транзисторы полевые

Код: 2013048836

2N7002, Транзистор N-канал 60В, 340мА, 350мВт SOT-23

1400 шт

2.00	/шт от 200 шт
0.93	/шт от 2500 шт

Код: 2013048843

BSS138, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 50В, 340мА, 350мВт [SOT-23] = BSS138LT1G

77500 шт (в резерве 1000)

0.94	/шт от 100 шт
0.92	/шт от 400 шт

Код: 2015811277

BSS138KJ, Транзистор N-канал, 60В, 0.6А, 0.8Вт SOT-23

500 шт

2.02	/шт от 100 шт
1.97	/шт от 400 шт

Код: 2014859860

BSS84, транзистор P-канал 60В 017А 0.35Вт SOT-23

640 шт

0.79	/шт от 100 шт
0.79	/шт от 400 шт

Код: 2015697962

SCQ40G10A, транзистор 100B 40A 43Вт (=YJQ40G10A)

3 шт

14.00	/шт от 3 шт
11.70	/шт от 100 шт

Код: 2017237915

YJ431ALN3Y, SC431LN3Y ИОН прецизионный, регулируемый, SOT-23, 1%

2900 шт

3.00	/шт от 1 шт
2.31	/шт от 100 шт

Код: 2013048847

YJD20N06A, одиночный N-канальный MOSFET транзистор, 60В, 20А, 28Вт [TO-252] = IRLR024N

2195 шт

12.00	/шт от 20 шт
10.20	/шт от 100 шт

Код: 2015808911

YJD212080NCTG1, N-канальный усиленный силовой MOSFET транзистор из карбида кремния, 1200B, 38A, 220В

233 шт

700.00	/шт от 1 шт
645.00	/шт от 4 шт

Код: 2015810027

YJD25GP06A, P-канальный MOSFET транзистор, -60В, -25А, 72Вт [TO-252] = IRLR9343PBF

6024 шт

25.00	/шт от 10 шт
21.40	/шт от 50 шт

Код: 2015730887

YJG110G10B, транзистор 100B 110A 113Вт PDFN5060-8L

4592 шт

47.00	/шт от 3 шт
38.90	/шт от 93 шт

Код: 2015727505

YJG175G06AR, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60В, 175А, 140Вт [PDFN5060-8L] = BSC

19 шт

57.00	/шт от 3 шт
49.40	/шт от 50 шт

Код: 2015868403

YJG55G10A, одиночный N-канальный полевой транзистор в режиме усиления, 100В, 55А, 89Вт (PDFN5060-8L)

3837 шт

29.00	/шт от 6 шт
25.40	/шт от 139 шт

Код: 2012172015

YJL2301C, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -20В, -3.4А [SOT-23]

1640 шт

1.92	/шт от 100 шт
1.80	/шт от 400 шт

Код: 2014859872

YJL2303A, P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -30В, -3А, [SOT-23] = IRLML5203TRPBF

10 шт

3.00	/шт от 10 шт
1.93	/шт от 100 шт

Код: 2012172009

YJL2304A, [SOT-23] MOSFET транзистор N-канальный 30В 3.6А

77280 шт

1.00	/шт от 1000 шт
0.86	/шт от 4000 шт

Код: 2016846402

YJL2304B, транзистор 30В 4А 36мОм SOT23

89930 шт

2.00	/шт от 250 шт
1.11	/шт от 1000 шт

Код: 2012172013

YJL2305A, P-канальный транзистор, -15В, -5.6А SOT-23 (SCL2305A)

230 шт

1.63	/шт от 100 шт
1.59	/шт от 400 шт

Код: 2015810028

YJL2312AL, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 20В, 7.6А, 1.5Вт [SOT-23-3L] = IRLML25

1195 шт

4.00	/шт от 40 шт
2.90	/шт от 100 шт

Код: 2012172008

YJL3400A, N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 30В, 5.6А [SOT-23] = IRLML6346

