Силовые IGBTи SiC модули , стр.27 ₁₃₀₂

MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V

MD120HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

MD13HTC120P6HE, SiC MOSFET

MD200HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

MD22HTC120P6HE, SiC MOSFET

MD29HTC120P6HE, SiC MOSFET

MD300HFC170C2S, SiC MOSFET Half Bridge

MD300HFR120C2S, SiC power MOSFET, Half Bridge, 1200V/300A

MD400HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

MG100HF12LEC1, IGBT модуль, 1200B, 100A (C1) = SKM100GB125DN = FF100R12RT4 = 2MBI100VA-120-50

MG100HF12TFC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 441Вт (C1) =GD100HFF120C1S , SKM100GB12T4

MG100HF12TLC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 785Вт (C1) = SKM100GB12T4

MG100P12E2, IGBT модуль, 1200В, 100A (E2) = Infineon FP100R12KT4 = FUJI 7MBR100VN120-50

MG100TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 100А, 446Вт (E2A)

MG10P12E1, IGBT модуль, 1200В, 10А, 120Вт (E1)

MG10P12P2, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P2)

MG10P12P3, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P3)

MG150HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 1136Вт [C2] = MG150HF12MRC2

MG150HF12MIC2, IGBT модуль, 1200В, 150А (C2) = SKM150GAL12T4 (Semikron)

MG150HF12TFC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (С1)

MG150HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 833Вт (C2) = GD150HFU120C2S, FF150R12KS4

MG150HF17SCC1, MG150HF17SCC1, IGBT модуль, 1700В, 150А, 990Вт

MG150P12E2, IGBT модуль, 1200В, 150A (E2) = Infineon FP200R12KT4; = FUJI 7MBR150VN120-50

MG150TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 150А, 715Вт (E2A) = CM150TX-24S

MG15P12E1, IGBT модуль, 1200В, 15А, 142Вт (E1)

MG15P12P2, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P2)

MG15P12P3, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P3)

MG200HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1358Вт [C2]

MG200HF12MIC2, IGBT модуль 200А 1200В

MG200HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1250Вт [C2]

MG225HF12TLE3, IGBTмодуль, 1200V 225A (E3)

MG2512E1A, IGBT модуль

MG25P12E1, IGBT модуль, 1200В, 25А, 166Вт (E1)

MG25P12P3, IGBT модуль,1200В, 25A, 175Вт (P3) = Infineon FP25R12W2T4 = FUJI 7MBR25VKD120-50

MG300HF12MRC2, Выпрямительный диодный модуль 1800В 300А [D3]

MG3512E1A, IGBT модуль