Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015650168 лучшая цена

MG150HF12TLC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (C1) = GD150HFY120C1S, SKM145GB128D-CASED61, CM150DY-

50 шт

2500.00	/шт от 2 шт
2310.00	/шт от 3 шт

Код: 2015932349

MG200HF12TFC2, IGBT модуль, 1200B, 200A, 1250Вт (C2) = GD200HFF120C2S , SKM200GB12T4

2 шт

4600.00	/шт от 1 шт
4080.00	/шт от 3 шт

Код: 2015650171 лучшая цена

MG300HF12TLC2, IGBT модуль, 1200V, 300A, Half Bridge, 106mm x 62mm

325 шт

5300.00	/шт от 1 шт
4950.00	/шт от 4 шт

Код: 2016392343 лучшая цена

MG600HF12TLE3, IGBT модуль, 1200В, 600A, (C1) =(CRRC) TG600HF12M1-G3A00

5 шт

6000.00	/шт от 1 шт
5890.00	/шт от 3 шт

Код: 2017220778

MG100HF065TLC1

5 шт 26 декабря

1433.29	/шт от 1 шт
1393.41	/шт от 2 шт

Код: 2015845751

MG100HF065TLC1, Модули IGBT

137 шт 25 декабря

1300.00	/шт от 1 шт
1280.00	/шт от 2 шт

Код: 2016965016

MG100HF12LEC1

40 шт 26 декабря

3972.29	/шт от 1 шт
3781.55	/шт от 2 шт

Код: 2015928942

MG100HF12TFC1, Модули IGBT

89 шт 25 декабря

2100.00	/шт от 1 шт
2040.00	/шт от 2 шт

Код: 2017224724

MG100HF12TLC1

39 шт 26 декабря

3491.69	/шт от 1 шт
3313.19	/шт от 2 шт

Код: 2015845749

MG100ZD12TLC1, Модули IGBT

18 шт 25 декабря

2400.00	/шт от 1 шт
2330.00	/шт от 2 шт

Код: 2016859921

MG150HF12TLC1

38 шт 26 декабря

3410.81	/шт от 1 шт
3235.66	/шт от 2 шт

Код: 2015845746

MG150HF12TLC1, Модули IGBT

182 шт 25 декабря

2600.00	/шт от 1 шт
2490.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845748

MG150ZD12TLC1, Модули IGBT

30 шт 25 декабря

1900.00	/шт от 1 шт
1870.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845757

MG25P12E1, Модули IGBT

46 шт 25 декабря

2000.00	/шт от 1 шт
1970.00	/шт от 2 шт

Код: 2017233952

MG300HF12TFC2

4 шт 26 декабря

7110.74	/шт от 1 шт
6771.30	/шт от 2 шт

Код: 2015877868

MG300HF12TFC2, Модули IGBT

43 шт 25 декабря

6400.00	/шт от 1 шт
6310.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845753

MG300HF12TLC2, Модули IGBT

10 шт 25 декабря

5500.00	/шт от 1 шт
5410.00	/шт от 2 шт

Код: 2017215443

MG300HF12TLE3

3 шт 26 декабря

4149.64	/шт от 1 шт
3940.79	/шт от 2 шт

Код: 2016856570

MG300HF12TLE3, Модули IGBT

46 шт 25 декабря

3400.00	/шт от 1 шт
3370.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845755

MG40P12E1, Модули IGBT

31 шт 25 декабря

2900.00	/шт от 1 шт
2850.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845730

MG450HF12TFC2, Модули IGBT

46 шт 25 декабря

5700.00	/шт от 1 шт
5570.00	/шт от 2 шт

Код: 2016852578

MG450HF12TLE3, Модули IGBT

46 шт 25 декабря

4900.00	/шт от 1 шт
4840.00	/шт от 2 шт

Код: 2015785884

MG50HF12TFC1, Модули IGBT

17 шт 25 декабря

1700.00	/шт от 1 шт
1660.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845756

MG50P12E2A, Модули IGBT

9 шт 25 декабря

5500.00	/шт от 1 шт
5370.00	/шт от 2 шт

Код: 2016952522

MG600HF12TLE3, Модули IGBT

20 шт 25 декабря

6500.00	/шт от 1 шт
6420.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845759

MG75HF12TFC1, Модули IGBT

10 шт 25 декабря

1300.00	/шт от 1 шт
1290.00	/шт от 2 шт

Код: 2017220777

MG75HF12TLC1

97 шт 26 декабря

2671.53	/шт от 1 шт
2537.80	/шт от 2 шт

Код: 2015845754

MG75P12E2A, Модули IGBT

25 шт 25 декабря

4100.00	/шт от 1 шт
4020.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845758

MG75TF12E2A, Модули IGBT

6 шт 25 декабря

3100.00	/шт от 1 шт
3010.00	/шт от 2 шт

Код: 2015698001

DGW40N120CTL, IGBT модуль, 1200B, 40A, 428Вт (TO-247)

под заказ

308.00	/шт от 200 шт
293.63	/шт от 800 шт

Код: 2015006678

MG100HF12LEC1, IGBT модуль, 1200B, 100A (C1) = SKM100GB125DN = FF100R12RT4 = 2MBI100VA-120-50

под заказ

3400.00	/шт от 2 шт
2920.00	/шт от 10 шт

Код: 2015806191

MG100HF12TFC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 441Вт (C1) =GD100HFF120C1S , SKM100GB12T4

под заказ

2110.00	/шт от 3 шт
1984.08	/шт от 12 шт

Код: 2015698234

MG100HF12TLC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 785Вт (C1) = SKM100GB12T4

под заказ

3320.00	/шт от 4 шт
3165.67	/шт от 16 шт

Код: 2015340950

MG100P12E2, IGBT модуль, 1200В, 100A (E2) = Infineon FP100R12KT4 = FUJI 7MBR100VN120-50

под заказ

10600.00	/шт от 2 шт
10102.12	/шт от 8 шт

Код: 2015648691

MG100TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 100А, 446Вт (E2A)

под заказ

8640.00	/шт от 2 шт
8243.58	/шт от 8 шт

Код: 2015670479

MG10P12E1, IGBT модуль, 1200В, 10А, 120Вт (E1)

под заказ

2420.00	/шт от 5 шт
2344.95	/шт от 20 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CHIPOWN CRRC FUJI FUJITSU HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM SUNCO TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули YJ75

Силовые IGBTи SiC модули YJ₇₅