15 шт

2.18	/шт от 100 шт
2.13	/шт от 400 шт

Код: 2016863524

YJQ20NP03A, Транзистор P-канальный; -30 В; -20 А; DFN3333

9000 шт

9.00	/шт от 15 шт
8.31	/шт от 100 шт

Код: 2016958020

YJS10N04A, Транзистор N канал 40В 10А 3Вт SOP-8

3475 шт

6.00	/шт от 25 шт
5.11	/шт от 100 шт

Код: 2015730863

YJS12G10A, транзистор 100B 12A 3.1Вт SOP-8 (=IRF7853TRPBF)

588 шт

3.00	/шт от 15 шт
2.44	/шт от 100 шт

Код: 2015678034

YJS4409A, одиночный P-канальный усиленный FET транзистор, -30В, -18А, 3.4Вт (SOP-8)

18 шт

22.00	/шт от 6 шт
19.00	/шт от 50 шт

Код: 2015770861

2N7002, Транзистор N-MOSFET 60В 340мА 0.35Вт [SOT-23-3]

10000 шт 6 мая

9.00	/шт от 50 шт
7.88	/шт от 100 шт

Код: 2016391631

2N7002, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.115A(постоянный), 0.8A(импульсный) 0.2Вт

36304 шт 4 мая

2.56	/шт от 157 шт
2.06	/шт от 702 шт

Код: 2015762191

2N7002, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT23

524002 шт 30 апреля

2.00	/шт от 1 шт
1.36	/шт от 3000 шт

Код: 2017101039

2N7002C, Транзистор N-MOSFET 60В 0.3А 0.35Вт [SOT-23-3.]

5000 шт 6 мая

9.00	/шт от 50 шт
7.88	/шт от 100 шт

Код: 2016859364

2N7002C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.3А

12179 шт 4 мая

2.67	/шт от 150 шт
2.15	/шт от 676 шт

Код: 2016020468

2N7002C, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT23

210854 шт 30 апреля

1.00	/шт от 1 шт
0.84	/шт от 3000 шт

Код: 2016020406

2N7002DW, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT363

280 шт 30 апреля

3.00	/шт от 1 шт
2.19	/шт от 3000 шт

Код: 2015847643

2N7002KC, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT23

21396 шт 30 апреля

2.00	/шт от 1 шт
1.27	/шт от 3000 шт

Код: 2016106160

2N7002KCDW, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT363

48731 шт 30 апреля

2.00	/шт от 1 шт
1.24	/шт от 3000 шт

Код: 2016119920

2N7002KCW, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT323

26625 шт 30 апреля

2.00	/шт от 1 шт
1.82	/шт от 3000 шт

Код: 2007321777

BSS123, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0,17A 0,36Вт

4883 шт 4 мая

2.39	/шт от 169 шт
1.91	/шт от 746 шт

Код: 2015437096

BSS123, Транзисторы и сборки MOSFET, корпус SOT23

130635 шт 30 апреля

2.00	/шт от 1 шт
1.47	/шт от 3000 шт

Код: 2016979648

BSS138, Транзистор N-MOSFET 50В 0.22А 0.35Вт [SOT-23-3.]

10000 шт 6 мая

9.00	/шт от 50 шт
7.88	/шт от 100 шт

-100
-12
-20
-200
-30
-40
-400
-55
-60
0.68
10
100
1000
1050
110
12
120
1200
15
150
1500
16
1700
18
20
20/-20
200
24
240
25
25/-25
250
30
30/-30
300
305
33
35
40
400
45
450
5.6
50
500
525
55
55/-55
550
560
60
600
620
650
68
70
700
75
750
8
8.8
80
800
85
900
950

