Силовые IGBTи SiC модули Infineon, стр.2 ₄₂

Показать списком

Сравнить

Сначала дешевые

Товары со скидкой

Код: 2015944117

Infineon

FS75R17KE3, модуль 75А 1700В

под заказ

19300.00	/шт от 10 шт
18686.05	/шт от 40 шт

Код: 2015932069

Infineon

FS820R08A6P2LB, силовой модуль 750В 820А

под заказ

55700.00	/шт от 2 шт
53957.14	/шт от 8 шт

Код: 2015891126

Infineon

FS820R08A6P2LBBPSA1, силовой модуль 750В 820А

под заказ

28700.00	/шт от 2 шт
27247.04	/шт от 8 шт

Код: 2015810643

Infineon

FZ1600R12HP4, Модуль IGBT 1600А 1200В

под заказ

99900.00	/шт от 4 шт
90800.00	/шт от 10 шт

Код: 2014890468

Infineon

SKM400GB066D, IGBT модуль

под заказ

14300.00	/шт от 2 шт
13518.90	/шт от 8 шт

Код: 2016020262

Infineon

TD330N16AOF

под заказ

34500.00	/шт от 2 шт
33163.95	/шт от 8 шт

Для улучшения работы сайта и его взаимодействия с пользователями мы используем файлы cookie. Продолжая работу с сайтом, Вы разрешаете использование cookie-файлов. Вы всегда можете отключить файлы cookie в настройках Вашего браузера.

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CHIPOWN CRRC FUJI FUJITSU HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM SUNCO TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули Infineon, стр.2 42

Силовые IGBTи SiC модули Infineon, стр.2 ₄₂