Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015849376

Infineon

FF1200R17KP4_B2, IGBT модуль 1200А 1700В=CM1200DC-34N,2MBI1200VT-170E

137 шт

97700.00	/шт от 1 шт
88800.00	/шт от 10 шт

Код: 2011403144

Infineon

BSM75GB120DN2, Биполярный транзистор IGBT, 625Вт

8 шт 7 мая

8265.85	/шт от 1 шт
7879.42	/шт от 2 шт

Код: 2010050394

Infineon

BSM75GB120DN2, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А. [EOL]

7 шт 12 мая

13200.00	/шт от 1 шт
13100.00	/шт от 2 шт

Код: 2015554941

Infineon

FD250R65KE3KNOSA1, Модуль силовой IGBT 6500В 250А

1 шт 7 мая

38094.14	/шт от 1 шт
37844.75	/шт от 2 шт

Код: 2010017731

Infineon

FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

9 шт 7 мая

6009.86	/шт от 1 шт
5735.17	/шт от 2 шт

Код: 2014953373

Infineon

FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

40 шт 12 мая

9900.00	/шт от 1 шт
9800.00	/шт от 2 шт

Код: 2001377910

Infineon

FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

203 шт 7 мая

6429.62	/шт от 1 шт
6184.08	/шт от 2 шт

Код: 2011040801

Infineon

FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт

2 шт 7 мая

18151.93	/шт от 1 шт
17359.64	/шт от 2 шт

Код: 2000394300

Infineon

FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт

8 шт 7 мая

5870.35	/шт от 1 шт
5603.04	/шт от 2 шт

Код: 2014953449

Infineon

FF300R12KE3HOSA1, IGBT модуль 300А 1200В, полумост [AG-62MMHB.]

20 шт 12 мая

26200.00	/шт от 1 шт
25900.00	/шт от 2 шт

Код: 2010991125

Infineon

FF300R12KS4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.2 кВ, 370 А

19 шт 7 мая

13986.21	/шт от 1 шт
13394.88	/шт от 2 шт

Код: 2015583145

Infineon

FF300R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT 1200В 300А

14 шт 7 мая

6029.38	/шт от 1 шт
5754.90	/шт от 2 шт

Код: 2011485749

Infineon

FF400R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 400 А

55 шт 7 мая

10690.66	/шт от 1 шт
10353.81	/шт от 2 шт

Код: 2010989450

Infineon

FF450R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 450А

40 шт 7 мая

9084.68	/шт от 1 шт
8685.04	/шт от 2 шт

Код: 2015883551

Infineon

FF450R12ME3BOSA1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 600А 2100Вт 11-Pin ECONOD-3 лоток

1 шт 7 мая

10091.47	/шт от 1 шт
10011.42	/шт от 2 шт

Код: 2016972749

Infineon

FF500R17KE4, IGBT модуль 1700В, 500А, корпус 62 мм

20 шт 7 мая

15755.25	/шт от 1 шт
15550.12	/шт от 2 шт

Код: 2015460868

Infineon

FF600R12ME4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 600А

9 шт 7 мая

15898.86	/шт от 1 шт
15200.63	/шт от 2 шт

Код: 2002854001

Infineon

FP25R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 25A, 175Вт

11 шт 7 мая

3479.73	/шт от 1 шт
3302.41	/шт от 2 шт

Код: 2014949975

Infineon

FP25R12W2T4BOMA1, Модуль IGBT 1200V 39A 175Вт

10 шт 12 мая

5700.00	/шт от 1 шт
5610.00	/шт от 2 шт

Код: 2015547998

Infineon

FP35R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A

163 шт 7 мая

2863.99	/шт от 1 шт
2740.79	/шт от 4 шт

Код: 2015060237

Infineon

FP40R12KT3, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 55А 210Вт 24-Pin ECONO2-5 лоток

75 шт 7 мая

5208.83	/шт от 1 шт
4966.87	/шт от 2 шт

Код: 2010989396

Infineon

FP75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 A, 355Вт

8 шт 7 мая

22106.99	/шт от 1 шт
21912.17	/шт от 2 шт

Код: 2014953372

Infineon

FP75R12KE3BOSA1, Модуль IGBT 1200V 105A 355Вт.

10 шт 12 мая

32200.00	/шт от 1 шт
31900.00	/шт от 2 шт

Код: 2013048488

Infineon

FS75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт

5 шт 7 мая

15895.64	/шт от 1 шт
15751.34	/шт от 2 шт

Код: 2015927063

Infineon

FS820R08A6P2LBBPSA1, IGBT модуль 750B 820А 33-Pin HYBRIDD-1

3 шт 7 мая

57818.78	/шт от 1 шт
57347.43	/шт от 2 шт

Код: 2014983191

Infineon

IFCM15P60GDXKMA1, Модули IGBT, корпус PGMDIP24

11 шт 6 мая

830.00	/шт от 1 шт
814.00	/шт от 14 шт

Код: 2011403850

Infineon

IGCM04G60HAXKMA1, Умный модуль питания (IPM), 3 фазы, IGBT, 600 В, 4 А, PowerDIP, CIPOS.

80 шт 12 мая

2300.00	/шт от 1 шт
2190.00	/шт от 2 шт

Код: 2015849809

Infineon

BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 1200В 50A

под заказ

5260.00	/шт от 3 шт
5117.47	/шт от 12 шт

Код: 2016020257

Infineon

DF300R12KE3

под заказ

9030.00	/шт от 2 шт
8540.31	/шт от 8 шт

Код: 2016020258

Infineon

DF400R12KE3

под заказ

12200.00	/шт от 2 шт
11514.23	/шт от 8 шт

Код: 2017291451

Infineon

FD1200R17KE3-K, Модуль IGBT 1200А 1700В

под заказ

84300.00	/шт от 8 шт
72000.00	/шт от 10 шт

Код: 2015809442

Infineon

FF1200R17KE3, модуль IGBT 1700В 1200A = CM1200DC-34N,2MBI1200VT-170E

под заказ

69000.00	/шт от 2 шт
67886.02	/шт от 8 шт

Код: 2015505374

Infineon

FF1400R12IP4

под заказ

88700.00	/шт от 2 шт
85442.04	/шт от 8 шт

Код: 17883301

Infineon

FF1400R17IP4, IGBT модуль 1400А 1700В 2010г

под заказ

177000.00	/шт от 1 шт
177000.00	/шт от 2 шт

Код: 2016852722

Infineon

FF1500R17IP5, IGBT модуль 1500А 1700В

под заказ

214000.00	/шт от 4 шт
195000.00	/шт от 5 шт

Код: 2015940335

Infineon

FF1800R17IP5, IGBT Module N-CH 1700V 1800A 14-Pin

под заказ

105000.00	/шт от 3 шт
104543.89	/шт от 12 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CRRC FUJI FUJITSU GREEGOO HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 39 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 440 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули Infineon49

Силовые IGBTи SiC модули Infineon₄₉