400
-55
-60
10
100
1000
1050
110
12
120
1200
15
150
1500
16
170
1700
18
20
20/-20
200
24
240
25
250
30
30/-30
300
305
33
35
40
400
45
450
5.6
50
500
525
55
55/-55
550
560
60
600
620
650
70
700
75
750
8
80
800
85
900
950

-0.4
-0.56
-1
-1.1
-1.6
-1.8
-11
-11.4
-12
-13
-15
-18
-19
-2.5
-23
-3
-3.1
-3.4
-3.6
-31
-4
-4.6
-6.2
-6.5
-6.6
-6.8
-74
0,34
0.0016
0.0036
0.0047
0.015
0.02
0.024
0.03
0.043
0.05
0.08
0.115
0.13
0.17
0.2
0.22
0.23
0.25
0.26
0.3
0.34
0.35
0.37
0.4
0.49
0.5
0.56
0.6
0.62
0.63
0.66
0.68
0.7/0.4
0.76
0.78
0.79
0.8
0.85
0.9
0.915
0.96
06.07.06
08.июл
1
1.05
1.1
1.17
1.2
1.3
1.4
1.49
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
10
10.2
10.5
100
104
105
106
11
11.5
11.6
110
115
116
118
12
12.5
120
125
13
13.6
13.9
130
135
14
140
15
15/-12
150
16
16,8
16.1
16.5
160
162
169
17
17,6
17.6
175
18
18.5
18.9
180
183
186
19
190
195
197
2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.4/-1.7
2.45
2.5
2.6
2.7
2.7/-2
2.8
20
20,4
20.7
200
202
209
21
210
22
22.72
23
230
24
240
25
26
260
27
28
29
290
3
3.1
3.16
3.2
3.3
3.4
3.5
3.5/-2.3
3.6
3.7
3.78
3.8
30
30.6
300
31
31.5
31.6
32
320
33
34
34.6
35
353
36
37.9
38
39
4
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.5/3.2
4.6
4.7
4.7/-3.4
4.8
4.9
4/-3
40
400
41
42
42.5
429
43
44
45
46
47
48
49
5
5.1
5.2
5.2/-4.3
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
50
51
52
53
55
56
57
59
6
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
6.5/-4.9
6.6
6.6/-5.3
6.7
6.8
6.8/-4.6
6.8/6.6
6.9
60
600
62
63
64
65
69
7
7.3
7.3/-5.3
7.5
7.6
7.7
7.8
7.9
7/-6.1
70
72
74
75
76
77
78
79
8
8.1
8.2
8.3
8.5
8.7
8.8
80
81
82
83
84
85
86
88
89
9
9.2
9.3
9.4
9.5
9.7
9.8
9.9
90
92
93
94
95
96
97

0.028
0.13
0.16
0.18
0.3
0.4
0.6
0.75
01.авг
03.июл
1
1,7
1,9
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.75
1.8
1.85
1.95
10
10.2
10.5
100
100/250
1000
105
11
11.2
11.7
11.9
110
110/200
1100
11000
112
115
116
117
12
1200
125
1260
13
13.4
13.5
13.8
13.9
130
1300
135
135/270
14
14.4
140
1400
15
15.5
15.8
150
1500
15000
154
158
16
16.5
160
1600
162
165
168
17.5
17.9
17.авг
170
1700
175
1750
18
18.2
180
1800
185
19
19.4
190
2
2,2
2,3
2,9
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
20
200
2000
205
21
21.6
210
2100
22
220
2200
23
230
235
24
240
25
250
2500
26
26.5
260
27
27/64
270
279
28
28.5
28/52
280
29
29/58
290
295
299
3
3,4
3,7
3.05
3.1
3.3
3.5
3.6
3.7
30
300
3000
31
32
33
340
35
350
3500
36
360
3600
3700
38
380
3800
39
4
4,2
4.1
4.2
4.25
4.3
4.5
4.6
4.8
40
400
41
42
43
44
4400
45
4500
46
470
480
4800
5
5.3
5.5
5.6
5.7
50
50/100
50/105
50/90
500
5000
52
520
54
540
55
550
555
56
560
57.5
58
6
6.5
6.8
60
600
6000
63
64
640
65
650
6500
680
69
7
7,5
7.2
7.5
7.8
70
7000
72.5
745
75
750
7500
77
78
79
8
8,2
8.2
8.4
8.5
8.7
80
800
8000
82
850
8500
9
9.4
9.5
9.7
90
900
92
930
95
950
98
99

