Силовые IGBT и SIC модули Infineon, Mitsubishi, Leapers, Starpower купить для частотных преобразователей, характеристики

Код: 2017276399

HyperSemi

HF13UBA60N12X100, Диодный модуль 1200В 60А

под заказ

1320.00	/шт от 500 шт
1297.99	/шт от 2000 шт

Код: 2017257188

HyperSemi

HGS75MG170X100, IGBT дискрет, 1700В, 75А = SK75GB12T4T (SEMIKRON DANFOSS)

под заказ

9600.00	/шт от 2 шт
9197.12	/шт от 8 шт

Код: 2012022272

Mitsubishi

J1BCP78042A, IGBT модуль

под заказ

248000.00	/шт от 2 шт
220425.99	/шт от 8 шт

Код: 2012022292

Mitsubishi

J1BWJA, IGBT модуль

под заказ

288000.00	/шт от 2 шт
255853.61	/шт от 8 шт

Код: 2015929878

Hitachi

MBM1000FS17G, IGBT модуль 1700В 1000А

под заказ

130000.00	/шт от 2 шт
124244.51	/шт от 8 шт

Код: 2015715770

Hitachi

MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V

под заказ

248000.00	/шт от 10 шт
239708.42	/шт от 40 шт

Код: 2015699885

starpower

MD120HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

199.00	/шт от 2 шт
185.00	/шт от 8 шт

Код: 2015699928

starpower

MD13HTC120P6HE, SiC MOSFET

под заказ

7770.00	/шт от 10 шт
7548.98	/шт от 40 шт

Код: 2015699886

starpower

MD200HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

199.00	/шт от 2 шт
185.00	/шт от 8 шт

Код: 2015699927

starpower

MD22HTC120P6HE, SiC MOSFET

под заказ

225000.00	/шт от 4 шт
223273.23	/шт от 16 шт

Код: 2015699926

starpower

MD29HTC120P6HE, SiC MOSFET

под заказ

224000.00	/шт от 10 шт
221532.26	/шт от 40 шт

Код: 2015699889

starpower

MD300HFC170C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

199.00	/шт от 2 шт
185.00	/шт от 8 шт

Код: 2015699890

starpower

MD300HFR120C2S, SiC power MOSFET, Half Bridge, 1200V/300A

под заказ

112000.00	/шт от 2 шт
104967.63	/шт от 8 шт

Код: 2015699891

starpower

MD400HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

под заказ

199.00	/шт от 2 шт
185.00	/шт от 8 шт

Код: 2015006678

MG100HF12LEC1, IGBT модуль, 1200B, 100A (C1) = SKM100GB125DN = FF100R12RT4 = 2MBI100VA-120-50

под заказ

3500.00	/шт от 2 шт
2990.00	/шт от 10 шт

Код: 2015806191

MG100HF12TFC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 441Вт (C1) =GD100HFF120C1S , SKM100GB12T4

под заказ

2110.00	/шт от 3 шт
1984.08	/шт от 12 шт

Код: 2015698234

MG100HF12TLC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 785Вт (C1) = SKM100GB12T4

под заказ

3310.00	/шт от 4 шт
3157.84	/шт от 16 шт

Код: 2015340950

MG100P12E2, IGBT модуль, 1200В, 100A (E2) = Infineon FP100R12KT4 = FUJI 7MBR100VN120-50

под заказ

10600.00	/шт от 2 шт
10098.42	/шт от 8 шт

Код: 2015648691

MG100TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 100А, 446Вт (E2A)

под заказ

8630.00	/шт от 2 шт
8233.88	/шт от 8 шт

Код: 2015670479

MG10P12E1, IGBT модуль, 1200В, 10А, 120Вт (E1)

под заказ

2470.00	/шт от 5 шт
2394.94	/шт от 20 шт

Код: 2015670470

MG10P12P2, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P2)

под заказ

1560.00	/шт от 5 шт
1511.14	/шт от 20 шт

Код: 2015670605

MG10P12P3, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P3)

под заказ

1760.00	/шт от 5 шт
1705.12	/шт от 20 шт

Код: 2015650160

MG150HF065TLC1, IGBT модуль, 650В, 150А

под заказ

16.60	/шт от 50 шт
16.19	/шт от 200 шт

Код: 2014889020

MG150HF12MIC2, IGBT модуль, 1200В, 150А (C2) = SKM150GAL12T4 (Semikron)

под заказ

5070.00	/шт от 2 шт
4928.10	/шт от 8 шт

Код: 2015801951

MG150HF12TFC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (С1)

под заказ

4610.00	/шт от 5 шт
4396.22	/шт от 20 шт

Код: 2015650168

MG150HF12TLC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (C1) = GD150HFY120C1S, SKM145GB128D-CASED61, CM150DY-

под заказ

2400.00	/шт от 3 шт
2374.58	/шт от 12 шт

Код: 2015932345

MG150HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 833Вт (C2) = GD150HFU120C2S, FF150R12KS4

под заказ

5280.00	/шт от 2 шт
5119.96	/шт от 8 шт

Код: 2015340951

MG150P12E2, IGBT модуль, 1200В, 150A (E2) = Infineon FP200R12KT4; = FUJI 7MBR150VN120-50

