Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2014963045

SEMIKRON

3 шт 1-3 раб.дня

12200.00	/шт от 1 шт
12100.00	/шт от 5 шт

Код: 2012870201

SEMIKRON

SKIIP23NAB126V1, Биполярный транзистор IGBT

14 шт 7 апреля

6034.94	/шт от 1 шт
6034.94	/шт от 2 шт

Код: 2015706307

SEMIKRON

SKIIP23NAB12T4V1, IGBT Module N-CH 1200V 41A 26-Pin

30 шт 7 апреля

5887.56	/шт от 1 шт
5615.14	/шт от 2 шт

Код: 2015706309

SEMIKRON

SKIIP35NAB12T4V1, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 73А

49 шт 7 апреля

8235.87	/шт от 1 шт
7941.13	/шт от 2 шт

Код: 2014945273

SEMIKRON

SKM100GB125DN, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 100А 7-Pin Case D-93

58 шт 7 апреля

5447.81	/шт от 1 шт
5194.51	/шт от 2 шт

Код: 2016986867

SEMIKRON

SKM100GB12T4, Биполярный транзистор IGBT

267 шт 7 апреля

3783.27	/шт от 1 шт
3624.16	/шт от 3 шт

Код: 2016114625

SEMIKRON

SKM100GB12T4G, Биполярный транзистор IGBT

7 шт 7 апреля

3808.78	/шт от 1 шт
3808.78	/шт от 2 шт

Код: 2016912920

SEMIKRON

SKM100GB17E4, Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 125А

28 шт 7 апреля

4939.01	/шт от 1 шт
4896.78	/шт от 2 шт

Код: 2015343696

SEMIKRON

SKM150GAL12T4, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А

90 шт 7 апреля

4783.54	/шт от 1 шт
4587.40	/шт от 3 шт

Код: 2011362213

SEMIKRON

SKM150GB12T4, Биполярный транзистор IGBT

303 шт 7 апреля

5427.30	/шт от 1 шт
5207.73	/шт от 2 шт

Код: 2011174658

SEMIKRON

SKM150GB12T4G, Силовой модуль IGBT N-канальный 1200В 232А

13 шт 7 апреля

6784.87	/шт от 1 шт
6459.37	/шт от 2 шт

Код: 2017225706

SEMIKRON

SKM150GB176E4, Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 100А

12 шт 7 апреля

6539.19	/шт от 1 шт
6391.00	/шт от 2 шт

Код: 2017099472

SEMIKRON

SKM150GB17E4G, Силовой модуль IGBT полумостовой 242А

21 шт 7 апреля

6196.97	/шт от 1 шт
6145.10	/шт от 2 шт

Код: 2015468869

SEMIKRON

SKM200GB12T4, Модуль силовой IGBT N-канальный 1200В 313A 7-Pin

42 шт 7 апреля

8942.55	/шт от 1 шт
8942.55	/шт от 2 шт

Код: 2016422428

SEMIKRON

SKM300GAL12T4, Биполярный транзистор, N-канальный, 1.2 кВ, 422 А

30 шт 7 апреля

8606.82	/шт от 1 шт
8606.82	/шт от 2 шт

Код: 2011040850

SEMIKRON

SKM50GB12T4, Биполярный транзистор IGBT, 840 Вт

23 шт 7 апреля

3605.75	/шт от 1 шт
3421.56	/шт от 2 шт

Код: 2011040852

SEMIKRON

SKM75GB12T4, Биполярный транзистор IGBT, 580 Вт

22 шт 7 апреля

3936.60	/шт от 1 шт
3737.05	/шт от 2 шт

Код: 2010991547

SEMIKRON

SKM75GB176D, Биполярный транзистор IGBT, N-канальный, 1.7 кВ, 80 А

20 шт 7 апреля

5564.73	/шт от 1 шт
5292.91	/шт от 2 шт

Код: 2015987645

SEMIKRON

SKM75GB17E4, Силовой модуль IGBT N-канальный 1700В 88А

63 шт 7 апреля

3526.29	/шт от 1 шт
3489.23	/шт от 2 шт

Код: 2014890484

SEMIKRON

SEMiX202GB12E4s, IGBT модуль

под заказ

11800.00	/шт от 2 шт
11150.72	/шт от 8 шт

Код: 2017267678

SEMIKRON

SEMiX604GB12T4S, Модуль IGBT 600А 1200В

под заказ

19200.00	/шт от 2 шт
18756.96	/шт от 8 шт

Код: 525620288

SEMIKRON

SKM100GB125DN, IGBT модуль

под заказ

2760.00	/шт от 2 шт
2605.00	/шт от 8 шт

Код: 2014890475

SEMIKRON

SKM100GB176D, IGBT модуль

под заказ

5280.00	/шт от 2 шт
5014.40	/шт от 8 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CRRC FUJI FUJITSU GREEGOO HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 39 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 440 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули Semikron23

Силовые IGBTи SiC модули Semikron₂₃