5.2А/4.3
-0.4
-0.56
-0.62
-0.76
-1
-1.1
-1.6
-1.8
-10
-10.5
-11
-11.4
-12
-13
-14
-15
-16
-18
-19
-2.3
-2.4
-2.5
-2.6
-23
-3
-3.1
-3.4
-3.6
-3.78
-31
-38
-4
-4.3
-4.6
-40
-45
-5.3
-5.4
-5.6
-5.8
-6.1
-6.2
-6.5
-6.6
-6.8
-6.9
-74
-8
-8.8
-9.2
0,34
0.0016
0.0036
0.0047
0.015
0.02
0.024
0.03
0.043
0.05
0.08
0.1
0.115
0.13
0.17
0.2
0.22
0.23
0.25
0.26
0.3
0.34
0.35
0.37
0.4
0.49
0.5
0.51
0.56
0.6
0.62
0.63
0.66
0.68
0.7/0.4
0.75
0.76
0.78
0.79
0.8
0.85
0.9
0.915
0.96
06.07.06
08.июл
09.01.11
1
1.05
1.1
1.15
1.17
1.2
1.22
1.25
1.3
1.4
1.49
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
10
10.2
10.5
10.8
100
104
105
106
11
11.5
11.6
110
115
116
118
12
12.5
12.8
120
125
13
13.5
13.6
13.9
130
135
14
140
15
15/-12
150
16
16,8
16.1
16.5
160
162
169
17
17,6
17.6
171
175
18
18.5
18.9
180
183
186
19
190
195
197
2
2.1
2.2
2.3
2.4
2.4/-1.7
2.45
2.5
2.6
2.7
2.7/-2
2.8
20
20,4
20.7
200
202
209
21
210
22
22.72
23
230
24
240
25
250
26
260
27
28
29
290
3
3.1
3.16
3.2
3.3
3.4
3.5
3.5/-2.3
3.6
3.7
3.77
3.78
3.8
3.9
30
30.6
300
31
31.5
31.6
32
320
33
34
34.6
35
353
36
38
38.8
39
4
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.5/3.2
4.6
4.7
4.7/-3.4
4.8
4.9
4/-3
40
400
41
42
42.5
429
43
44
45
46
47
48
49
5
5.1
5.2
5.2/-4.3
5.3
5.3/4.9
5.4
5.5
5.5/-3.2
5.6
5.7
5.8
5.9
50
51
52
53
55
56
57
59
6
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
6.5/-4.9
6.6
6.6/-5.3
6.7
6.8
6.8/-4.6
6.8/6.6
6.9
60
600
62
63
64
65
69
7
7.1
7.3
7.3/-5.3
7.3/5.3
7.5
7.6
7.7
7.8
7.9
7/-6.1
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
8
8.1
8.2
8.3
8.5
8.7
8.8
8.9
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
9
9.2
9.3
9.4
9.5
9.7
9.8
9.9
90
92
93
94
95
96
97
дек.16

0.028
0.13
0.16
0.18
0.3
0.4
0.6
0.75
01.авг
03.июл
1
1,7
1,9
1.2
1.25
1.28
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.75
1.8
1.85
1.95
10
10.2
10.5
100
100/250
1000
105
11
11.2
11.7
11.9
110
110/200
1100
11000
112
115
116
117
12
12.4
1200
125
1260
1280
13
13.4
13.5
13.8
13.9
130
1300
135
135/270
14
14.4
14.5
140
1400
15
15.5
15.8
150
1500
15000
154
158
16
16.3
16.4/11.8
16.5
160
1600
16000
162
165
168
17.5
17.8
17.9
17.авг
170
1700
175
1750
18
18.2
180
1800
185
19
19.4
190
2
2,2
2,3
2,9
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
20
200
2000
205
21
21.6
210
2100
22
220
2200
23
230
235
24
240
2400
25
250
2500
26
26.5
260
265
27
27/64
270
279
28
28.5
28/52
280
29
29/58
290
295
299
3
3,4
3,7
3.05
3.1
3.2
3.3
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
30
300
3000
31
32
33
340
35
350
3500
36
360
3600
3700
38
380
3800
39
4
4,2
4.1
4.2
4.25
4.3
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
40
400
41
42
43
44
4400
45
4500
46
470
480
5
5.3
5.5
5.6
5.7
5.8
5.9
50
50/100
50/105
50/90
500
5000
52
520
530
54
540
55
550
555
56
560
57.5
58
59
6
6.5
6.8
60
600
6000
63
64
640
65
650
6500
680
69
7
7,5
7.1
7.2
7.3
7.5
7.8
70
7000
72.5
745
75
750
7500
77
78
79
8
8,2
8.2
8.4
8.5
8.7
80
800
8000
82
850
8500
880
9
9.1
9.4
9.5
9.7
90
900
930
95
950
98