под заказ

13400.00	/шт от 2 шт
13048.70	/шт от 8 шт

Код: 2016107438

MG150TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 150А, 715Вт (E2A) = CM150TX-24S

под заказ

9910.00	/шт от 2 шт
9454.03	/шт от 8 шт

Код: 2015670608

MG15P12E1, IGBT модуль, 1200В, 15А, 142Вт (E1)

под заказ

2550.00	/шт от 5 шт
2471.09	/шт от 20 шт

Код: 2015670606

MG15P12P2, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P2)

под заказ

1740.00	/шт от 5 шт
1686.56	/шт от 20 шт

Код: 2015670609

MG15P12P3, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P3)

под заказ

2020.00	/шт от 5 шт
1956.37	/шт от 20 шт

Код: 2015713875

MG200HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1358Вт [C2]

под заказ

6910.00	/шт от 5 шт
6591.10	/шт от 20 шт

Код: 2014765326

MG200HF12MIC2, IGBT модуль 200А 1200В

под заказ

5450.00	/шт от 2 шт
5283.91	/шт от 8 шт

Код: 2017290413

MG200HF12SCC2, IGBT модуль 200 Ампер 1200 Вольт

под заказ

12.00	/шт от 3 шт
12.00	/шт от 12 шт

Код: 2015932342

MG200HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1250Вт [C2]

под заказ

5170.00	/шт от 2 шт
4930.40	/шт от 8 шт

Производитель
ABB APEMIC AST TECHNOLOGY ATELECT ATS BYD BYD MICROELECTR CRRC FUJI FUJITSU GREEGOO HITACHI HUAJING HYPERSEMI INFINEON IXYS LEAPERS LEAPERS SEMICONDUCTOR LGE MARCHING POWER MICROCHIP MITSUBISHI NEDITEK ONS RED POWER SEMIKRON SHYSEMI STARPOWER STM TAIXIN TECHSEM TSINGSEMI VISHAY WXDH XINER YJ ZHM SEMI РОССИЯ
Макс.напр.к-э,В
25 75 100 150 200 220 250 350 600 650 750 820 1200 1350 1400 1500 1600 1700 1800 2200 2500 3300 4500 6500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
1.2 1.5 1.55 1.6 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 2 2.1 2.15 2.2 2.35 2.4 2.5 2.6 2.65 2.7 2.75 2.8 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.6 3.8 4.4 5 5.1
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
0.015 0.1 0.35 0.5 0.7 1.5 1.75 2 3 4 5 5.7 6 7.2 8 8.7 8.8 10 11 12 13 15 20 22 24 25 27 29 30 35 39 40 48 50 60 70 75 80 100 105 110 120 130 140 150 160 165 200 220 225 250 260 300 350 400 440 450 500 540 600 650 660 700 720 750 800 820 900 950 1000 1200 1400 1500 1600 1700 1800 2400 3600 4000
Структура модуля
2 транзистора+2 диода 3-ф.выпр-ль+3ф мост 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом 3-фазный мост 3-фазный мост+тормозной транзистор Boost Dual Boost H-мост одиночный транзистор полумост чоппер с диодом
Максимальная частота модуляции,кГц
1.6 5 10 15 20 25 30 40 60 100
Мощность привода, кВт
0.1 0.2 0.4 0.75 1.5 2 2.2 3 3.7 5.24 7 7.5 11 15 17.5 20 22 30 37 50 55 70 75
Драйвер управления

Защита по току
есть нет
Защита от короткого замыкания
есть нет
Защита от перегрева
есть нет
Защита от пониженного напряжения питания
есть нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
21.3 23 36 38.3 39 43 50 51.2 56.8 63 100 131 138 250 255 284 290 320 328 338 350 390 400 416 430 450 455 480 500 520 540 541 560 590 595 600 620 650 668 672 730 735 780 781 830 890 960 1040 1041 1100 1130 1160 1260 1340 1470 1500 1550 1560 1562 1600 1785 1860 1890 1950 1980 2000 2010 2080 2100 2350 2500 2710 2800 2900 3000 3400 3670 3780 3900 4100 4300 4800 5800 6250 6500 6700 6900 8900 9200 10000 10400 12500 13100 13800 14700 15600 17800
Максимальный ток эмиттера, А
10 11 20 22 26 30 40 48 50 60 100 140 150 200 220 300 330 400 450 600 700 800 900 1000 1200 1600 1800 2000 2400 2800 3200 3600 4800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
4 5.5 6 6.5 7 20
Напряжение эмиттер-коллектор,В
1.2 1.63 1.66 1.7 1.8 1.85 1.9 1.95 1.98 2 2.1 2.25 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 2.9 3 3.1 3.2 3.3 3.4 4 4.6 5
Напряжение изоляции, В
1500 2500 3500 4000 4500 5000 6000 10200
Температурный диапазон,С

Серия
CM1200DC-34N HPD T-series

Силовые IGBTи SiC модули , стр.27 1319

Силовые IGBTи SiC модули , стр.27 ₁₃₁₉