TO-220
CHIPFET8
D2PAK-7
D2Pak
D2Pak(TO-263)
D2Pak-2
D2Pak7
DFN2020-6L
DFN3.3x3.3
DFN5x6
DIP-8
DPAK
DPAK (TO-252AA)
DPAK(TO-252AA)
DPAK-3
DSBGA-4
Dpak-2
HVMDIP
HexDIP-4
I2PAK
IPAK(TO-251AA)
IPak
ISOTOPВR
KT-112
KT-114
KT-162
KT-17
KT-26
KT-27
KT-282
KT-29
KT-42
KT-431
KT-52
KT-9
MAX247
Micro3/SOT23
Micro6/TSOP6
Micro8
PDFN 5x6
PDFN3030-8L
PDFN3333
PDFN3x3-8l
PDFN5060
PDFN5060-8L
PDFN5x6
PQFN2x2
PQFN3.3x3.3
PQFN3x3
PQFN5x6
PRPAK3x3
PowerFLAT-5x6-VHV-8
PowerPAIR
PowerPAK 1212
SC-70
SC-89-3
SO-24
SO-8
SO28
SO8
SOIC-8
SON-8
SON8-3x3
SON8-5x6
SOP-4
SOP-8
SOT-143
SOT-223-2L
SOT-223-3
SOT-227
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-6
SOT-323
SOT-363
SOT-523
SOT-723
SOT-89-3
SOT223
SOT223-3
SOT227
SOT23
SOT23-3
SSOT-3
Super-247
Super247
TDSON-8
TDSON-8FL
TO
TO-18
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
TO-220F
TO-220FP
TO-220FP-3
TO-220FT
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-4L
TO-247AB-3
TO-247AC
TO-247AD
TO-251
TO-252
TO-252-3
TO-252-4L
TO-252-5
TO-252-B
TO-262-3
TO-263
TO-263-3
TO-263-7
TO-264AA
TO-270-2
TO-273AA
TO-3P
TO-3PF
TO-92
TO220AB
TO220FP
TO220FP-3
TO220FP-5
TO247
TO247-3
TO247-4
TO247AC
TO252-3
TO39
TO92-3
TOLL
TSDSON-8
TSOP-6
TSOP6
TSOP6/Micro6
VSON-8
КТ-27 (TO-126)
ТО-220AB
ТО-247AC