TO-220
CHIPFET8
D2PAK
D2PAK-7
D2Pak
D2Pak(TO-263)
D2Pak-2
D2Pak7
DFN2020-6L
DFN3.3x3.3
DFN5x6
DIP-8
DPAK
DPAK (TO-252AA)
DPAK(TO-252AA)
DPAK-3
DSBGA-4
DirectFET MX
DirectFET MZ
Dpak-2
HVMDIP
HexDIP-4
I2PAK
IPAK(TO-251AA)
IPak
ISOTOPВR
KT-112
KT-114
KT-162
KT-17
KT-26
KT-27
KT-282
KT-29
KT-42
KT-431
KT-52
KT-9
LFPAK/SOT-669
MAX247
Micro3/SOT23
Micro6/TSOP6
Micro8
PDFN 5x6
PDFN3030-8L
PDFN3333
PDFN3x3-8l
PDFN5060
PDFN5060-8L
PDFN5x6
PQFN2x2
PQFN3.3x3.3
PQFN3x3
PQFN5x6
PRPAK3x3
PowerFLAT-5x6-VHV-8
PowerPAIR
PowerPAK 1212
SC-65
SC-67
SC-70
SC-89-3
SO-24
SO-8
SO28
SO8
SOIC-8
SON-8
SON8-3x3
SON8-5x6
SOP-4
SOP-8
SOT-143
SOT-223-2L
SOT-223-3
SOT-227
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-6
SOT-323
SOT-363
SOT-416
SOT-523
SOT-723
SOT-89-3
SOT223
SOT223-3
SOT227
SOT23
SOT23-3
SSOT-3
Super-247
Super247
TDSON-8
TDSON-8FL
TO
TO-18
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
TO-220F
TO-220FP
TO-220FP-3
TO-220FT
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-4L
TO-247AC
TO-247AD
TO-251
TO-251-3
TO-252
TO-252-3
TO-252-4L
TO-252-5
TO-252-B
TO-262-3
TO-263
TO-263-3
TO-263-7
TO-264AA
TO-270-2
TO-273AA
TO-3P
TO-3PF
TO-92
TO220
TO220AB
TO220FP
TO220FP-3
TO220FP-5
TO247
TO247-3
TO247-4
TO247AC
TO252-3
TO39
TO92-3
TOLL
TSDSON-8
TSOP-6
TSOP6
TSOP6/Micro6
VSON-8
КТ-114
КТ-27 (TO-126)
ТО-220AB
ТО-247AC

