Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2015650168

MG150HF12TLC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (C1) = GD150HFY120C1S, SKM145GB128D-CASED61, CM150DY-

50 шт

4700.00	/шт от 2 шт
4010.00	/шт от 5 шт

Код: 2015932349

MG200HF12TFC2, IGBT модуль, 1200B, 200A, 1250Вт (C2) = GD200HFF120C2S , SKM200GB12T4

2 шт

6100.00	/шт от 1 шт
5300.00	/шт от 2 шт

Код: 2015650171

MG300HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1700Вт [C2] = MG300HF12MIC2 = CM300DY-24A Mitsubishi = SKM3

425 шт

9100.00	/шт от 1 шт
7890.00	/шт от 10 шт

Код: 2016855109

MG600HF12TLE3, IGBT модуль, 1200В, 600A, (C1) =(CRRC) TG600HF12M1-G3A00

1 шт

25.50	/шт от 10 шт

Код: 2016392343

MG600HF12TLE3, IGBT модуль, 1200В, 600A, (C1) =(CRRC) TG600HF12M1-G3A00

5 шт

15500.00	/шт от 1 шт
13500.00	/шт от 2 шт

Код: 2017220778

MG100HF065TLC1

10 шт (3-4 раб.дня)

2172.76	/шт от 1 шт
2115.72	/шт от 2 шт

Код: 2015845751

MG100HF065TLC1, Модули IGBT

149 шт (3-4 раб.дня)

1900.00	/шт от 1 шт
1800.00	/шт от 2 шт

Код: 2015928942

MG100HF12TFC1, Модули IGBT

97 шт (3-4 раб.дня)

3100.00	/шт от 1 шт
2620.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845749

MG100ZD12TLC1, Модули IGBT

18 шт (3-4 раб.дня)

2800.00	/шт от 1 шт
2420.00	/шт от 2 шт

Код: 2016859921

MG150HF12TLC1

20 шт (3-4 раб.дня)

4073.51	/шт от 1 шт
3868.98	/шт от 2 шт

Код: 2015845746

MG150HF12TLC1, Модули IGBT

36 шт (3-4 раб.дня)

3500.00	/шт от 1 шт
2980.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845748

MG150ZD12TLC1, Модули IGBT

30 шт (3-4 раб.дня)

2200.00	/шт от 1 шт
2160.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845757

MG25P12E1, Модули IGBT

65 шт (3-4 раб.дня)

2400.00	/шт от 1 шт
2290.00	/шт от 2 шт

Код: 2015877868

MG300HF12TFC2, Модули IGBT

51 шт (3-4 раб.дня)

4900.00	/шт от 1 шт
4850.00	/шт от 4 шт

Код: 2015845753

MG300HF12TLC2, Модули IGBT

88 шт (3-4 раб.дня)

5500.00	/шт от 1 шт
5140.00	/шт от 4 шт

Код: 2017215443

MG300HF12TLE3

3 шт (3-4 раб.дня)

5503.49	/шт от 1 шт
5235.29	/шт от 2 шт

Код: 2016856570

MG300HF12TLE3, Модули IGBT

46 шт (3-4 раб.дня)

4500.00	/шт от 1 шт
4440.00	/шт от 4 шт

Код: 2015845755

MG40P12E1, Модули IGBT

52 шт (3-4 раб.дня)

2400.00	/шт от 1 шт
2380.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845730

MG450HF12TFC2, Модули IGBT

69 шт (3-4 раб.дня)

8100.00	/шт от 1 шт
7940.00	/шт от 2 шт

Код: 2015898130

MG450HF12TLC2, Модули IGBT

6 шт (3-4 раб.дня)

10100.00	/шт от 1 шт
9430.00	/шт от 2 шт

Код: 2016852578

MG450HF12TLE3, Модули IGBT

46 шт (3-4 раб.дня)

5700.00	/шт от 1 шт
5590.00	/шт от 4 шт

Код: 2015785884

MG50HF12TFC1, Модули IGBT

35 шт (3-4 раб.дня)

1300.00	/шт от 1 шт
1240.00	/шт от 3 шт

Код: 2015845756

MG50P12E2A, Модули IGBT

15 шт (3-4 раб.дня)

4400.00	/шт от 1 шт
4350.00	/шт от 4 шт

Код: 2016952522

MG600HF12TLE3, Модули IGBT

20 шт (3-4 раб.дня)

10800.00	/шт от 1 шт
10700.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845759

MG75HF12TFC1, Модули IGBT

10 шт (3-4 раб.дня)

1500.00	/шт от 1 шт
1490.00	/шт от 2 шт

Код: 2017220777

MG75HF12TLC1

10 шт (3-4 раб.дня)

1956.25	/шт от 1 шт
1904.18	/шт от 2 шт

Код: 2015877870

MG75HF12TLC1, Модули IGBT

169 шт (3-4 раб.дня)

1700.00	/шт от 1 шт
1620.00	/шт от 2 шт

Код: 2015845754

MG75P12E2A, Модули IGBT

110 шт (3-4 раб.дня)

4800.00	/шт от 1 шт
4440.00	/шт от 4 шт

Код: 2015845758

MG75TF12E2A, Модули IGBT

6 шт (3-4 раб.дня)

3600.00	/шт от 1 шт
3480.00	/шт от 4 шт

Код: 2015006678

MG100HF12LEC1, IGBT модуль, 1200B, 100A (C1) = SKM100GB125DN = FF100R12RT4 = 2MBI100VA-120-50

под заказ

3200.00	/шт от 2 шт
2770.00	/шт от 10 шт

Код: 2015806191

MG100HF12TFC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 441Вт (C1) =GD100HFF120C1S , SKM100GB12T4

под заказ

2110.00	/шт от 3 шт

Код: 2015698001

DGW40N120CTL, IGBT модуль, 1200B, 40A, 428Вт (TO-247)

под заказ

307.00	/шт от 200 шт

Код: 2015698234

MG100HF12TLC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 785Вт (C1) = SKM100GB12T4

под заказ

3310.00	/шт от 4 шт

Код: 2015340950

MG100P12E2, IGBT модуль, 1200В, 100A (E2) = Infineon FP100R12KT4 = FUJI 7MBR100VN120-50

под заказ

10600.00	/шт от 2 шт

Код: 2015648691

MG100TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 100А, 446Вт (E2A)

под заказ

8620.00	/шт от 2 шт

Код: 2015670479

MG10P12E1, IGBT модуль, 1200В, 10А, 120Вт (E1)

под заказ

2330.00	/шт от 5 шт

Код: 2015670470

MG10P12P2, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P2)

под заказ

1470.00	/шт от 5 шт

Код: 2015670605

MG10P12P3, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P3)

под заказ

1760.00	/шт от 5 шт

Код: 2015650160

MG150HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 1136Вт [C2] = MG150HF12MRC2

под заказ

11300.00	/шт от 5 шт

Код: 2014889020

MG150HF12MIC2, IGBT модуль, 1200В, 150А (C2) = SKM150GAL12T4 (Semikron)

под заказ

5070.00	/шт от 2 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT BYD BYD MICROELECTR CHIPOWN CRRC FUJI FUJITSU HITACHI HUAJING INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICON LGE MARCHING POWER MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 195 200 220 225 250 260 300 350 400 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Тип силового модуля
CIB интеллектуальный модуль SiC модуль Интеллектуальный DIP модуль Интеллектуальный DIP модуль с ККМ Интеллектуальный модуль IPM Сборка на IGBT транзисторах сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD

Силовые IGBTи SiC модули YJ74

Силовые IGBTи SiC модули YJ₇₄