Производитель
A&O AEROSEMI ALLPOWER ALPHA & OMEGA ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT AMPLEON ANBON ANPEC AOS APEC/ADVANCED P ASDSEMI AST TECHNOLOGY ATELECT BLUE ROCKET BROADCOM CET CHIPSTUDIO CJ CMOS CREE CRMICRO CTK DC COMPONENTS DIODES INC. DYNEX ECE ELECSUPE ELECSUPER EVVO FAIRCHILD (ON S FORTUNE FUJI FULIHAO TECH FUXIN GALAXY GAN SYSTEMS GOFORD GWS HITACHI HOTTECH HUASHUO HUAYI HXY INCHANGE INFINEON INFINEON TECHNOLOGIES INTERNATIONAL REC INTERSIL IR/VISHAY IXYS JCET JIEJIE JSCJ JSMICRO JSMSEMI KEENSIDE KLS KUU LEIDITEH LITTLEFUSE LRC MAP MCC MDD MICROCHIP MINOS MITSUBISHI MORNSUN MOTOROLA MSKSEMI NCE NEC NEX-NXP NIKO-SEM OLITECH ONS PJ REASUNOS RENESAS ROHM RUME SAMHOP SEMIHOW SHIKUES SHIN SIEMENS SILICON LABS SILIUP SINOPOWER SLKOR STM SUNCO TECH PUB TECH PUBLIC TEXAS INSTRUMENTS TI TOKMAS TOPDIODE MANUFACTURING CO TOSHIBA TRANSPH TRR TSC UMW UTC V&H VBSEMI VISHAY WAYON WILLSEMI WOLFSPEED WXDH YJ YOUTAI ВЗПП ВЗПП-С ДАЛЕКС ИНТЕГРАЛ КИТАЙ КРЕМНИЙ ОКТЯБРЬ ООО НПП САМОЗД ПУЛЬСАР РЕФЛЕКТОР РОССИЯ СВЕТЛАНА СИЛОВОЙ КЛЮЧ ТРАНЗИСТОР ФОТОН
Структура
2N-канал 2P-канал N&P-канал N-FET N-канал P-FET P-кан+Диод P-канал Инт. ключ
U_{с-и максимальное},В

I_{с-и максимальный ток},А

U_{з-и максимальное},В
-5 -4.5 -4 -3 -2.5 -2.4 -2.04 -1.5 -1.2 -1.1 -1 -0.95 -0.9 -0.7 -0.6 0.7 1 1.1 1.2 1.5 1.6 1.8 1.9 2 2.2 2.25 2.3 2.35 2.4 2.45 2.5 2.55 2.6 2.7 3 3.5 3.7 3.8 3.9 4 4.5 4.9 5 5.4 5.5 6 6.5 7 8 10 20 30
U_{з-и максимальное},В

P_{с-и максимальная мощность},Вт
0.007 0.012 0.021 0.038 0.045 0.066 0.12 0.15 0.2 0.225 0.25 0.3 0.36 0.42 0.5 0.54 0.7 0.83 1 1.15 1.25 1.3 1.35 1.4 1.5 1.6 1.7 2 2.1 2.5 2.6 2.8 3 3.1 3.3 3.5 4 5 9.6 11.5 15 17 18 20 24 25 30 35 36 37 38 39 40 41 42 43 45 46 48 50 54 60 63 65 66 68 69 70 71 74 75 78 79 80 82 83 85 86 88 89 90 91 92 94 95 99 100 107 110 115 125 130 140 143 144 150 156 160 167 170 180 188 190 192 200 208 210 214 220 223 230 231 250 260 277 278 280 290 294 300 310 312 320 330 340 341 350 357 360 366 370 375 380 390 400 415 417 431 441 446 450 460 470 500 517 520 540 580 600 625
Крутизна S, А/В
0.08 0.1 0.27 0.32 0.35 0.44 0.45 0.5 0.55 0.56 0.57 0.6 0.7 0.71 0.75 0.8 0.82 0.87 0.9 0.91 0.96 0.97 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.9 2 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 3.6 3.7 3.8 3.9 4 4.1 4.2 4.3 4.5 4.9 5 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6 6.1 6.2 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 7 7.3 7.6 7.7 7.9 8 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6 8.7 8.9 9 9.1 9.3 9.4 9.5 10 11 12 12.02 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35 36 37 38 39 41 42 44 45 46 47 48 49 50 51 52 55 57 59 62 63 67 69 71 73 74 75 76 77 80 82 83 89 91 93 95 97 100 106 110 120 122 130 140 150 155 160 167 170 176 180 182 190 196 200 210 211 223 230 242 249 250 269 280 286 290 320 340 385 420 498 556 650 800 1000 1170 1400 1500 1550 5500
Особенности

Корпус

транзисторы полевые VBSEMI181

транзисторы полевые VBSEMI₁₈₁