Производитель
----- A&O AEROSEMI ALLPOWER ALPHA & OMEGA ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT AMPLEON ANBON AOS APEC/ADVANCED P ASDSEMI AST TECHNOLOGY ATELECT BELLING BLUE ROCKET BROADCOM CET CHIPSTUDIO CJ CMOS CREE CRMICRO CTK DC COMPONENTS DIODES INC. DYNEX ECE ELECSUPER EVVO FAIRCHILD (ON S FORTUNE FUJI ELECTRIC FULIHAO TECH FUXIN FUXINSEMI GALAXY GAN SYSTEMS GOFORD GWS HITACHI HOTTECH HUASHUO HUAYI HXY HXY MOSFET INCHANGE INFINEON INFINEON TECHNOLOGIES INTERSIL IR/VISHAY IXYS JCET JIEJIE JSCJ JSMICRO JSMSEMI KEENSIDE KEXIN KLS KUU LEIDITEH LITTLEFUSE LRC MAP MASPOWER MCC MDD MICROCHIP MINOS MITSUBISHI MLSM MORNSUN MOTOROLA MSKSEMI NCE NEC NEX-NXP NIKO-SEM OLITECH ONS PJ POWER INTEGRATIONS REASUNOS RENESAS ROHM RUME SAMHOP SANYO SEMIHOW SHIKUES SHIN SIEMENS SILAN SILICON LABS SILIUP SINOPOWER SLKOR STM SUNCO TECH PUB TECH PUBLIC TI TOKMAS TOPDIODE MANUFACTURING CO TOREX TOSHIBA TRANSPH TRR TSC UMW UMW YOUTAI SEMICONDUCTOR UTC V&H VBSEMI VISHAY WAYON WILLSEMI WINSOK WOLFSPEED WXDH YJ YONGYUTAI YOUTAI ZTAI ВЗПП ВЗПП-С ДАЛЕКС ИНТЕГРАЛ КИТАЙ КРЕМНИЙ ОКТЯБРЬ ООО НПП САМОЗД ПУЛЬСАР РЕФЛЕКТОР РОССИЯ СВЕТЛАНА СИЛОВОЙ КЛЮЧ ТРАНЗИСТОР ФОТОН
Структура
2N-канал 2P-канал N&P-канал N-FET N-канал P-FET P-кан+Диод P-канал Инт. ключ
U_{с-и максимальное},В

I_{с-и максимальный ток},А

U_{з-и максимальное},В
-5 -4.5 -4 -3 -2.5 -2.4 -2.04 -1.5 -1.2 -1.1 -1 -0.95 -0.9 -0.7 -0.6 0.7 1 1.1 1.2 1.5 1.6 1.8 1.9 2 2.2 2.25 2.3 2.35 2.4 2.45 2.5 2.55 2.6 2.7 3 3.5 3.7 3.8 3.9 4 4.5 4.9 5 5.4 5.5 6 7 8 10 20 30
U_{з-и максимальное},В

P_{с-и максимальная мощность},Вт
0.007 0.012 0.021 0.038 0.045 0.066 0.12 0.15 0.2 0.225 0.25 0.3 0.36 0.42 0.5 0.54 0.7 0.83 1 1.15 1.25 1.3 1.35 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 2 2.1 2.5 2.6 2.8 3 3.1 3.3 3.5 4 5 9.6 11.5 15 17 18 20 24 25 30 35 36 37 38 38.5 39 40 41 42 43 45 46 48 50 54 56 57 59 60 63 65 66 68 69 70 71 74 75 78 79 80 82 83 85 86 88 89 90 91 92 94 95 96 98 99 100 107 110 115 120 125 130 140 143 144 150 156 160 167 170 180 188 190 192 200 208 214 220 223 230 250 260 277 280 290 294 300 310 312 320 330 340 341 350 357 360 366 370 375 380 390 400 415 417 431 441 446 450 460 470 500 517 520 540 580 600 625
Крутизна S, А/В
0.08 0.1 0.27 0.32 0.35 0.44 0.45 0.5 0.55 0.56 0.57 0.6 0.7 0.71 0.75 0.8 0.82 0.87 0.9 0.91 0.96 0.97 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.9 2 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 3.6 3.7 3.8 3.9 4 4.1 4.2 4.3 4.5 4.9 5 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6 6.1 6.2 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 7 7.3 7.5 7.6 7.7 7.9 8 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6 8.7 8.9 9 9.1 9.3 9.4 9.5 10 11 12 12.02 13 13.5 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35 36 37 38 39 41 42 44 45 46 47 48 49 50 51 52 55 57 58 59 62 63 66 67 68 69 70 71 73 74 75 76 77 80 81 82 83 88 89 90 91 93 95 97 100 106 110 115 117 120 130 140 150 155 160 162 167 170 176 180 182 190 196 200 205 210 211 218 230 242 249 250 269 280 286 290 310 320 340 385 420 498 556 650 800 1000 1170 1400 1500 1550 5500
Особенности

Корпус

транзисторы полевые YJ335

транзисторы полевые YJ₃₃₅